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  • 型号: IRFU2905ZPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU2905ZPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU2905ZPBF价格参考。International RectifierIRFU2905ZPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFU2905ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU2905ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 55V 42A I-PAKMOSFET MOSFT 55V 59A 14.5mOhm 29nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

59 A

Id-连续漏极电流

59 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFU2905ZPBFHEXFET®

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产品型号

IRFU2905ZPBF

PCN组件/产地

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PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

110 W

Pd-功率耗散

110 W

Qg-GateCharge

29 nC

Qg-栅极电荷

29 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

14.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

14.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1380pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

44nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

14.5 毫欧 @ 36A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

其它名称

*IRFU2905ZPBF

功率-最大值

110W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

标准包装

75

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

42A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru2905z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru2905z.spi

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