【晶体管 - UGBT，MOSFET - 单_IRG4BC30FD-STRR】封装/厂家_IRG4BC30FD-STRR中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > IRG4BC30FD-STRR

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IRG4BC30FD-STRR
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4BC30FD-STRR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4BC30FD-STRR价格参考。International RectifierIRG4BC30FD-STRR封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 600V 31A 100W Surface Mount D2PAK。您可以下载IRG4BC30FD-STRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRG4BC30FD-STRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRG4BC30FD-STRR是一款MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具体为N沟道增强型功率MOSFET。其应用场景广泛，主要用于需要高效能、低功耗和高可靠性的电力电子设备中。

 主要应用场景：

1. 开关电源（SMPS）：
   - IRG4BC30FD-STRR常用于开关电源的设计中，特别是在DC-DC转换器、AC-DC适配器等场合。它能够提供高效的开关性能，降低能量损耗，提高电源转换效率。
   
2. 电机驱动：
   - 在电机控制应用中，如无刷直流电机（BLDC）、步进电机等，该MOSFET可以作为开关元件，实现对电机电流的精确控制，确保电机运行平稳、高效。

3. 逆变器：
   - 用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备中，IRG4BC30FD-STRR可以实现高效的直流到交流转换，保证输出电压的稳定性和可靠性。

4. 电池管理系统（BMS）：
   - 在电动汽车、储能系统等电池管理应用中，该MOSFET可用于电池充放电控制，保护电池免受过充、过放等异常情况的影响，延长电池寿命。

5. 消费电子产品：
   - 在笔记本电脑、智能手机充电器、平板电脑等消费电子产品中，IRG4BC30FD-STRR可以用于电源管理模块，确保设备在充电和使用过程中保持稳定的供电。

6. 工业自动化：
   - 在工业控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器等，该MOSFET可以用于信号隔离、负载切换等场景，确保系统的稳定性和安全性。

 特点与优势：
- 低导通电阻：有助于减少导通损耗，提高整体效率。
- 快速开关速度：减少开关损耗，适用于高频应用。
- 高可靠性：具备良好的热稳定性，能够在恶劣环境下长时间工作。
- 紧凑封装：节省PCB空间，适合小型化设计。

总之，IRG4BC30FD-STRR凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，是高效、节能的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	42ns/230ns
产品目录	分立半导体产品
Current-CollectorPulsed(Icm)	120A
描述	IGBT 600V 31A 100W D2PAK
产品分类	IGBT - 单路
GateCharge	51nC
IGBT类型	-
品牌	International Rectifier
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	IRG4BC30FD-STRR
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
SwitchingEnergy	630µJ （开）， 1.39mJ （关）
TestCondition	480V, 17A, 23 欧姆, 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	1.8V @ 15V，17A
供应商器件封装	D2PAK
其它名称	IRG4BC30FDSTRR
功率-最大值	100W
包装	带卷（TR）
反向恢复时间(trr)	42ns
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
标准包装	800
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极(Ic)（最大值）	31A
输入类型	标准