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IRG4BC30UDPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4BC30UDPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4BC30UDPBF价格参考¥14.64-¥16.90。International RectifierIRG4BC30UDPBF封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-220AB。您可以下载IRG4BC30UDPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG4BC30UDPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRG4BC30UDPBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于UGBT(统一栅极双极晶体管)系列。该型号具有多种应用场景,尤其适用于需要高效、快速开关特性的电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:IRG4BC30UDPBF广泛应用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC转换器。它能够提供高效的功率转换,减少能量损耗,提高系统的整体效率。 2. 电机驱动:在电机控制应用中,IRG4BC30UDPBF可以用于驱动小型直流电机、步进电机和无刷直流电机(BLDC)。其低导通电阻和快速开关特性有助于实现精确的速度控制和高效的能量传输。 3. 逆变器和变频器:该MOSFET适用于太阳能逆变器和工业变频器中,用于将直流电转换为交流电或调节交流电的频率和电压。其优异的开关性能和耐高压能力使其能够在这些高要求的应用中表现出色。 4. 电池管理系统(BMS):在电动汽车和储能系统中,IRG4BC30UDPBF可用于电池保护和充放电管理。它能够快速响应电流变化,确保电池的安全和稳定运行。 5. 消费电子设备:该器件也常见于笔记本电脑适配器、智能手机充电器和其他便携式电子设备的电源模块中。其紧凑的设计和高效性能使得它成为这些产品中的理想选择。 6. 工业自动化:在工业控制系统中,IRG4BC30UDPBF可以用于驱动电磁阀、继电器等执行机构,实现对生产线的精确控制。其可靠的开关特性和长寿命保证了系统的稳定性和耐用性。 总之,IRG4BC30UDPBF凭借其卓越的电气性能和可靠性,在多个领域有着广泛的应用前景,特别是在需要高效功率转换和精确控制的场合中表现尤为突出。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 40ns/91ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 92A |
描述 | IGBT 600V 23A 100W TO220ABIGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 50nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRG4BC30UDPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRG4BC30UDPBF |
SwitchingEnergy | 380µJ (开), 160µJ (关) |
TestCondition | 480V, 12A, 23 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V,12A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRG4BC30UDPBF |
功率-最大值 | 100W |
功率耗散 | 100 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 42ns |
商标 | International Rectifier |
在25C的连续集电极电流 | 23 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 23A |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irg4bc30ud.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irg4bc30ud.spi |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.95 V |
集电极最大连续电流Ic | 23 A |