PD - 95374B IRFR4105ZPbF IRFU4105ZPbF Features HEXFET® Power MOSFET (cid:0) Advanced Process Technology D (cid:0) Ultra Low On-Resistance V = 55V DSS (cid:0) 175°C Operating Temperature (cid:0) Fast Switching R = 24.5mΩ (cid:0) Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax DS(on) G (cid:0) Lead-Free I = 30A D Description S This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of D-Pak I-Pak applications. IRFR4105ZPbF IRFU4105ZPbF Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 30 ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 21 A IDM Pulsed Drain Current (cid:0) 120 PD @TC = 25°C Power Dissipation 48 W Linear Derating Factor 0.32 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V EAS (Thermally limited) Single Pulse Avalanche Energy(cid:1) 29 mJ EAS (Tested ) Single Pulse Avalanche Energy Tested Value (cid:2) 46 IAR Avalanche Current(cid:3)(cid:0) See Fig.12a, 12b, 15, 16 A EAR Repetitive Avalanche Energy (cid:4) mJ TJ Operating Junction and -55 to + 175 TSTG Storage Temperature Range °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting Torque, 6-32 or M3 screw 10 lbf(cid:6)in (1.1N(cid:6)m) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case ––– 3.12 RθJA Junction-to-Ambient (PCB mount) (cid:5) ––– 40 °C/W RθJA Junction-to-Ambient ––– 110 HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier. www.irf.com 1 (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:3)(cid:6)(cid:1)

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 55 ––– ––– V VGS = 0V, ID = 250µA ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.053 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 19 24.5 mΩ VGS = 10V, ID = 18A (cid:2) VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V VDS = VGS, ID = 250µA gfs Forward Transconductance 16 ––– ––– S V = 15V, I = 18A DS D IDSS Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 20 µA VDS = 55V, VGS = 0V ––– ––– 250 V = 55V, V = 0V, T = 125°C DS GS J IGSS Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 200 nA VGS = 20V Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -200 V = -20V GS Qg Total Gate Charge ––– 18 27 ID = 18A Qgs Gate-to-Source Charge ––– 5.3 ––– nC VDS = 44V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 7.0 ––– VGS = 10V (cid:2) td(on) Turn-On Delay Time ––– 10 ––– VDD = 28V tr Rise Time ––– 40 ––– ID = 18A td(off) Turn-Off Delay Time ––– 26 ––– ns RG = 24.5 Ω tf Fall Time ––– 24 ––– VGS = 10V (cid:2) LD Internal Drain Inductance ––– 4.5 ––– Between lead, D nH 6mm (0.25in.) LS Internal Source Inductance ––– 7.5 ––– from package G and center of die contact S Ciss Input Capacitance ––– 740 ––– VGS = 0V Coss Output Capacitance ––– 140 ––– VDS = 25V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 74 ––– pF ƒ = 1.0MHz Coss Output Capacitance ––– 450 ––– VGS = 0V, VDS = 1.0V, ƒ = 1.0MHz Coss Output Capacitance ––– 110 ––– VGS = 0V, VDS = 44V, ƒ = 1.0MHz Coss eff. Effective Output Capacitance ––– 180 ––– VGS = 0V, VDS = 0V to 44V (cid:3) Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– 30 MOSFET symbol (Body Diode) A showing the ISM Pulsed Source Current ––– ––– 120 integral reverse (Body Diode)(cid:0)(cid:1) p-n junction diode. VSD Diode Forward Voltage ––– ––– 1.3 V TJ = 25°C, IS = 18A, VGS = 0V (cid:2) trr Reverse Recovery Time ––– 19 29 ns TJ = 25°C, IF = 18A, VDD = 28V Qrr Reverse Recovery Charge ––– 14 21 nC di/dt = 100A/µs (cid:2) ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) 1000 (cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:2) 1000 (cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:2) (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:7)(cid:8)(cid:9) (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:7)(cid:8)(cid:9) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:7)(cid:10)(cid:9) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:7)(cid:10)(cid:9) A) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:11)(cid:12)(cid:10)(cid:9) A) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:11)(cid:12)(cid:10)(cid:9) n(t 100 (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:12)(cid:12)(cid:10)(cid:10)(cid:9)(cid:9) n(t (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:12)(cid:12)(cid:10)(cid:10)(cid:9)(cid:9) uerr (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:8)(cid:8)(cid:12)(cid:12)(cid:8)(cid:10)(cid:9)(cid:9) uerr 100 (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:8)(cid:8)(cid:12)(cid:12)(cid:8)(cid:10)(cid:9)(cid:9) Ce (cid:15)(cid:5)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:16)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:17)(cid:12)(cid:8)(cid:9) Ce (cid:15)(cid:5)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:16)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:17)(cid:12)(cid:8)(cid:9) c c ur 10 ur o o S S o- o- n-t n-t 10 ai ai Dr 1 Dr 4.5V ,D 4.5V ,D I 60µs PULSE WIDTH I 60µs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 175°C 0.1 1 00.1 11 1100 110000 00.1 11 1100 110000 V , Drain-to-Source Voltage (V) V , Drain-to-Source Voltage (V) DS DS Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 30 TJ = 175°C Α() Se() 25 nt 100 nc e a Curr TJ = 175°C duct 20 ouecr 10 onnsc 15 TJ = 25°C S a o- Tr Danr- tI,iD 1 TJ = 25°C VDS = 25V wFsoad, rr 105 60µs PULSE WIDTH Gf VDS = 8.0V 380µs PULSE WIDTH 0 0 4 5 6 7 8 9 10 0 10 20 30 40 V , Gate-to-Source Voltage (V) GS ID, Drain-to-Source Current (A) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Typical Forward Transconductance Vs. Drain Current www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) 1200 20 VGS = 0V, f = 1 MHZ I = 18A D C = C + C , C SHORTED iss gs gd ds Fep() 1080000 CCrossss C== iCCssdgsd + Cgd VVageoe() t l 1126 VVVDDDSSS=== 214814VVV anccti 600 Soucr pa o- 8 Ca e-t C, 400 Gat Coss ,GS 4 200 V FOR TEST CIRCUIT Crss SEE FIGURE 13 0 0 0 5 10 15 20 25 30 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) QG Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 1000.0 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R (on) DS A) A) nt ( 100.0 n(t 100 e e urr urr Cn TJ = 175°C Ce Dari 10.0 oucr 10 eevsr Sno--t 100µsec ReI, SD 1.0 TJ = 25°C Dar , IiD 1 Tc = 25°C 1msec VGS = 0V Tj = 175°C 10msec Single Pulse 0.1 0.1 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 1 10 100 1000 VSD, Source-toDrain Voltage (V) VDS , Drain-toSource Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) 30 2.5 ec ID = 18A n 25 ast VGS = 10V si Re 2.0 A) n CDnuenarr(r t , IiD 1125050 ODSanoouecr--rt, iRDSon() mNoaedz)(r li 11..05 0 0.5 25 50 75 100 125 150 175 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 TJ , Junction Temperature (°C) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 9. Maximum Drain Current Vs. Fig 10. Normalized On-Resistance Case Temperature Vs. Temperature 10 )C 1 D = 0.50 J h 0.20 t Z 0.10 es( 0.05 mRaepons l 0.1 00..0021 τJτJτ1τ1 R1R1 τ2τR22R2 Rτ33Rτ33 τCτR11i (..16°C0001/W ) 00τ..i 00(00se00c15)7542 er 0.01 Ci= τi/Ri 0.418 0.007193 h SINGLE PULSE Ci i/Ri T ( THERMAL RESPONSE ) Notes: 1. Duty Factor D = t1/t2 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) 120 15V mJ) ID y( 100 TOP 2.0A g 3.5A VDS L DRIVER ner BOTTOM 18A E e 80 h c RG D.U.T +- VDD aanl IAS A v 60 A 2V0GVS tp 0.01Ω es ul P 40 Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit ge l n V(BR)DSS Si 20 tp AS , E 0 25 50 75 100 125 150 175 Starting TJ, Junction Temperature (°C) IAS Fig 12c. Maximum Avalanche Energy Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms Vs. Drain Current Q G (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4) Q Q GS GD 4.5 V V) G e( 4.0 g a otl V Charge od l 3.5 Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform hs her ID = 250µA SaCmuerreTnytpeReagsulDat.oUr.T. ea tt 3.0 G 50KΩ h) 12V .2µF S(t 2.5 .3µF G V + D.U.T. -VDS 2.0 VGS -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 3mA TJ , Temperature ( °C ) IG ID CurrentSamplingResistors Fig 13b. Gate Charge Test Circuit Fig 14. Threshold Voltage Vs. Temperature 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) 100 Duty Cycle = Single Pulse Allowed avalanche Current vs A) en(t 10 0.01 aavsasulamncinhge ∆pTuj l=se 2w5id°Cth , dueta vto Curr 0.05 acavasela nschhoeu ldlo sTsje sb.e Naolltoew: eInd ntoo he 0.10 exceed Tjmax c n a al 1 v A 0.1 1.0E-06 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 tav (sec) Fig 15. Typical Avalanche Current Vs.Pulsewidth 30 Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 15, 16: TOP Single Pulse (For further info, see AN-1005 at www.irf.com) BOTTOM 1% Duty Cycle 1. Avalanche failures assumption: J) 25 ID = 18A Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a m temperature far in excess of Tjmax. This is validated for y( every part type. egr 20 2. Safe operation in Avalanche is allowed as long asTjmax is n not exceeded. E e 3. Equation below based on circuit and waveforms shown in h 15 c Figures 12a, 12b. n a 4. P = Average power dissipation per single al D (ave) Av 10 avalanche pulse. ,R 5 . BvoVlt a=g Rea intecdre barseea kdduoriwnng vaovlatalagnec h(1e.)3. factor accounts for A E 5 6. Iav = Allowable avalanche current. 7. ∆T = Allowable rise in junction temperature, not to exceed T (assumed as 25°C in Figure 15, 16). jmax 0 t Average time in avalanche. av = 25 50 75 100 125 150 175 D = Duty cycle in avalanche = t ·f av Z (D, t ) = Transient thermal resistance, see figure 11) Starting TJ , Junction Temperature (°C) thJC av P = 1/2 ( 1.3·BV·I ) =(cid:1)(cid:1)T/ Z D (ave) av thJC Fig 16. Maximum Avalanche Energy I =2(cid:1)T/ [1.3·BV·Z ] av th Vs. Temperature E = P ·t AS (AR) D (ave) av www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) Driver Gate Drive (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5) P.W. Period D = + P.W. Period (cid:24) (cid:1) (cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:22)(cid:19)(cid:23)(cid:3)(cid:24)(cid:25)(cid:26)(cid:27)(cid:22)(cid:23)(cid:3)(cid:18)(cid:27)(cid:28)(cid:29)(cid:19)(cid:30)(cid:31)(cid:20)(cid:25)(cid:23)(cid:19)(cid:27)(cid:28)(cid:29) VGS=10V • (cid:3)(cid:24)(cid:27) (cid:3)(cid:2)(cid:23)(cid:20)(cid:25)(cid:26)(cid:3)!(cid:28)(cid:30)(cid:22)(cid:21)(cid:23)(cid:25)(cid:28)(cid:21)(cid:31) (cid:3)(cid:3) • (cid:1)(cid:20)(cid:27)(cid:22)(cid:28)(cid:30)(cid:3)(cid:6)"(cid:25)(cid:28)(cid:31) - (cid:3)(cid:3) • (cid:24)(cid:27) (cid:3)(cid:24)(cid:31)(cid:25)#(cid:25)$(cid:31)(cid:3)!(cid:28)(cid:30)(cid:22)(cid:21)(cid:23)(cid:25)(cid:28)(cid:21)(cid:31) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:18)(cid:22)(cid:20)(cid:20)(cid:31)(cid:28)(cid:23)(cid:3)(cid:4)(cid:20)(cid:25)(cid:28)(cid:29)%(cid:27)(cid:20)&(cid:31)(cid:20) D.U.T. ISDWaveform + (cid:3) Reverse (cid:2) Recovery Body Diode Forward - - + Current Currentdi/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:4) dv/dt VDD (cid:8) (cid:23)(cid:1) • (cid:30)()(cid:30)(cid:23)(cid:3)(cid:21)(cid:27)(cid:28)(cid:23)(cid:20)(cid:27)""(cid:31)(cid:30)(cid:3)*(cid:26)(cid:3)+(cid:1) ’’ Re-Applied • ’(cid:20)(cid:19)((cid:31)(cid:20)(cid:3)(cid:29)(cid:25)&(cid:31)(cid:3)(cid:23)(cid:26),(cid:31)(cid:3)(cid:25)(cid:29)(cid:3)’(cid:12)-(cid:12)(cid:4)(cid:12) + Voltage Body Diode Forward Drop • !(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:21)(cid:27)(cid:28)(cid:23)(cid:20)(cid:27)""(cid:31)(cid:30)(cid:3)*(cid:26)(cid:3)’(cid:22)(cid:23)(cid:26)(cid:3).(cid:25)(cid:21)(cid:23)(cid:27)(cid:20)(cid:3)/’/ - Inductor Curent • ’(cid:12)-(cid:12)(cid:4)(cid:12)(cid:3)0(cid:3)’(cid:31)((cid:19)(cid:21)(cid:31)(cid:3)-(cid:28)(cid:30)(cid:31)(cid:20)(cid:3)(cid:4)(cid:31)(cid:29)(cid:23) Ripple ≤ 5% ISD (cid:24)(cid:7)(cid:8) (cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:8)(cid:7)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:14)(cid:12)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:7)(cid:14)(cid:18)(cid:19)(cid:18)(cid:20)(cid:7)(cid:21)(cid:18)(cid:19)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:22) (cid:1)(cid:2) Fig 17. (cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:3)(cid:13)(cid:6)(cid:14)(cid:11)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:17)(cid:3)(cid:12)(cid:15)(cid:18)(cid:12)(cid:19)(cid:3)(cid:20)(cid:6)(cid:21)(cid:19)(cid:3)(cid:22)(cid:10)(cid:16)(cid:14)(cid:23)(cid:10)(cid:19)(cid:3)for N-Channel HEXFET(cid:1)(cid:3)Power MOSFETs (cid:23) ’ (cid:8) ’(cid:2) (cid:8) (cid:1)(cid:2) (cid:21)(cid:24)(cid:25)(cid:24)(cid:26)(cid:24) (cid:23) (cid:1) +(cid:8) - ’’ (cid:6)(cid:1)(cid:8) (cid:6)(cid:22)"(cid:29)(cid:31)(cid:3)1(cid:19)(cid:30)(cid:23)2(cid:3)≤ 1 3(cid:29) ’(cid:22)(cid:23)(cid:26)(cid:3).