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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4BC30FPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4BC30FPBF价格参考。International RectifierIRG4BC30FPBF封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-220AB。您可以下载IRG4BC30FPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG4BC30FPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRG4BC30FPBF是一款单通道MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),属于超微型功率晶体管(UGBT)系列。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种电力电子应用。 应用场景 1. 电源管理: - 开关电源(SMPS):IRG4BC30FPBF常用于高效能的开关电源设计中,如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高转换效率。 - 不间断电源(UPS):在UPS系统中,该MOSFET可用于逆变器部分,确保在市电中断时快速切换到电池供电模式,提供稳定的输出电压。 2. 电机驱动: - 无刷直流电机(BLDC):在电机控制电路中,IRG4BC30FPBF可以作为驱动信号的开关元件,实现对电机转速和方向的精确控制。 - 步进电机驱动:用于步进电机的微步进驱动电路,通过精确控制电流来实现平稳的电机运行。 3. 消费电子产品: - 笔记本电脑适配器:在便携式设备的充电器中,该MOSFET可以用于功率因数校正(PFC)电路,提高电源效率并减小体积。 - 智能手机快充模块:支持快速充电技术的移动设备充电器中,IRG4BC30FPBF能够有效管理大电流传输,确保安全可靠的充电过程。 4. 工业自动化: - 可编程逻辑控制器(PLC):在工业控制系统中,该MOSFET可用于驱动继电器、电磁阀等负载,提供稳定可靠的开关功能。 - 伺服驱动器:用于精密运动控制系统的伺服驱动器中,IRG4BC30FPBF可以实现高效的电流调节和快速响应。 5. 汽车电子: - 车载充电器(OBC):电动汽车中的车载充电器需要高效能的功率转换,IRG4BC30FPBF能够在高温环境下保持良好的性能。 - 电动助力转向(EPS):在汽车EPS系统中,该MOSFET用于驱动电机,提供实时的转向辅助。 总之,IRG4BC30FPBF凭借其卓越的电气特性和紧凑的封装形式,广泛应用于各类电力电子设备中,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 21ns/200ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 124A |
描述 | IGBT 600V 31A 100W TO220ABIGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 51nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRG4BC30FPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRG4BC30FPBF |
SwitchingEnergy | 230µJ (开), 1.18mJ (关) |
TestCondition | 480V, 17A, 23 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.8V @ 15V,17A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRG4BC30FPBF |
功率-最大值 | 100W |
功率耗散 | 100 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | International Rectifier |
在25C的连续集电极电流 | 31 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 31A |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irg4bc30f.spi |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.59 V |
集电极最大连续电流Ic | 31 A |