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  • 型号: IRFZ46NPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFZ46NPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ46NPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ46NPBF价格参考¥2.62-¥2.85。International RectifierIRFZ46NPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 55V 53A(Tc) 107W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFZ46NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFZ46NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFZ46NPBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。以下是该型号的主要应用场景:

1. 开关电源(SMPS):IRFZ46NPBF因其低导通电阻和高击穿电压特性,适合用于开关电源中的功率开关器件,能够高效地实现电压转换。

2. 电机驱动:在直流电机或步进电机驱动电路中,该MOSFET可以用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。

3. 逆变器:用于太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,作为功率转换的核心元件,将直流电转换为交流电。

4. 负载切换:在需要频繁切换负载的电路中,如汽车电子系统或工业控制系统,IRFZ46NPBF可以快速、可靠地进行负载切换。

5. 电池管理系统(BMS):在电池保护和管理电路中,该MOSFET可用于过流保护、短路保护以及电池充放电控制。

6. 音频功率放大器:在某些高功率音频放大器中,IRFZ46NPBF可用作输出级的开关元件,提供高效的功率输出。

7. LED驱动器:在高功率LED照明应用中,该MOSFET可用于调节电流,确保LED的亮度稳定和使用寿命延长。

8. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,IRFZ46NPBF可用于电池充电和放电控制,以及逆变输出的功率转换。

这些应用场景充分利用了IRFZ46NPBF的高耐压能力(55V)、低导通电阻(典型值为0.065Ω)以及良好的开关性能,使其成为许多电力电子设计的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 55V 53A TO-220ABMOSFET MOSFT 55V 46A 16.5mOhm 48nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

46 A

Id-连续漏极电流

46 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFZ46NPBFHEXFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRFZ46NPBF

Pd-PowerDissipation

88 W

Pd-功率耗散

88 W

Qg-GateCharge

48 nC

Qg-栅极电荷

48 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

16.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

16.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1696pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

72nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

16.5 毫欧 @ 28A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRFZ46NPBF

功率-最大值

107W

功率耗散

88 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

16.5 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

48 nC

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

55 V

漏极连续电流

46 A

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

53A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfz46n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfz46n.spi

闸/源击穿电压

20 V

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