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IRFU9120PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU9120PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU9120PBF价格参考。VishayIRFU9120PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 100V 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA。您可以下载IRFU9120PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU9120PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAKMOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6.6 A |
Id-连续漏极电流 | 6.6 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFU9120PBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFU9120PBFIRFU9120PBF |
Pd-PowerDissipation | 40 W |
Pd-功率耗散 | 40 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 480 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 480 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 47 ns |
下降时间 | 31 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 390pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 600 毫欧 @ 3.4A,10V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-251AA |
其它名称 | *IRFU9120PBF |
典型关闭延迟时间 | 28 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
功率耗散 | 40 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 480 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
封装/箱体 | IPAK-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 75 |
汲极/源极击穿电压 | - 100 V |
漏极连续电流 | 6.6 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.6A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |