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IRFZ46NLPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ46NLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ46NLPBF价格参考。International RectifierIRFZ46NLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 55V 53A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) TO-262。您可以下载IRFZ46NLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFZ46NLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 55V 53A TO-262MOSFET MOSFT 55V 53A 16.5mOhm 48nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 53 A |
Id-连续漏极电流 | 53 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFZ46NLPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFZ46NLPBF |
Pd-PowerDissipation | 120 W |
Pd-功率耗散 | 120 W |
Qg-GateCharge | 48 nC |
Qg-栅极电荷 | 48 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 16.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 16.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1696pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 72nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 16.5 毫欧 @ 28A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-262 |
其它名称 | *IRFZ46NLPBF |
功率-最大值 | 3.8W |
功率耗散 | 120 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 16.5 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
封装/箱体 | I2PAK-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 48 nC |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 55 V |
漏极连续电流 | 53 A |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 53A (Tc) |
闸/源击穿电压 | 20 V |