ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFZ48NPBF

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号： IRFZ48NPBF
  • 制造商： International Rectifier
  • 库位|库存： xxxx|xxxx
  • 要求：
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRFZ48NPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ48NPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ48NPBF价格参考￥2.58-￥2.70。International RectifierIRFZ48NPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 55V 64A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRFZ48NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFZ48NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。 

Infineon Technologies的IRFZ48NPBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于多种电力电子设备中。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热性能，适用于需要高效、可靠功率管理的场合。

应用场景：

1. 电源管理：
   - IRFZ48NPBF常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器（DC-DC converters）。其低导通电阻有助于减少传导损耗，提高效率。在这些应用中，MOSFET作为开关元件，控制电流的通断，确保稳定的电压输出。
   
2. 电机驱动：
   - 该MOSFET适合用于小型电机驱动电路，如步进电机、无刷直流电机（BLDC）等。它可以快速切换电流方向，提供精确的电机控制，同时保持较低的功耗和发热。

3. 电池管理系统（BMS）：
   - 在电池管理系统中，IRFZ48NPBF可以用于电池充放电保护电路。它能够快速响应过流、短路等异常情况，切断电流路径，保护电池和其他电路元件。

4. 逆变器和变频器：
   - 在逆变器和变频器中，IRFZ48NPBF可用于将直流电转换为交流电，或改变交流电的频率。其高开关速度和低损耗特性使其成为这些应用的理想选择。

5. 汽车电子：
   - 在汽车电子系统中，如电动助力转向（EPS）、车身控制系统等，IRFZ48NPBF可以用于驱动执行器和传感器，提供可靠的电源管理和信号控制。

6. 消费电子：
   - 在消费电子产品中，如笔记本电脑适配器、充电器等，IRFZ48NPBF用于高效的电源管理，确保设备在不同负载条件下都能稳定工作。

总之，IRFZ48NPBF凭借其优异的电气特性和可靠性，适用于各种需要高效功率管理的应用场景，特别是在需要频繁开关操作和低损耗的场合表现尤为出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品
描述

MOSFET N-CH 55V 64A TO-220ABMOSFET MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC
产品分类

FET - 单分离式半导体
FET功能

标准
FET类型

MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent

64 A
Id-连续漏极电流

64 A
品牌

International Rectifier
产品手册

点击此处下载产品Datasheet
产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFZ48NPBFHEXFET®
数据手册

点击此处下载产品Datasheet
产品型号

IRFZ48NPBF
Pd-PowerDissipation

94 W
Pd-功率耗散

94 W
Qg-GateCharge

54 nC
Qg-栅极电荷

54 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance

14 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻

14 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V
Vds-漏源极击穿电压

55 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V
Vgs-栅源极击穿电压

20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)

1970pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

81nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）

14 毫欧 @ 32A，10V
产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet
产品种类

MOSFET
供应商器件封装

TO-220AB
其它名称

*IRFZ48NPBF
功率-最大值

130W
功率耗散

94 W
包装

管件
商标

International Rectifier
安装类型

通孔
安装风格

Through Hole
导通电阻

14 mOhms
封装

Tube
封装/外壳

TO-220-3
封装/箱体

TO-220-3
工厂包装数量

50
晶体管极性

N-Channel
栅极电荷Qg

54 nC
标准包装

50
汲极/源极击穿电压

55 V
漏极连续电流

64 A
漏源极电压(Vdss)

55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）

64A （Tc）
设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfz48n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfz48n.spi
闸/源击穿电压

