图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: IRFS7437PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRFS7437PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS7437PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS7437PBF价格参考¥询价-¥询价。International RectifierIRFS7437PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 195A(Tc) 230W(Tc) D2PAK。您可以下载IRFS7437PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFS7437PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N CH 40V 195A D2PAKMOSFET 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, D2-Pak

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

195 A

Id-连续漏极电流

195 A

品牌

International Rectifier

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS7437PBFHEXFET®, StrongIRFET™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRFS7437PBF

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

230 W

Pd-功率耗散

230 W

Qg-GateCharge

150 nC

Qg-栅极电荷

150 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.2 V to 3.9 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.2 V to 3.9 V

上升时间

70 ns

下降时间

53 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.9V @ 150µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7330pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

225nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.8 毫欧 @ 100A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D²PAK

典型关闭延迟时间

78 ns

功率-最大值

230W

包装

管件

商标

International Rectifier

商标名

StrongIRFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

160 S

漏源极电压(Vdss)

40V

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/international-rectifier-strongirfet-power-mosfet/2963

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

195A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

推荐商品

型号:IRFUC20PBF

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:FCPF9N60NT

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRFD9210PBF

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:AUIRFS8407

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:PSMN057-200P,127

品牌:Nexperia USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:TSM2306CX RFG

品牌:Taiwan Semiconductor Corporation

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:BSP171PE6327

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:TPN14006NH,L1Q

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
IRFS7437PBF 相关产品

FCP36N60N

品牌:ON Semiconductor

价格:

CPH6341-M-TL-E

品牌:ON Semiconductor

价格:

DMN2230U-7

品牌:Diodes Incorporated

价格:

SI7116DN-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

AOL1482

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

价格:¥4.02-¥10.87

FDMS8350L

品牌:ON Semiconductor

价格:¥8.84-¥26.94

TPH5900CNH,L1Q

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

价格:

