ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFSL5615PBF
Datasheet下载- 型号： IRFSL5615PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFSL5615PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFSL5615PBF价格参考。International RectifierIRFSL5615PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 150V 33A（Tc） 144W（Tc） TO-262。您可以下载IRFSL5615PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFSL5615PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies生产的IRFSL5615PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理： - 该器件适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器等应用，能够高效地进行电压和电流的控制与转换。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，可以减少功率损耗，提高转换效率。 2. 电机驱动： - 在小型电机控制系统中，如无刷直流电机（BLDC）、步进电机等，IRFSL5615PBF可用于驱动电路，实现对电机速度和方向的精确控制。它具有快速开关速度和较低的栅极电荷，有助于提高系统的响应速度和稳定性。 3. 消费电子产品： - 常见于笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等便携式设备中，用于提供稳定的电流输出，确保设备正常工作的同时延长电池寿命。 4. 工业自动化： - 可用于工业控制器、PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口等场合，作为信号放大或负载切换的关键组件，具备良好的抗干扰能力和可靠性。 5. 汽车电子： - 在车载电子系统中，例如电动助力转向系统（EPS）、车身稳定控制系统（ESC）等，该MOSFET能够承受较高的温度变化，并且在高湿度环境下仍能保持优异性能。 6. 照明系统： - LED驱动器是另一个重要应用领域，通过调节输入电压来控制LED亮度，同时保证电路的安全性和稳定性。 总之，IRFSL5615PBF凭借其出色的电气参数和环境适应性，在众多需要高效功率处理的应用场景中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 33A TO-262MOSFET Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 33 A |
| Id-连续漏极电流 | 33 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFSL5615PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFSL5615PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 144 W |
| Pd-功率耗散 | 144 W |
| Qg-GateCharge | 26 nC |
| Qg-栅极电荷 | 26 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 34.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 34.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1750pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 42 毫欧 @ 21A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 功率-最大值 | 144W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A （Tc） |
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