20 V
推荐商品

型号：IXFN20N120

品牌：IXYS

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：DMP2039UFDE-7

品牌：Diodes Incorporated

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：IRFHM8329TRPBF

品牌：Infineon Technologies

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：STF14NM50N

品牌：STMicroelectronics

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：SI1416EDH-T1-GE3

品牌：Vishay Siliconix

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：STB11NM60FDT4

品牌：STMicroelectronics

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：FDB6030L

品牌：ON Semiconductor

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：DMN53D0LW-7

品牌：Diodes Incorporated

产品名称：分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
最新资讯
IRFZ48NPBF 相关产品

FDS6630A

品牌：ON Semiconductor

价格：￥1.31-￥4.35

联系客服

IRF6665TR1

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系客服

DMN3900UFA-7B

品牌：Diodes Incorporated

价格：

联系客服

SI8425DB-T1-E1

品牌：Vishay Siliconix

价格：

联系客服

ZVN4306ASTOB

品牌：Diodes Incorporated

价格：

联系客服

IXFK64N60P

品牌：IXYS

价格：

联系客服

IXTP10P50P

品牌：IXYS

价格：￥25.54-￥35.98

联系客服

IRFS7530TRLPBF

品牌：Infineon Technologies

价格：￥10.96-￥11.85

联系客服
猜你喜欢 最新产品推荐 其他制造商
IRFH9310TRPBF
ZVN4306AVSTOA
IRLL2703TRPBF
BS270
IXTA12N50P
NTD4858N-35G
NDUL03N150CG
RTR030N05TL
BSS670S2LH6327XTSA1
IRFR1010ZTRRPBF
STP40NF10L
DN3525N8-G
AUIRFR5410TRL
PHT4NQ10LT,135
IXTY5N50P
FDY100PZ
IRFS4510TRLPBF
NTD14N03R-001
IPP070N06N G
FDMS8888
IRF7233TR
RTR020N05TL
STS7NF60L
BUK7Y08-40B/C,115
IPA50R140CPXKSA1
FDD16AN08A0_NF054
SI5499DC-T1-GE3
BUK9Y7R8-80E,115
AOB254L
IRF9540NSTRRPBF
SIR330DP-T1-GE3
AOTF4N60
PSMN2R0-30YL,115
FCPF13N60NT
AOD4185
IRFP460P
IRFR5305TRL
BSS84PH6433XTMA1
IRFZ46NSTRLPBF
IPD60R380C6
SI7386DP-T1-GE3
IXFK32N100P
SPB70N10L
STD2NK90Z-1
IRF1607
BUK9512-55B,127
SUP85N10-10P-GE3
DMP3120L-7
RCJ700N20TL
2SJ681(Q)
International Rectifier

PDF Datasheet 数据手册内容提取

PD - 94991B IRFZ48NPbF HEXFET® Power MOSFET (cid:1) Advanced Process Technology (cid:1) Ultra Low On-Resistance D (cid:1) Dynamic dv/dt Rating VDSS = 55V (cid:1) 175°C Operating Temperature (cid:1) Fast Switching R = 14mΩ DS(on) (cid:1) Fully Avalanche Rated G (cid:1) Lead-Free I = 64A D S Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute TO-220AB to its wide acceptance throughout the industry. Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V 64 D C GS I @ T = 100°C Continuous Drain Current, V @ 10V 45 A D C GS I Pulsed Drain Current (cid:1) 210 DM P @T = 25°C Power Dissipation 130 W D C Linear Derating Factor 0.83 W/°C V Gate-to-Source Voltage ± 20 V GS I Avalanche Current(cid:1) 32 A AR E Repetitive Avalanche Energy(cid:1) 13 mJ AR dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (cid:2) 5.0 V/ns T Operating Junction and -55 to + 175 J TSTG Storage Temperature Range °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 srew 10 lbf•in (1.1N•m) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case ––– 1.15 RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50 ––– °C/W RθJA Junction-to-Ambient ––– 62 www.irf.com 1 (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:1)(cid:3)(cid:5)(cid:1)

