ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > IRG4BC30FD-S
Datasheet下载- 型号： IRG4BC30FD-S
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4BC30FD-S由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4BC30FD-S价格参考。International RectifierIRG4BC30FD-S封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 600V 31A 100W Surface Mount D2PAK。您可以下载IRG4BC30FD-S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRG4BC30FD-S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRG4BC30FD-S是一款MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于单通道增强型N沟道器件。它主要应用于需要高效功率转换和开关操作的场景中，例如： 1. 电源管理：该MOSFET适用于各种类型的开关电源（SMPS），如AC-DC适配器、充电器等。它能够提供高效的电压转换，减少能量损失，提高整体系统的能效。 2. 电机驱动：在无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电机控制系统中，IRG4BC30FD-S可以作为功率级元件，用于控制电机的速度和方向。其低导通电阻有助于降低发热，延长使用寿命。 3. 消费电子设备：包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的电源管理和充电电路。由于其紧凑的设计和高效性能，非常适合这些对空间和功耗要求严格的应用。 4. 工业自动化：在可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等工业控制设备中，这款MOSFET可用于实现精确的电流控制和快速响应时间。 5. 照明系统：LED驱动器中也常使用这种类型的MOSFET来调节电流，确保LED灯稳定工作并达到最佳亮度。 6. 汽车电子：新能源汽车的车载充电器、DC-DC变换器以及电池管理系统（BMS）中也会用到类似的MOSFET，以满足高可靠性和安全性要求。 7. 通信基站：基站内的电源模块同样依赖于高性能的MOSFET来进行稳定的电力供应，保证通信信号传输的质量。 总之，IRG4BC30FD-S凭借其优异的电气特性，在众多领域内发挥着重要作用，特别是在那些需要高效、可靠且紧凑设计的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 42ns/230ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
| 描述 | IGBT 600V 31A 100W D2PAK |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 51nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRG4BC30FD-S |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 630µJ （开）， 1.39mJ （关） |
| TestCondition | 480V, 17A, 23 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.8V @ 15V，17A |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRG4BC30FD-S |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 42ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 31A |
| 输入类型 | 标准 |
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