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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4BC20FDPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4BC20FDPBF价格参考。International RectifierIRG4BC20FDPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRG4BC20FDPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG4BC20FDPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRG4BC20FDPBF是由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(超微型功率晶体管)类别,具体为单个MOSFET器件。以下是该型号的应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - IRG4BC20FDPBF适用于各种开关电源设计,如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻和快速开关特性能够提高效率,降低功耗。 - 常用于笔记本电脑适配器、手机充电器和其他消费电子产品的电源模块。 2. 电机驱动 - 该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,提供高效的电流控制和切换功能。 - 在家用电器(如风扇、水泵)或工业自动化设备中也有广泛应用。 3. 逆变器 - 在光伏逆变器或其他类型的逆变器中,IRG4BC20FDPBF可以作为核心开关元件,实现直流到交流的转换。 - 其高频率开关能力有助于减小逆变器的体积和重量。 4. LED驱动 - 用于LED照明系统的恒流或恒压驱动电路中,确保LED的亮度稳定且能耗较低。 - 特别适合需要高效能和高可靠性的商业或工业照明应用。 5. 电池管理系统(BMS) - 在电池保护电路中,该MOSFET可以用作充放电路径的开关,防止过流、短路或过压等问题。 - 广泛应用于锂电池组、电动车电池包等领域。 6. 信号放大与缓冲 - 在一些低功率信号处理场景中,IRG4BC20FDPBF可以用作信号放大或缓冲元件,确保信号完整性。 技术特点支持的应用: - 低导通电阻(Rds(on)):减少传导损耗,提高系统效率。 - 高工作频率:适合高频开关应用,可搭配小型磁性元件以节省空间。 - 良好的热性能:能够在较高温度下稳定运行,适用于紧凑型设计。 综上所述,IRG4BC20FDPBF是一款高性能的MOSFET,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及绿色能源领域中的各种电力转换和控制场景。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 43ns/240ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 64A |
描述 | IGBT 600V 16A 60W TO220ABIGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 27nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRG4BC20FDPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRG4BC20FDPBF |
SwitchingEnergy | 250µJ (开), 640µJ (关) |
TestCondition | 480V, 9A, 50 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V,9A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRG4BC20FDPBF |
功率-最大值 | 60W |
功率耗散 | 60 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 37ns |
商标 | International Rectifier |
在25C的连续集电极电流 | 16 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 16A |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irg4bc20fd.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irg4bc20fd.spi |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2 V |