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3) Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 55 ––– ––– V VGS = 0V, ID = 250µA ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.058 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– ––– 14 mΩ VGS = 10V, ID = 32A(cid:2)(cid:3) VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V VDS = VGS, ID = 250µA gfs Forward Transconductance 24 ––– ––– S VDS = 25V, ID = 32A(cid:3) IDSS Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 25 µA VDS = 55V, VGS = 0V ––– ––– 250 VDS = 44V, VGS = 0V, TJ = 150°C I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 nA VGS = 20V GSS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 VGS = -20V Qg Total Gate Charge ––– ––– 81 ID = 32A Qgs Gate-to-Source Charge ––– ––– 19 nC VDS = 44V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– ––– 30 VGS = 10V, See Fig. 6 and 13 td(on) Turn-On Delay Time ––– 12 ––– VDD = 28V tr Rise Time ––– 78 ––– ns ID = 32A td(off) Turn-Off Delay Time ––– 34 ––– RG = 0.85Ω tf Fall Time ––– 50 ––– VGS = 10V, See Fig. 10 (cid:3) L Internal Drain Inductance ––– (cid:10)(cid:11)(cid:12) ––– Between lead, D D 6mm (0.25in.) nH from package G L Internal Source Inductance ––– (cid:13)(cid:11)(cid:12) ––– S and center of die contact S Ciss Input Capacitance ––– 1970 ––– VGS = 0V Coss Output Capacitance ––– 470 ––– VDS = 25V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 120 ––– pF ƒ = 1.0MHz, See Fig. 5 E Single Pulse Avalanche Energy(cid:4) ––– 700(cid:4)190(cid:5) mJ I = 32A, L = 0.37mH AS AS Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– 64 MOSFET symbol D (Body Diode) showing the (cid:6) ISM P(Buolsdeyd D Siooduerc)(cid:1)e Current ––– ––– 210 ipn-tne gjuranlc trieovne drsioede. G S VSD Diode Forward Voltage ––– ––– 1.3 V TJ = 25°C, IS = 32A, VGS = 0V (cid:3) trr Reverse Recovery Time ––– 68 100 ns TJ = 25°C, IF = 32A Qrr Reverse Recovery Charge ––– 220 330 nC di/dt = 100A/µs (cid:3) ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:1)(cid:7)Repetitive rating; pulse width limited by (cid:2)ISD ≤(cid:7)32A(cid:8)(cid:7)di/d(cid:9)(cid:7)≤(cid:7)220A/µs, VDD(cid:1)≤(cid:7)V(BR)DSS, max. junction temperature. ( See fig. 11 ) T ≤ 175°C J (cid:4) Starting T = 25°C, L = 0.37mH (cid:3) Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%. R = 25Ω,J I = 32A. (See Figure 12) (cid:5) This is the destructive value not limited to the thermal limit. G AS (cid:6) This is the thermal limited value. 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3) 1000 1000 VGS VGS TOP 15V TOP 15V 10V 10V A) 87..00VV A) 87..00VV nt ( 65..05VV nt ( 65..05VV e 5.0V e 5.0V Curr 100 BOTTOM4.5V Curr 100 BOTTOM4.5V e e c c ur ur o o S S o- o- n-t n-t 4.5V ai 10 ai 10 Dr Dr I , D 4.5V I , D 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH TJ = 25°C TJ = 175°C 1 1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VD S , Drain-to-Source Voltage (V) V D S , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 2.5 ID=64A e c A) an nt ( TJ = 25 ° C sist 2.0 e e Source Curr 100 TJ = 175 ° C Source On Rmalized) 1.5 Drain-to- 10 Drain-to-(Nor 1.0 I , D V20 D µ Ss =P U25LVSE WIDTH R , DS(on) 0.5 VGS=10V 1 0.0 4 6 8 10 12 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 VG S , Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature ( ° C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3) 3500 20 VGS=0V, f = 1MHz ID=32A Ciss =Cgs + Cgd , Cd s SHORTED VDS= 44V 3000 Crss =Cgd V) VDS= 27V Coss=Cds + Cgd e ( 16 VDS= 11V g pF) 2500 olta nce ( 2000 Ciss ce V 12 acita Sour Cap 1500 e-to- 8 C, 1000 Gat 500 Coss V , GS 4 Crss FOR TEST CIRCUIT SEE FIGURE 1 3 0 0 1 10 100 0 20 40 60 80 V D S , Drain-to-Source Voltage (V) Q G , Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 1000 1000 OPERATION IN THIS AREA A) ent ( 100 A) LIMITED BY RDS(on) urr TJ = 175 ° C n(t 100 C e n urr Drai 10 Cec 100µsec e ur 10 I , ReversSD 1 TJ = 25 ° C DSanoor-- t,iD 1 Tc = 25°C 110mmsseecc I Tj = 175°C V G S = 0 V Single Pulse 0.1 0.1 0.2 0.7 1.2 1.7 2.2 1 10 100 V ,Source-to-Drain Voltage (V) SD VDS , Drain-toSource Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3) 70 (cid:15) (cid:2) (cid:14) (cid:2)(cid:3) 60 (cid:14) (cid:21)(cid:3) (cid:16)(cid:11)(cid:17)(cid:11)(cid:18)(cid:11) nt (A) 50 (cid:15)(cid:21) +-(cid:14)(cid:2)(cid:2) e urr 40 (cid:14)(cid:21)(cid:3) C ain 30 (cid:4)(cid:2)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:12)(cid:7)(cid:15)(cid:8)(cid:1)(cid:16)(cid:1)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:10)(cid:12)(cid:11)(cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:13)(cid:1)(cid:1)≤≤ 01. 1(cid:14) %(cid:7) Dr I , D 20 (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:1)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:5)(cid:1)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:5) 10 VDS 90% 0 25 50 75 100 125 150 175 T , Case Temperature ( ° C) C 10% Fig 9. Maximum Drain Current Vs. VGS Case Temperature td(on) tr td(off) tf (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:9)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:21)(cid:15)(cid:11)(cid:13) 10 ) Z thJC ( 1 se D = 0.50 n o p s 0.20 e R al 0.10 PDM m 0.1 0.05 t1 er 0.02 SINGLE PULSE Th 0.01 (THERMAL RESPONSE) t2 Notes: 1. Duty factor D = t 1 / t2 2. Peak TJ=PDMx ZthJC+ TC 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3) 360 15V J) ID m TOP 13A ( gy 300 23A r BOTTOM 32A VDS L DRIVER ne E e 240 h c RG D.U.T + n IAS - VDDA vala 180 20V A tp 0.01Ω e s (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:25)(cid:8)(cid:6)(cid:26)(cid:18)(cid:11)(cid:27)(cid:12)(cid:28)(cid:1)(cid:29)(cid:8)(cid:28)(cid:16)(cid:6)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:12)(cid:1)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:5)(cid:1)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:5) Pul 120 e gl n tp V(BR)DSS E , SiAS 60 0 25 50 75 100 125 150 175 Starting T , Junction Temperature ( ° C) J (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:30)(cid:18)(cid:31)(cid:4)(cid:11)(cid:16)(cid:11)(cid:1) (cid:19)(cid:18)(cid:26)(cid:18)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:12)(cid:1)!(cid:8)(cid:12)(cid:15)(cid:9)" (cid:22)(cid:13)#(cid:1)$(cid:15)(cid:18)(cid:4)(cid:8)(cid:1)(cid:14)(cid:16)(cid:15)(cid:15)(cid:12)(cid:8)(cid:5) IAS (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:11)(cid:9)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:25)(cid:8)(cid:6)(cid:26)(cid:18)(cid:11)(cid:27)(cid:12)(cid:28)(cid:1)(cid:29)(cid:8)(cid:28)(cid:16)(cid:6)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:12)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:21)(cid:15)(cid:11)(cid:13) Current Regulator Same Type as D.U.T. 50KΩ 12V .2µF QG .3µF (cid:22) + (cid:1)(cid:2) D.U.T. -VDS Q Q GS GD VGS V G 3mA IG ID Charge Current Sampling Resistors (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:10)(cid:7)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:24)(cid:18)(cid:13)(cid:4)(cid:6)(cid:1)(cid:23)(cid:18)(cid:5)(cid:12)(cid:1)(cid:14)(cid:7)(cid:18)(cid:15)(cid:9)(cid:12)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:21)(cid:15)(cid:11) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:10)(cid:9)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:23)(cid:18)(cid:5)(cid:12)(cid:1)(cid:14)(cid:7)(cid:18)(cid:15)(cid:9)(cid:12)(cid:1)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:5)(cid:1)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:5) 