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  • 型号: IRFSL7437PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRFSL7437PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFSL7437PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFSL7437PBF价格参考。International RectifierIRFSL7437PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 40V 195A(Tc) 230W(Tc) TO-262。您可以下载IRFSL7437PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFSL7437PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N CH 40V 195A TO-262MOSFET 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

250 A

Id-连续漏极电流

250 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFSL7437PBFHEXFET®, StrongIRFET™

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产品型号

IRFSL7437PBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

230 W

Pd-功率耗散

230 W

Qg-GateCharge

225 nC

Qg-栅极电荷

225 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3.9 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3.9 V

上升时间

70 ns

下降时间

53 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.9V @ 150µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7330pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

225nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.8 毫欧 @ 100A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-262

典型关闭延迟时间

78 ns

功率-最大值

230W

功率耗散

230 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

1.8 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

封装/箱体

I2PAK-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

225 nC

标准包装

50

正向跨导-最小值

160 S

汲极/源极击穿电压

40 V

漏极连续电流

250 A

漏源极电压(Vdss)

40V

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/international-rectifier-strongirfet-power-mosfet/2963

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

195A (Tc)

通道模式

Enhancement

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