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  • 型号: IRFU3410PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRFU3410PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU3410PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU3410PBF价格参考¥2.05-¥2.15。International RectifierIRFU3410PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 31A(Tc) 3W(Ta),110W(Tc) IPAK(TO-251)。您可以下载IRFU3410PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU3410PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 31A I-PAKMOSFET MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

31 A

Id-连续漏极电流

31 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFU3410PBFHEXFET®

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产品型号

IRFU3410PBF

Pd-PowerDissipation

110 W

Pd-功率耗散

110 W

Qg-GateCharge

37 nC

Qg-栅极电荷

37 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

39 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

39 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1690pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

56nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

39 毫欧 @ 18A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

其它名称

*IRFU3410PBF

功率-最大值

3W

功率耗散

110 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

39 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

37 nC

标准包装

75

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

31 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

31A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru3410.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru3410.spi

闸/源击穿电压

20 V

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