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  • 型号: IRFU5410PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRFU5410PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU5410PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU5410PBF价格参考。International RectifierIRFU5410PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 100V 13A(Tc) 66W(Tc) IPAK(TO-251)。您可以下载IRFU5410PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU5410PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 100V 13A I-PAKMOSFET MOSFT P-Ch -100V -13A 205mOhm 38.7nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 13 A

Id-连续漏极电流

- 13 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFU5410PBFHEXFET®

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产品型号

IRFU5410PBF

Pd-PowerDissipation

66 W

Pd-功率耗散

66 W

Qg-GateCharge

38.7 nC

Qg-栅极电荷

38.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

205 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

205 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 100 V

Vds-漏源极击穿电压

- 100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

760pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

58nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

205 毫欧 @ 7.8A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

其它名称

*IRFU5410PBF

功率-最大值

66W

功率耗散

66 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

205 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

75

晶体管极性

P-Channel

栅极电荷Qg

38.7 nC

标准包装

75

汲极/源极击穿电压

- 100 V

漏极连续电流

- 13 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13A (Tc)

闸/源击穿电压

20 V

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