RSR025N03TL

品牌:Rohm Semiconductor

价格:¥1.38-¥1.38

PDF Datasheet 数据手册内容提取

(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:2)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12) (cid:13)(cid:14)(cid:9)(cid:3)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:15)(cid:18)(cid:19)(cid:9) (cid:13)(cid:14)(cid:9)(cid:3)(cid:20)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:15)(cid:18)(cid:19)(cid:9) Applications (cid:2)(cid:3)Brushed Motor drive applications (cid:2)(cid:3)BLDC Motor drive applications HEXFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFET (cid:2)(cid:3)Battery powered circuits V 40V (cid:2)(cid:3)Half-bridge and full-bridge topologies D DSS (cid:2)(cid:3)Synchronous rectifier applications RDS(on) typ. 1.4mΩ (cid:2)(cid:3)Resonant mode power supplies max. 1.8mΩ (cid:2)(cid:3)OR-ing and redundant power switches G I 250A(cid:0) D (Silicon Limited) (cid:2)(cid:3)DC/DC and AC/DC converters (cid:2)(cid:3)DC/AC Inverters S ID (Package Limited) 195A Benefits D D (cid:2) Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness (cid:2) Fully Characterized Capacitance and Avalanche S S D G SOA G (cid:2) Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability D2Pak TO-262 (cid:2)(cid:3)Lead-Free IRFS7437PbF IRFSL7437PbF (cid:2)(cid:3)Halogen-Free G D S Gate Drain Source Standard Pack Base Part Number Package Type Orderable Part Number Form Quantity IRFSL7437PbF TO-262 Tube 50 IRFSL7437PbF IRFS7437PbF D2Pak Tube 50 IRFS7437PbF IRFS7437PbF D2Pak Tape and Reel Left 800 IRFS7437TRLPbF Ω) 6 250 m e( ID = 100A LIMITED BY PACKAGE c n a 5 st 200 si Re A) On 4 en(t 150 ec urr Soou-r 3 TJ = 125°C CDnar i 100 Dnar-ti 2 , ID n) , 1 TJ = 25°C 50 o ( S D 0 0 R 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 14.0 16.0 18.0 20.0 25 50 75 100 125 150 175 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) TC , Case Temperature (°C) Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:5)(cid:8)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:12)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:4) Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Max. Units I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V (Silicon Limited) 250(cid:8) D C GS I @ T = 100°C Continuous Drain Current, V @ 10V (Silicon Limited) 180 D C GS A I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V (Wire Bond Limited) 195 D C GS I Pulsed Drain Current (cid:0) 1000 DM P @T = 25°C Maximum Power Dissipation 230 W D C Linear Derating Factor 1.5 W/°C V Gate-to-Source Voltage ± 20 V GS dv/dt Peak Diode Recovery (cid:2) 3.0 V/ns T Operating Junction and -55 to + 175 J T Storage Temperature Range °C STG Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) 300 Mounting torque, 6-32 or M3 screw 10lbf(cid:7)in (1.1N(cid:7)m) Avalanche Characteristics E Single Pulse Avalanche Energy (cid:3) 350 mJ AS (Thermally limited) E Single Pulse Avalanche Energy (cid:4) 802 AS (Thermally limited) I Avalanche Current(cid:5)(cid:0) See Fig. 14, 15, 22a, 22b A AR E Repetitive Avalanche Energy (cid:0) mJ AR Thermal Resistance Symbol Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case (cid:6) ––– 0.65 °C/W RθJA Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D2Pak (cid:6) ––– 40 Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V Drain-to-Source Breakdown Voltage 40 ––– ––– V V = 0V, I = 250μA (BR)DSS GS D ΔV /ΔT Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.029 ––– V/°C Reference to 25°C, I = 1mA(cid:0) (BR)DSS J D R Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 1.4 1.8 V = 10V, I = 100A DS(on) mΩ GS D ––– 2.0 ––– V = 6.0V, I = 