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:8)(cid:12)(cid:2)(cid:13)(cid:14)(cid:5)(cid:9)(cid:12)(cid:15)(cid:9)(cid:16)(cid:5)(cid:17)(cid:2)(cid:18)(cid:16)(cid:5)(cid:19)(cid:7)(cid:13)(cid:11)(cid:20)(cid:7)(cid:16) + %#(cid:24)(cid:21)(cid:30)#(cid:9)(cid:7)& (cid:28)(cid:22)(cid:30)(cid:9)(cid:7)%(cid:22)(cid:23)$#(cid:19)(cid:26)(cid:24) (cid:9)#(cid:22)(cid:23)$ (cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10)% • (cid:7)&(cid:22)’(cid:7)((cid:9)(cid:24) (cid:28)(cid:7)(cid:29)(cid:23)(cid:19)(cid:30)(cid:21)(cid:9) (cid:23)(cid:21)(cid:26) (cid:7)(cid:7) • )(cid:24)(cid:22)(cid:30)(cid:23)(cid:19)(cid:7)*(cid:25) (cid:23)(cid:26) (cid:2) (cid:7)(cid:7) • &(cid:22)’(cid:7)&(cid:26) + ,(cid:26)(cid:7)(cid:29)(cid:23)(cid:19)(cid:30)(cid:21)(cid:9) (cid:23)(cid:21)(cid:26) (cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)%(cid:30)(cid:24)(cid:24)(cid:26)(cid:23)(cid:9)(cid:7)(cid:18)(cid:24) (cid:23)$-(cid:22)(cid:24).(cid:26)(cid:24) - + (cid:4) (cid:3) - + - (cid:1) (cid:15)(cid:21) • (cid:19)(cid:20)(cid:3)(cid:19)(cid:9)(cid:7)(cid:21)(cid:22)(cid:23)(cid:9)(cid:24)(cid:22)(cid:25)(cid:25)(cid:26)(cid:19)(cid:7)(cid:27)(cid:28)(cid:7)(cid:15)(cid:21) + • (cid:29) (cid:7)(cid:21)(cid:22)(cid:23)(cid:9)(cid:24)(cid:22)(cid:25)(cid:25)(cid:26)(cid:19)(cid:7)(cid:27)(cid:28)(cid:7)(cid:16)(cid:30)(cid:9)(cid:28)(cid:7)(cid:31) (cid:21)(cid:9)(cid:22)(cid:24)(cid:7)!(cid:16)! (cid:14) • (cid:16)(cid:3)(cid:11)(cid:2)(cid:17)(cid:11)(cid:18)(cid:11)(cid:7)"(cid:7)(cid:16)(cid:26)(cid:20)#(cid:21)(cid:26)(cid:7)(cid:17)(cid:23)(cid:19)(cid:26)(cid:24)(cid:7)(cid:18)(cid:26)$(cid:9) - (cid:2)(cid:2) (cid:14) (cid:21)(cid:3) %(cid:7)(cid:7)(cid:15)(cid:26)(cid:20)(cid:26)(cid:24)$(cid:26)(cid:7)*(cid:22)(cid:25) (cid:24)#(cid:9)(cid:28)(cid:7)(cid:22)-(cid:7)(cid:16)(cid:11)(cid:17)(cid:11)(cid:18)(cid:7)-(cid:22)(cid:24)(cid:7)*"%/ (cid:23)(cid:23)(cid:26)(cid:25) Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4) V =10V GS D.U.T. I Waveform SD Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. V Waveform DS Diode Recovery dv/dt (cid:1)(cid:2)V(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3) DD Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent &(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)’ Ripple ≤ 5% ISD %%%(cid:7)(cid:14) (cid:7)0(cid:7)(cid:12)(cid:11)(cid:1)(cid:14)(cid:7)-(cid:22)(cid:24)(cid:7)&(cid:22),#(cid:21)(cid:7)&(cid:26)(cid:20)(cid:26)(cid:25)(cid:7) (cid:23)(cid:19)(cid:7)(cid:4)(cid:14)(cid:7)(cid:16)(cid:24)#(cid:20)(cid:26)(cid:7)(cid:16)(cid:26)(cid:20)#(cid:21)(cid:26)$ (cid:21)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:13)(cid:8)(cid:4)For N-channel(cid:1)HEXFET® power MOSFETs www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:8)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:14)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:4)(cid:3)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:15)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:1)(cid:3)(cid:6)(cid:16)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:17)(cid:17) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:20)(cid:16)(cid:8)(cid:21)(cid:10)(cid:20)(cid:12)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:8)(cid:22)(cid:19)(cid:23)(cid:24)(cid:20)(cid:25)(cid:10)(cid:16)(cid:18)(cid:24)(cid:19) EXAMPLE: THIS IS AN IRF1010 LOT CODE 1789 INTERNATIONAL PART NUMBER ASSEMBLED ON WW 19, 2000 RECTIFIER IN THE ASSEMBLY LINE "C" LOGO DATE CODE Note: "P" in assembly line position ASSEMBLY YEAR 0 = 2000 indicates "Lead - Free" LOT CODE WEEK 19 LINE C Notes: 1.For an Automotive Qualified version of this part please seehttp://www.irf.com/product-info/auto/ 2.For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Industrial market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information.09/2010 8 www.irf.com

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRFZ48NPBF