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  • 型号: IRFU3303PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU3303PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU3303PBF价格参考。International RectifierIRFU3303PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFU3303PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU3303PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 33A I-PAKMOSFET MOSFT 30V 33A 31mOhm 29nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

33 A

Id-连续漏极电流

33 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFU3303PBFHEXFET®

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产品型号

IRFU3303PBF

PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

57 W

Pd-功率耗散

57 W

Qg-GateCharge

19.3 nC

Qg-栅极电荷

19.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

31 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

31 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

99 ns

下降时间

28 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

750pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

29nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

31 毫欧 @ 18A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

其它名称

*IRFU3303PBF

典型关闭延迟时间

16 ns

功率-最大值

57W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

31 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

正向跨导-最小值

9.3 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

33 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

33A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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