(cid:25)(cid:21)(cid:23)(cid:27)(cid:20)(cid:3)≤ 0.1 % Fig 18a. Switching Time Test Circuit VDS 90% 10% VGS td(on) tr td(off) tf Fig 18b. Switching Time Waveforms 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:24)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:27)(cid:17)(cid:18)(cid:25) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:5)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:17) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:14)(cid:5)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) EXAMPLE: THIS IS AN IRFR120 PART NUMBER WITH ASSEMBLY INTERNATIONAL LOT CODE 1234 RECTIFIER IRFR120 DATE CODE ASSEMBLED ON WW 16, 2001 LOGO 116A YEAR 1 = 2001 IN THE ASSEMBLY LINE "A" 12 34 WEEK 16 LINE A Note: "P" in assembly line position ASSEMBLY indicates "Lead-Free" LOT CODE "P" in assembly line position indicates "Lead-Free" qualification to the consumer-level PART NUMBER OR INTERNATIONAL DATE CODE RECTIFIER IRFR120 P = DESIGNATES LEAD-FREE LOGO PRODUCT (OPTIONAL) 12 34 P = DESIGNATES LEAD-FREE ASSEMBLY PRODUCT QUALIFIED TO THE CONSUMER LEVEL (OPTIONAL) LOT CODE YEAR 1 = 2001 WEEK 16 A = ASSEMBLY SITE CODE Notes: 1.For an Automotive Qualified version of this part please seehttp://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ auirfr4105z.pdf 2.For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ www.irf.com 9

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) (cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:28)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:24)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:27)(cid:17)(cid:18)(cid:25) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:5)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:17) (cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:28)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:14)(cid:5)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) EXAMPLE: THIS IS AN IRFU120 PART NUMBER INTERNATIONAL WITH ASSEMBLY LOT CODE 5678 RECTIFIER IRFU120 DATE CODE LOGO 119A YEAR 1 = 2001 ASSEMBLED ON WW 19, 2001 56 78 WEEK 19 IN THE ASSEMBLY LINE "A" LINE A ASSEMBLY LOT CODE Note: "P" in assembly line position indicates Lead-Free" OR PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER IRFU120 DATE CODE LOGO P = DESIGNATES LEAD-FREE 56 78 PRODUCT (OPTIONAL) YEAR 1 = 2001 ASSEMBLY LOT CODE WEEK 19 A = ASSEMBLY SITE CODE Notes: 1.For an Automotive Qualified version of this part please seehttp://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ auirfr4105z.pdf 2.For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ 10 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:8)(cid:4)(cid:29)(cid:25)(cid:6)(cid:30)(cid:6)(cid:31)(cid:25)(cid:25)(cid:27)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:5)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:17) TR TRR TRL 16.3 ( .641 ) 16.3 ( .641 ) 15.7 ( .619 ) 15.7 ( .619 ) 12.1 ( .476 ) FEED DIRECTION 8.1 ( .318 ) FEED DIRECTION 11.9 ( .469 ) 7.9 ( .312 ) NOTES : 1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER. 2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS ( INCHES ). 3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541. 13 INCH 16 mm NOTES : 1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481. (cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11) (cid:4)(cid:7)Repetitive rating; pulse width limited by (cid:2) Coss eff. is a fixed capacitance that gives the same charging time max. junction temperature. (See fig. 11). as Coss while VDS is rising from 0 to 80% VDSS . (cid:3) (cid:7)Limited by TJmax, starting TJ = 25°C, L = 0.18mH (cid:1)(cid:2)Limited by TJmax , see Fig.12a, 12b, 15, 16 for typical repetitive RG = 25Ω, IAS = 18A, VGS =10V. Part not avalanche performance. recommended for use above this value. (cid:3)(cid:2)This value determined from sample failure population. 100% (cid:1)Pulse width ≤ 1.0ms; duty cycle ≤ 2%. tested to this value in production. (cid:4)(cid:7)(cid:7) When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) . For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994 Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Industrial market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information.09/2010 www.irf.com 11

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRFR4105ZPBF IRFR4105ZTRPBF IRFU4105ZPBF