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  • 型号: IRFZ48ZSPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFZ48ZSPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ48ZSPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ48ZSPBF价格参考。International RectifierIRFZ48ZSPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 61A(Tc) 91W(Tc) D2PAK。您可以下载IRFZ48ZSPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFZ48ZSPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 55V 61A D2PAKMOSFET MOSFT 55V 61A 11mOhm 43nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

61 A

Id-连续漏极电流

61 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFZ48ZSPBFHEXFET®

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产品型号

IRFZ48ZSPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

91 W

Pd-功率耗散

91 W

Qg-GateCharge

43 nC

Qg-栅极电荷

43 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

11 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

11 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1720pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

64nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

11 毫欧 @ 37A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

*IRFZ48ZSPBF

功率-最大值

91W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

61A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfz48z_s_l.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfz48z_s_l.spi

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