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IRFU3607PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU3607PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU3607PBF价格参考。International RectifierIRFU3607PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 75V 56A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)。您可以下载IRFU3607PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU3607PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 75V 56A I-PAKMOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
Id-连续漏极电流 | 80 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFU3607PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFU3607PBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 140 W |
Pd-功率耗散 | 140 W |
Qg-GateCharge | 56 nC |
Qg-栅极电荷 | 56 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.34 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.34 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3070pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 84nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 46A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | I-Pak |
功率-最大值 | 140W |
功率耗散 | 140 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 7.34 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
封装/箱体 | IPAK-3 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 56 nC |
标准包装 | 75 |
汲极/源极击穿电压 | 75 V |
漏极连续电流 | 80 A |
漏源极电压(Vdss) | 75V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 56A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfr_u3607pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfr_u3607pbf.spi |
闸/源击穿电压 | 20 V |