【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRFU5305PBF】封装/厂家_IRFU5305PBF中文资料_价格

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型号： IRFU5305PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRFU5305PBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU5305PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU5305PBF价格参考￥2.27-￥5.07。International RectifierIRFU5305PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 P 沟道 55V 31A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）。您可以下载IRFU5305PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFU5305PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 55V 31A I-PAKMOSFET MOSFT P-Ch -55V -28A 65mOhm 42nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	- 31 A
Id-连续漏极电流	- 31 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFU5305PBFHEXFET®
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产品型号	IRFU5305PBF
Pd-PowerDissipation	110 W
Pd-功率耗散	110 W
Qg-GateCharge	42 nC
Qg-栅极电荷	42 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	65 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	65 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 55 V
Vds-漏源极击穿电压	- 55 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	- 4 V
Vgsth-栅源极阈值电压	- 4 V
上升时间	66 ns
下降时间	63 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1200pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	63nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	65 毫欧 @ 16A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
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产品种类	MOSFET
供应商器件封装	I-Pak
其它名称	*IRFU5305PBF
典型关闭延迟时间	39 ns
功率-最大值	110W
功率耗散	110 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	65 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
封装/箱体	IPAK-3
工厂包装数量	75
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	42 nC
标准包装	75
正向跨导-最小值	8 S
汲极/源极击穿电压	- 55 V
漏极连续电流	- 31 A
漏源极电压(Vdss)	55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	31A （Tc）
配置	Single
闸/源击穿电压	20 V