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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU420APBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU420APBF价格参考。VishayIRFU420APBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFU420APBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU420APBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFU420APBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,其典型应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS): IRFU420APBF适用于开关模式电源中的高频开关应用。其低栅极电荷和快速开关特性使其成为硬开关和软开关拓扑的理想选择,例如反激式、正激式或推挽式转换器。 2. 直流-直流转换器: 在降压或升压DC-DC转换器中,该MOSFET可用作主开关或同步整流器件。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高效率。 3. 电机驱动: 该型号适合用于中小功率电机驱动电路,如步进电机、无刷直流电机(BLDC)或有刷直流电机的控制。它能够承受较高的电压(额定击穿电压为500V),适应感性负载的高浪涌电压。 4. 逆变器: 在小型太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,IRFU420APBF可用于将直流电转换为交流电。其耐高压特性和良好的热性能确保在高频工作条件下的稳定性。 5. 负载切换与保护: 该MOSFET可以用作负载开关,在系统启动、关闭或故障时实现快速切断电流的功能。此外,它还适合用作过流保护或短路保护电路的一部分。 6. 音频功放电路: 在D类音频放大器中,IRFU420APBF可以作为输出级开关器件,提供高效的音频信号放大功能。 7. 脉宽调制(PWM)控制器: 它广泛应用于各种PWM控制电路中,例如LED驱动器、加热元件控制器或风扇速度调节器。 总结来说,IRFU420APBF凭借其高耐压、低导通电阻以及优异的开关性能,非常适合需要高效能量转换和可靠开关操作的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 3.3A I-PAKMOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.3 A |
Id-连续漏极电流 | 3.3 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?91274 |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFU420APBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFU420APBFIRFU420APBF |
Pd-PowerDissipation | 83 W |
Pd-功率耗散 | 83 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 30 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 13 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 340pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 欧姆 @ 1.5A,10V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | Single-Gate MOSFET Transistors |
供应商器件封装 | TO-251AA |
其它名称 | *IRFU420APBF |
典型关闭延迟时间 | 16 ns |
功率-最大值 | 83W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
封装/箱体 | IPAK-3 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.3A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |