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  • 型号: IRG4BC30FD1
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4BC30FD1由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4BC30FD1价格参考。International RectifierIRG4BC30FD1封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-220AB。您可以下载IRG4BC30FD1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG4BC30FD1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRG4BC30FD1是一款MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单通道增强型N沟道功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于多种电力电子应用领域。以下是其主要应用场景:

1. 电源管理:
   - 该MOSFET常用于开关电源(SMPS)中,作为主开关管或同步整流器。其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高效率。
   - 在DC-DC转换器中,IRG4BC30FD1可以用于降压、升压或升降压拓扑,实现高效的电压转换。

2. 电机驱动:
   - 在无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动中,该MOSFET可用于逆变器电路,控制电机的转速和方向。
   - 其快速开关特性和低损耗特性使得它在高频PWM(脉宽调制)控制中表现出色,适用于家电、工业自动化等领域。

3. 消费电子产品:
   - IRG4BC30FD1可用于笔记本电脑适配器、手机充电器等便携式设备的电源管理系统,提供高效、紧凑的解决方案。
   - 在LED照明驱动电路中,该MOSFET能够实现恒流或恒压输出,确保LED的稳定工作。

4. 工业控制:
   - 在工业控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等,该MOSFET可以用于开关负载,如继电器、电磁阀等。
   - 其耐高压和大电流能力使其适合应用于严苛的工业环境中,确保系统的可靠性和稳定性。

5. 汽车电子:
   - 在汽车电子系统中,IRG4BC30FD1可用于电池管理系统(BMS)、电动助力转向系统(EPS)以及车载充电器(OBC)等。
   - 它的高可靠性设计符合汽车级标准,能够在极端温度和振动条件下正常工作。

总之,IRG4BC30FD1凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

22ns/250ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

120A

描述

IGBT 600V 31A 100W TO220AB

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

57nC

IGBT类型

-

品牌

International Rectifier

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

IRG4BC30FD1

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

370µJ (开), 1.42mJ (关)

TestCondition

480V, 17A, 23 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.8V @ 15V,17A

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRG4BC30FD1

功率-最大值

100W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

46ns

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

31A

输入类型

标准

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