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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4BH20K-SPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4BH20K-SPBF价格参考。International RectifierIRG4BH20K-SPBF封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 1200V 11A 60W Surface Mount D2PAK。您可以下载IRG4BH20K-SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG4BH20K-SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRG4BH20K-SPBF是一款N沟道功率MOSFET,主要用于需要高效开关和低损耗的应用场景。该型号属于晶体管 - UGBT(Ultrafast Gate Bipolar Transistor)和MOSFET - 单(Single MOSFET)类别,具有以下特点和应用场景: 1. 电源管理 IRG4BH20K-SPBF广泛应用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性使其在高频开关应用中表现出色,能够有效降低功耗,提高电源转换效率。 2. 电机驱动 该器件适用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机和其他类型的电机驱动电路。它能够承受较高的电流和电压,并且具备良好的热稳定性,适合用于工业自动化、家用电器、电动工具等领域的电机控制。 3. 逆变器与变频器 在逆变器和变频器中,IRG4BH20K-SPBF可以作为开关元件,用于将直流电转换为交流电或调节输出频率。其快速开关速度和低损耗特性有助于提高系统的整体性能,减少能量损失。 4. 电池管理系统 该MOSFET也可用于电池管理系统的充放电控制电路中,特别是在电动汽车(EV)、储能系统等应用中。它可以精确控制电流流动,确保电池的安全性和延长使用寿命。 5. 保护电路 IRG4BH20K-SPBF可用于过流保护、短路保护等电路中,提供快速响应和可靠的保护功能。其内置的雪崩击穿能力使其能够在极端条件下保持稳定工作,防止电路损坏。 6. 通信设备 在通信基站、服务器等高可靠性设备中,IRG4BH20K-SPBF可以用于电源模块和信号处理电路,确保设备在高温、高负载环境下稳定运行。 总结 IRG4BH20K-SPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,适用于多种电力电子设备中的关键位置,特别是在需要高效开关、低功耗和高可靠性的应用场景中表现尤为突出。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 23ns/93ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 22A |
描述 | IGBT 1200V 11A 60W D2PAKIGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 28nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRG4BH20K-SPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRG4BH20K-SPBF |
SwitchingEnergy | 450µJ (开), 440µJ (关) |
TestCondition | 960V, 5A, 50 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 4.3V @ 15V,5A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | *IRG4BH20K-SPBF |
功率-最大值 | 60W |
功率耗散 | 60 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | International Rectifier |
在25C的连续集电极电流 | 11 A |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK |
工厂包装数量 | 50 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 11A |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1.2 kV |
集电极—射极饱和电压 | 3.17 V |
集电极最大连续电流Ic | 11 A |