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  • 型号: IRFU120PBF
  • 制造商: Vishay
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IRFU120PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU120PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU120PBF价格参考。VishayIRFU120PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA。您可以下载IRFU120PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU120PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix品牌的IRFU120PBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景:

1. 电源管理:  
   IRFU120PBF适用于各种开关电源(SMPS)设计,例如DC-DC转换器、AC-DC适配器和电源模块。其低导通电阻(典型值为0.075Ω)有助于减少功耗并提高效率。

2. 电机驱动:  
   该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,支持高效的PWM控制,适用于家用电器、玩具和工业自动化设备。

3. 电池管理:  
   在电池充电和保护电路中,IRFU120PBF可用作开关元件,实现过流保护、短路保护以及充放电控制功能。

4. 负载切换:  
   它适合用于负载切换应用,如汽车电子中的继电器替代方案或消费电子产品的负载通断控制。

5. 逆变器和太阳能系统:  
   在小型逆变器或太阳能微逆变器中,该器件可作为关键的功率开关组件,帮助实现能量转换和调节。

6. 音频放大器:  
   用作音频功率放大器中的输出级开关,提供高保真度和低失真的性能。

7. LED驱动:  
   在大功率LED照明系统中,IRFU120PBF可以用于恒流源电路,确保LED亮度稳定且节能。

总结来说,IRFU120PBF凭借其优异的电气特性和可靠性,非常适合于需要高性能功率开关的各种工业、消费及汽车领域应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAKMOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

7.7 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFU120PBF-

数据手册

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产品型号

IRFU120PBFIRFU120PBF

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-漏源导通电阻

270 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

27 ns

下降时间

17 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

360pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

16nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

270 毫欧 @ 4.6A,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-251AA

其它名称

*IRFU120PBF

典型关闭延迟时间

18 ns

功率-最大值

2.5W

功率耗散

2.5 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

270 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

7.7 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.7A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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