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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4BC30FD1由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4BC30FD1价格参考。International RectifierIRG4BC30FD1封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-220AB。您可以下载IRG4BC30FD1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG4BC30FD1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRG4BC30FD1是一款MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单通道增强型N沟道功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于多种电力电子应用领域。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: - 该MOSFET常用于开关电源(SMPS)中,作为主开关管或同步整流器。其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高效率。 - 在DC-DC转换器中,IRG4BC30FD1可以用于降压、升压或升降压拓扑,实现高效的电压转换。 2. 电机驱动: - 在无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动中,该MOSFET可用于逆变器电路,控制电机的转速和方向。 - 其快速开关特性和低损耗特性使得它在高频PWM(脉宽调制)控制中表现出色,适用于家电、工业自动化等领域。 3. 消费电子产品: - IRG4BC30FD1可用于笔记本电脑适配器、手机充电器等便携式设备的电源管理系统,提供高效、紧凑的解决方案。 - 在LED照明驱动电路中,该MOSFET能够实现恒流或恒压输出,确保LED的稳定工作。 4. 工业控制: - 在工业控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等,该MOSFET可以用于开关负载,如继电器、电磁阀等。 - 其耐高压和大电流能力使其适合应用于严苛的工业环境中,确保系统的可靠性和稳定性。 5. 汽车电子: - 在汽车电子系统中,IRG4BC30FD1可用于电池管理系统(BMS)、电动助力转向系统(EPS)以及车载充电器(OBC)等。 - 它的高可靠性设计符合汽车级标准,能够在极端温度和振动条件下正常工作。 总之,IRG4BC30FD1凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场合。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 22ns/250ns |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
描述 | IGBT 600V 31A 100W TO220AB |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 57nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRG4BC30FD1 |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | 370µJ (开), 1.42mJ (关) |
TestCondition | 480V, 17A, 23 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.8V @ 15V,17A |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRG4BC30FD1 |
功率-最大值 | 100W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 46ns |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 31A |
输入类型 | 标准 |