数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4BC40W-LPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4BC40W-LPBF价格参考。International RectifierIRG4BC40W-LPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRG4BC40W-LPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG4BC40W-LPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的型号为IRG4BC40W-LPBF的晶体管,属于MOSFET - 单(金属氧化物半导体场效应晶体管 - 单个器件)类别,具体应用场景如下: 1. 电源管理 - 该MOSFET适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC转换器中,用于高效地控制电压和电流。 - 在电池充电器中作为开关元件,实现精确的电流调节和高效的能量转换。 2. 电机驱动 - 可用于小型直流电机、步进电机或伺服电机的驱动电路中,提供快速的开关能力和低导通损耗。 - 在家电领域(如风扇、水泵等)中,用作电机速度控制的核心元件。 3. 逆变器 - 在光伏逆变器或UPS(不间断电源)系统中,作为功率级开关,将直流电转换为交流电。 - 提供高效率和低热耗散特性,适合需要长时间稳定运行的设备。 4. 负载切换 - 在汽车电子中,用于负载切换(Load Switching),例如车灯、雨刷器或其他车载电子设备的开关控制。 - 其低导通电阻(Rds(on))可减少功耗并提高系统效率。 5. 信号放大与传输 - 在某些通信设备中,可用于信号放大的场景,尤其是在高频应用中表现出色。 - 支持高速开关操作,确保信号完整性。 6. 保护电路 - 在过流保护、短路保护电路中,作为关键的开关元件,能够快速响应并切断异常电流路径。 - 适用于保险丝替代方案,提升系统的可靠性和安全性。 特性优势: - 耐压能力:支持高达400V的漏源极电压(Vds),适用于高压环境。 - 低导通电阻:降低功率损耗,提高整体效率。 - 快速开关速度:减少开关损耗,适合高频应用。 - 紧凑封装:LPBF封装节省空间,便于小型化设计。 综上所述,IRG4BC40W-LPBF广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域,特别是在需要高效功率转换和控制的场合。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 27ns/100ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 160A |
描述 | IGBT 600V 40A 160W TO262IGBT 晶体管 600V Warp 60-150kHz |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 98nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRG4BC40W-LPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRG4BC40W-LPBF |
SwitchingEnergy | 110µJ (开), 230µJ (关) |
TestCondition | 480V, 20A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V,20A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-262 |
功率-最大值 | 160W |
功率耗散 | 160 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | International Rectifier |
在25C的连续集电极电流 | 40 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
封装/箱体 | TO-262 |
工厂包装数量 | 50 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 40A |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |
集电极最大连续电流Ic | 40 A |