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Datasheet下载- 型号： IRFZ34NSTRRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ34NSTRRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ34NSTRRPBF价格参考。International RectifierIRFZ34NSTRRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK。您可以下载IRFZ34NSTRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFZ34NSTRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFZ34NSTRRPBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET常用于开关电源中的高频开关元件，帮助实现高效的电压转换和稳压功能。它能够快速切换导通和截止状态，减少开关损耗，提高电源效率。 2. 电机驱动：在电机控制系统中，IRFZ34NSTRRPBF可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机等。它可以承受较大的电流，并且具有低导通电阻，有助于降低发热，延长使用寿命。 3. 电池管理系统（BMS）：在电池管理系统中，这款MOSFET可以作为充放电控制的关键组件。它能够精确控制电流流动，防止过充或过放，保护电池安全。 4. 逆变器和变频器：IRFZ34NSTRRPBF适用于逆变器和变频器电路，用于将直流电转换为交流电或改变交流电的频率。它的高开关速度和低损耗特性使得这些设备更加高效可靠。 5. 负载开关：在需要频繁切换负载的应用中，如LED照明系统、消费电子产品等，该MOSFET可以用作负载开关，快速响应负载变化，确保系统的稳定性和安全性。 6. 不间断电源（UPS）：在UPS系统中，IRFZ34NSTRRPBF可以用于电池充电电路和逆变电路，提供稳定的电力输出，保障关键设备的持续运行。 7. 汽车电子：在汽车电子领域，这款MOSFET可用于车身控制模块（BCM）、电动助力转向（EPS）、空调系统等，满足车载环境对可靠性和耐用性的要求。 总之，IRFZ34NSTRRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，在多个行业和应用领域中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 700 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 29A D2PAKMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 22.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 29 A |
| Id-连续漏极电流 | 29 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFZ34NSTRRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFZ34NSTRRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 68 W |
| Pd-功率耗散 | 68 W |
| Qg-GateCharge | 22.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 49 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 正向跨导-最小值 | 6.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 29A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfz34ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfz34ns.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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