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型号： IRFS7530TRLPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS7530TRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS7530TRLPBF价格参考。International RectifierIRFS7530TRLPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 60V 195A（Tc） 375W（Tc） D²PAK（TO-263AB）。您可以下载IRFS7530TRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS7530TRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRFS7530TRLPBF是一款N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻（RDS(on)）和高开关速度，适用于多种电力电子应用场景。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 电源管理
   - DC-DC转换器：IRFS7530TRLPBF常用于高效DC-DC转换器中，作为同步整流器或主开关。其低导通电阻有助于减少传导损耗，提高转换效率，特别适合于需要高效率、小尺寸设计的电源系统。
   - AC-DC转换器：在开关电源（SMPS）中，该器件可以作为PFC（功率因数校正）电路中的主开关，帮助提高系统的功率密度和效率。

 2. 电机驱动
   - 无刷直流电机（BLDC）驱动：该MOSFET可用于BLDC电机的逆变器电路中，作为功率级的一部分，控制电机的转速和方向。其快速开关特性和低损耗特性使其非常适合高频调制应用。
   - 步进电机驱动：在步进电机控制系统中，IRFS7530TRLPBF可以用于电流控制和相位切换，确保电机平稳运行并减少发热。

 3. 电池管理系统（BMS）
   - 电池充放电保护：在锂电池或其他可充电电池组中，该MOSFET可以用作充放电路径的开关，确保电池在过充、过放、短路等异常情况下能够迅速切断电流，保护电池安全。
   - 负载开关：在便携式设备中，IRFS7530TRLPBF可以用作负载开关，控制电源与负载之间的连接，实现快速响应和低功耗待机。

 4. 工业自动化
   - 伺服驱动器：在工业自动化领域，该MOSFET可用于伺服驱动器的功率级，提供精确的电流控制和快速响应，适用于精密运动控制应用。
   - PLC（可编程逻辑控制器）输出模块：在PLC中，IRFS7530TRLPBF可以用作数字输出的驱动元件，控制外部负载如继电器、指示灯等。

 5. 消费电子
   - 笔记本电脑适配器：在笔记本电脑的电源适配器中，该MOSFET可以用于高效的电源转换，确保适配器在不同负载条件下都能保持高效工作。
   - 智能家居设备：在智能插座、智能灯具等设备中，IRFS7530TRLPBF可以用作电源开关或负载控制元件，实现远程控制和节能管理。

总之，IRFS7530TRLPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种电力电子设备中，特别是在需要高效功率转换和控制的应用场景下表现出色。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N CH 60V 195A D2PAKMOSFET MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	195 A
Id-连续漏极电流	195 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS7530TRLPBFHEXFET®， StrongIRFET™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFS7530TRLPBF
Pd-PowerDissipation	375 W
Pd-功率耗散	375 W
Qg-GateCharge	274 nC
Qg-栅极电荷	274 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	1.65 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	1.65 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3.7 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3.7 V
上升时间	141 ns
下降时间	104 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3.7V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	13703pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	411nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	2 毫欧 @ 100A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D2PAK
典型关闭延迟时间	172 ns
功率-最大值	375W
包装	带卷（TR）
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	1.65 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	800
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	800
正向跨导-最小值	242 S
汲极/源极击穿电压	60 V
漏极连续电流	195 A
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	195A （Tc）
配置	Single