50A GS D V Gate Threshold Voltage 2.2 3.0 3.9 V V = V , I = 150μA GS(th) DS GS D I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 1.0 μA V = 40V, V = 0V DSS DS GS ––– ––– 150 VDS = 40V, VGS = 0V, TJ = 125°C IGSS Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 nA VGS = 20V Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 VGS = -20V R Internal Gate Resistance ––– 2.2 ––– Ω G (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7) (cid:2) Calculated continuous current based on maximum allowable junction (cid:6) Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%. temperature. Bond wire current limit is 195A. Note that current (cid:7) Coss eff. (TR) is a fixed capacitance that gives the same charging time limitations arising from heating of the device leads may occur with as Coss while VDS is rising from 0 to 80% VDSS. some lead mounting arrangements. (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16) (cid:8) Coss eff. (ER) is a fixed capacitance that gives the same energy as (cid:3) Repetitive rating; pulse width limited by max. junction Coss while VDS is rising from 0 to 80% VDSS. temperature. (cid:9) (cid:3)θ(cid:2)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:19)(cid:4)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:6)(cid:4)(cid:22)(cid:7)(cid:20)(cid:8)(cid:7)(cid:23)(cid:3)(cid:7)(cid:20)(cid:24)(cid:24)(cid:6)(cid:9)(cid:25)(cid:17)(cid:19)(cid:20)(cid:8)(cid:4)(cid:26)(cid:27)(cid:7)(cid:28)(cid:15)(cid:29)(cid:30)(cid:31) (cid:4) Limited by TJmax, starting TJ = 25°C, L = 0.069mH (cid:10) Limited by TJmax starting TJ = 25°C, L= 1mH, RG = 50Ω, IAS = 40A, VGS =10V. RG = 50Ω, IAS = 100A, VGS =10V. (cid:5) I ≤ 100A, di/dt ≤ 1166A/μs, V ≤ V , T ≤ 175°C. SD DD (BR)DSS J (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:12)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:5)(cid:8)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:12)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:4) Dynamic @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions gfs Forward Transconductance 160 ––– ––– S V = 10V, I = 100A DS D Q Total Gate Charge ––– 150 225 nC I = 100A g D Q Gate-to-Source Charge ––– 41 ––– V =20V gs DS Q Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 51 ––– V = 10V (cid:6) gd GS Q Total Gate Charge Sync. (Q - Q ) ––– 99 ––– I = 100A, V =20V, V = 10V sync g gd D DS GS t Turn-On Delay Time ––– 19 ––– ns V = 20V d(on) DD t Rise Time ––– 70 ––– I = 30A r D t Turn-Off Delay Time ––– 78 ––– R = 2.7Ω d(off) G t Fall Time ––– 53 ––– V = 10V (cid:6) f GS C Input Capacitance ––– 7330 ––– pF V = 0V iss GS C Output Capacitance ––– 1095 ––– V = 25V oss DS C Reverse Transfer Capacitance ––– 745 ––– ƒ = 1.0 MHz, See Fig. 5 rss C eff. (ER) Effective Output Capacitance (Energy Related) (cid:0)(cid:2) ––– 1310 ––– V = 0V, V = 0V to 32V , See Fig. 11 oss GS DS C eff. (TR) Effective Output Capacitance (Time Related)(cid:3) ––– 1735 ––– V = 0V, V = 0V to 32V oss GS DS Diode Characteristics Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions I Continuous Source Current ––– ––– 250(cid:4) A MOSFET symbol D S (Body Diode) showing the I Pulsed Source Current ––– ––– 1000 A integral reverse G SM (Body Diode)(cid:2)(cid:5) p-n junction diode. S V Diode Forward Voltage ––– 1.0 1.3 V T = 25°C, I = 100A, V = 0V (cid:6) SD J S GS t Reverse Recovery Time ––– 30 ––– ns T = 25°C V = 34V, rr J R ––– 30 ––– T = 125°C I = 100A J F Q Reverse Recovery Charge ––– 24 ––– nC T = 25°C di/dt = 100A/μs (cid:6) rr J ––– 25 ––– T = 125°C J I Reverse Recovery Current ––– 1.3 ––– A T = 25°C RRM J t Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) on (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:31)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:5)(cid:8)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:12)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:4) 1000 1000 VGS VGS TOP 15V TOP 15V 10V 10V A) 8.0V A) 8.0V n( t 76..00VV n( t 76..00VV uerr 100 55..50VV uerr 55..50VV C BOTTOM 4.5V C BOTTOM 4.5V e e c c ur ur 100 o o S S o- o- na-ti 10 an-ti 4.5V Dr 4.5V Dr , D ,D I I ≤60μs PULSE WIDTH ≤60μs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 175°C 1 10 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 3. Typical Output Characteristics Fig 4. Typical Output Characteristics 1000 2.0 ec ID = 100A n A) assti 1.8 VGS = 10V (nt TJ = 175°C Re 1.6 uerr 100 On Cec uecr edz)1.4 DSanoour--r tI,iD 10 TJ = 2V≤56°DC0Sμ s= P1U0VLSE WIDTH RDSnoaor--t, iDSon() mNoa(r i l 011...802 1.0 0.6 3 4 5 6 7 8 -60-40-20 0 20 40 60 80100120140160180 T , Junction Temperature (°C) VGS, Gate-to-Source Voltage (V) J Fig 6. Normalized On-Resistance vs. Temperature Fig 5. Typical Transfer Characteristics 100000 14 VCGS == C0V, + C f =, 1 C MHSZHORTED ID= 100A VDS= 32V Cirssss = Cggsd gd ds Ve() 12 VDS= 20V Fep() 10000 Coss = Cds +C Cisgsd Vageoct l 180 CCapaancct, i 1000 CCorssss GSaeoou--rtt, S 46 G V 2 0 100 0 40 80 120 160 200 1 10 100 QG Total Gate Charge (nC) V , Drain-to-Source Voltage (V) DS Fig 7. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage Fig 8. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2) (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:5)(cid:8)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:12)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:4) 1000 1000 Auenr()r t 100 TJ = 175°C CAuenr()rt 100 1001μmsseecc Cn ec Limited by Package Deasr i 10 TJ = 25°C Soou-r 10 10msec Reevr, DS 1 Danr- t, iD 1 TcOL I=PME I2TRE5AD°TC IBOYN RIND STH(oInS) AREA DC I I Tj = 175°C VGS = 0V Single Pulse 0.1 0.1 0.1 1 10 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 V , Drain-toSource Voltage (V) VSD, Source-to-Drain Voltage (V) DS Fig 9. Typical Source-Drain Diode Fig 10. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage V) e( 50 1.2 ag Id = 1.0mA otl V 1.0 n 48 w o d k 0.8 a Ber 46 μJ) ec gy( 0.6 ur er o n Sno--t 44 E 0.4 ai Dr ,S 42 0.2 S D R) VB( 40 0.0 0 10 20 30 40 50 -60-40-20 0 20 40 60 80100120140160180 TJ , Temperature ( °C ) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 11. Drain-to-Source Breakdown Voltage Fig 12. Typical C Stored Energy OSS Ω) 8 m e( VGS = 5.5V c 7 n a essti 6 VGS = 6.0V R n O e 5 ucr VGS = 7.0V So 4 VGS = 8.0V o- VGS = 10V n-t ai 3 Dr , n) 2 o S( D R 1 0 100 200 300 400 500 ID , Drain Current (A) Fig 13. Typical On-Resistance vs. Drain Current (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:14)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:5)(cid:8)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:12)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:4) 1 D = 0.50 ) 0.20 C 0.1 J 0.10 h Z t 0.05 e( ns 0.02 o 0.01 p 0.01 s e R a l m her 0.001 SINGLE PULSE T ( THERMAL RESPONSE ) Notes: 1. Duty Factor D = t1/t2 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.0001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 14. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case 1000 Allowed avalanche Current vs avalanche pulsewidth, tav, assuming ΔTj = 150°C and A) Tstart =25°C (Single Pulse) n(t 100 e urr C e h c n a al 10 v A Allowed avalanche Current vs avalanche pulsewidth, tav, assuming ΔΤj = 25°C and Tstart = 150°C. (Single Pulse) 1 1.0E-06 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 tav (sec) Fig 15. Typical Avalanche Current vs.Pulsewidth 350 Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 14, 15: (For further info, see AN-1005 at www.irf.com) TOP Single Pulse 1.Avalanche failures assumption: BOTTOM 1% Duty Cycle 300 Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a temperature far in J) ID = 100A m excess of Tjmax. This is validated for every part type. y( 250 2. Safe operation in Avalanche is allowed as long asTjmax is not exceeded. egr 3. Equation below based on circuit and waveforms shown in Figures 22a, 22b. n 4. P = Average power dissipation per single avalanche pulse. E 200 D (ave) e 5. BV = Rated breakdown voltage (1.3 factor accounts for voltage increase h c during avalanche). n Aaavl 150 67.. IΔaTv == AAlllloowwaabblele r iasev ainla jnucnhcteio cnu trermenpte.rature, not to exceed Tjmax (assumed as , R 100 25°C in Figure 14, 15). A tav = Average time in avalanche. E D = Duty cycle in avalanche = t ·f 50 av Z (D, t ) = Transient thermal resistance, see Figures 13) thJC av 0 P = 1/2 ( 1.3·BV·I ) =(cid:8)(cid:2)T/ Z D (ave) av thJC 25 50 75 100 125 150 175 I =2(cid:2)T/ [1.3·BV·Z ] av th Starting TJ , Junction Temperature (°C) EAS (AR) = PD (ave)·tav Fig 16. Maximum Avalanche Energy vs. Temperature (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)!(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:5)(cid:8)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:12)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:4) 4.5 10 I = 60A F Ve() 4.0 8 VR = 34V g T = 25°C a J Votl 3.5 TJ = 125°C d hosl 3.0 A) 6 heaer tt 2.5 IIDD == 115.00mμAA ( IRR 4 G I = 1.0A D , h) 2.0 S(t 2 G V 1.5 1.0 0 -75 -50 -25 0 25 50 75 100125150 175 0 200 400 600 800 1000 TJ , Temperature ( °C ) diF /dt (A/μs) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:2)#(cid:2)$%&(cid:6)(cid:9)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:10)’(cid:18)(cid:7)%(cid:2)((cid:23)(cid:7)(cid:7)(cid:18)(cid:16)(cid:17)(cid:2)’(cid:26)(cid:5)(cid:2)(cid:29)(cid:6))(cid:29)(cid:17) Fig 17. Threshold Voltage vs. Temperature (cid:2) 10 140 IF = 100A IF = 60A VR = 34V 120 VR = 34V 8 TJ = 25°C TJ = 25°C 100 TJ = 125°C TJ = 125°C 6 C) 80 A) n ( R ( R R R 60 I 4 Q 40 2 20 0 0 0 200 400 600 800 1000 0 200 400 600 800 1000 diF /dt (A/μs) diF /dt (A/μs) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:11)(cid:2)#(cid:2)$%&(cid:6)(cid:9)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:10)’(cid:18)(cid:7)%(cid:2)((cid:23)(cid:7)(cid:7)(cid:18)(cid:16)(cid:17)(cid:2)’(cid:26)(cid:5)(cid:2)(cid:29)(cid:6))(cid:29)(cid:17) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:2)#(cid:2)$%&(cid:6)(cid:9)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:22)(cid:17)(cid:10)(cid:7)(cid:18)(cid:29)(cid:2)((cid:27)(cid:19)(cid:7)*(cid:18)(cid:2)’(cid:26)(cid:5)(cid:2)(cid:29)(cid:6))(cid:29)(cid:17) (cid:2) (cid:2) 140 IF = 100A 120 V = 34V R TJ = 25°C 100 T = 125°C J C) 80 n ( R QR 60 40 20 0 0 200 400 600 800 1000 diF /dt (A/μs) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:9)(cid:7)(cid:2)#(cid:2)$%&(cid:6)(cid:9)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:22)(cid:17)(cid:10)(cid:7)(cid:18)(cid:29)(cid:2)((cid:27)(cid:19)(cid:7)*(cid:18)(cid:2)’(cid:26)(cid:5)(cid:2)(cid:29)(cid:6))(cid:29)(cid:17) (cid:2) (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)"(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:5)(cid:8)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:12)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:4) Driver Gate Drive (cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12) P.W. Period D = + P.W. Period - (cid:4) (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:5)(cid:16)(cid:17)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:5)(cid:13)(cid:14)(cid:15) VGS=10V • (cid:2)(cid:10)(cid:13)(cid:18)(cid:2)(cid:19)(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:12)(cid:2)(cid:20)(cid:14)(cid:16)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:11)(cid:14)(cid:7)(cid:17) (cid:2)(cid:2) • (cid:21)(cid:6)(cid:13)(cid:8)(cid:14)(cid:16)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:11)(cid:14)(cid:17) - (cid:2)(cid:2) • (cid:10)(cid:13)(cid:18)(cid:2)(cid:10)(cid:17)(cid:11)(cid:24)(cid:11)(cid:25)(cid:17)(cid:2)(cid:20)(cid:14)(cid:16)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:11)(cid:14)(cid:7)(cid:17) (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:6)(cid:17)(cid:14)(cid:9)(cid:2)(cid:26)(cid:6)(cid:11)(cid:14)(cid:15)(cid:27)(cid:13)(cid:6)(cid:28)(cid:17)(cid:6) D.U.T. ISDWaveform + (cid:3) Reverse (cid:5) Recovery Body Diode Forward - - + Current Currentdi/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:2) dv/dt VDD (cid:3)(cid:21) • (cid:16)(cid:30)(cid:31)(cid:16)(cid:9)(cid:2)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:9)(cid:6)(cid:13)(cid:23)(cid:23)(cid:17)(cid:16)(cid:2) (cid:12)(cid:2)!(cid:2) (cid:29)(cid:29) Re-Applied • (cid:29)(cid:6)(cid:5)(cid:30)(cid:17)(cid:6)(cid:2)(cid:15)(cid:11)(cid:28)(cid:17)(cid:2)(cid:9)(cid:12)"(cid:17)(cid:2)(cid:11)(cid:15)(cid:2)(cid:29)#$#(cid:26)# + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:20)(cid:3)(cid:4)(cid:2)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:9)(cid:6)(cid:13)(cid:23)(cid:23)(cid:17)(cid:16)(cid:2) (cid:12)(cid:2)(cid:29)(cid:8)(cid:9)(cid:12)(cid:2)%(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:13)(cid:6)(cid:2)&(cid:29)& - (cid:20)(cid:14)In(cid:16)d(cid:8)u(cid:7)c(cid:9)t(cid:13)o(cid:6)r(cid:2) C(cid:4)u(cid:8)r(cid:6)e(cid:6)(cid:17)n(cid:14)t(cid:9) • (cid:29)#$#(cid:26)#(cid:2)’(cid:2)(cid:29)(cid:17)(cid:30)(cid:5)(cid:7)(cid:17)(cid:2)$(cid:14)(cid:16)(cid:17)(cid:6)(cid:2)(cid:26)(cid:17)(cid:15)(cid:9) Ripple ≤ 5% ISD -(cid:7) (cid:7)!(cid:7)" (cid:7)(cid:5)(cid:9)(cid:6)(cid:7)#(cid:9)$(cid:17)%(cid:7)#(cid:4)&(cid:4)(cid:26)(cid:7)’(cid:4)&(cid:17)%(cid:4)(cid:18) (cid:21)(cid:19) Fig 22. ,(cid:18)(cid:19)(cid:30)(cid:2)(cid:25)(cid:6)(cid:10)(cid:29)(cid:18)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:10)’(cid:18)(cid:7)%(cid:2)(cid:29)’)(cid:29)(cid:17)(cid:2)$(cid:18)(cid:26)(cid:17)(cid:2)((cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:23)(cid:6)(cid:17)(cid:2)for N-Channel HEXFET(cid:3)(cid:2)Power MOSFETs V(BR)DSS 15V tp VDS L DRIVER RG D.U.T + - VDD IAS A 2V0GVS tp 0.01Ω IAS Fig 23a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 23b. Unclamped Inductive Waveforms (cid:3) (cid:29) (cid:29)(cid:19) VDS 90% (cid:21)(cid:19) ’(cid:31)((cid:31)(cid:23)(cid:31) (cid:3) (cid:21) + - (cid:29)(cid:29) (cid:13)(cid:21)(cid:15)(cid:19) 10% (cid:22)(cid:8)(cid:23)(cid:15)(cid:17)(cid:2)((cid:5)(cid:16)(cid:9))(cid:2)≤ 1 *(cid:15) V GS (cid:29)(cid:8)(cid:9)(cid:12)(cid:2)%(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:13)(cid:6)(cid:2)≤ 0.1 % td(on) tr td(off) tf Fig 24a. Switching Time Test Circuit Fig 24b. Switching Time Waveforms CurrentRegulator Id SameTypeas D.U.T. Vds Vgs 50KΩ 12V .2μF .3μF + D.U.T. -VDS Vgs(th) VGS 3mA IG ID Qgs1 Qgs2 Qgd Qgodr CurrentSampling Resistors Fig 25a. Gate Charge Test Circuit Fig 25b. Gate Charge Waveform (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)+(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:5)(cid:8)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:12)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:4) (cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:27)(cid:5)(cid:4)(cid:22)(cid:28)(cid:6)(cid:9)(cid:29)(cid:18)(cid:30)(cid:20)(cid:21)(cid:28) (cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:17)(cid:21)(cid:6)(cid:20)(cid:3)(cid:5)(cid:8)(cid:19)(cid:3)(cid:20)(cid:22)(cid:21)(cid:23)(cid:6)(cid:3)(cid:17)(cid:6)(cid:3)(cid:18)(cid:17)(cid:24)(cid:24)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:25)(cid:19)(cid:8)(cid:20)(cid:3)(cid:26)(cid:17)(cid:6)(cid:27)(cid:22)(cid:19)(cid:20)(cid:28) (cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:17)(cid:18)(cid:6)(cid:19)(cid:4)(cid:17)(cid:5)(cid:20)(cid:21)(cid:22)(cid:6)(cid:23)(cid:21)(cid:24)(cid:25)(cid:17)(cid:26)(cid:4)(cid:18)(cid:20)(cid:25)(cid:21) INTERNATIONAL INTERNATIONAL RECTIFIER LOGO PART NUMBER RECTIFIER LOGO PART NUMBER IRFS7437 OR IRFS7437 ASSEMBLY PYWW? ASSEMBLY YWWP LOT CODE LC LC DP A=T LEE CAOD-DFEREE LOT CODE LC LC DY A=T LEA CSOT DDEIGIT OF YEAR Y = LAST DIGIT OF YEAR WW = WORK WEEK WW = WORK WEEK P = LEAD-FREE ? = ASSEMBLY SITE CODE (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:3)(cid:9)(cid:7)(cid:4)(cid:10)(cid:5)(cid:7)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:4)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:9)(cid:9)(cid:5)(cid:15)(cid:4)(cid:7)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:15)(cid:20)(cid:7)(cid:21)(cid:22)(cid:5)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:9)(cid:5)(cid:23)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:4)(cid:3)(cid:7)(cid:24)(cid:25)(cid:7)(cid:18)(cid:5)(cid:26)(cid:12)(cid:19)(cid:4)(cid:5)(cid:7)(cid:17)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:10)(cid:4)(cid:4)(cid:21)(cid:6)(cid:27)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:18)(cid:28)(cid:19)(cid:9)(cid:23)(cid:28)(cid:13)(cid:3)(cid:11)(cid:27)(cid:21)(cid:17)(cid:13)(cid:29)(cid:17)(cid:20)(cid:5)(cid:27) (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2).(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:5)(cid:8)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:12)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:4) TO-262 Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) TO-262 Part Marking Information INTERNATIONAL PART NUMBER INTERNATIONAL PART NUMBER RECTIFIER LOGO IRFSL7437 OR RECTIFIER LOGO IRFSL7437 ASSEMBLY PYWW? DATE CODE ASSEMBLY YWWP DATE CODE LOT CODE P = LEAD-FREE LOT CODE Y = LAST DIGIT OF YEAR LC LC Y = LAST DIGIT OF YEAR LC LC WW = WORK WEEK WW = WORK WEEK P = LEAD-FREE ? = ASSEMBLY SITE CODE (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:3)(cid:9)(cid:7)(cid:4)(cid:10)(cid:5)(cid:7)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:4)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:9)(cid:9)(cid:5)(cid:15)(cid:4)(cid:7)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:15)(cid:20)(cid:7)(cid:21)(cid:22)(cid:5)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:9)(cid:5)(cid:23)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:4)(cid:3)(cid:7)(cid:24)(cid:25)(cid:7)(cid:18)(cid:5)(cid:26)(cid:12)(cid:19)(cid:4)(cid:5)(cid:7)(cid:17)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:10)(cid:4)(cid:4)(cid:21)(cid:6)(cid:27)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:18)(cid:28)(cid:19)(cid:9)(cid:23)(cid:28)(cid:13)(cid:3)(cid:11)(cid:27)(cid:21)(cid:17)(cid:13)(cid:29)(cid:17)(cid:20)(cid:5)(cid:27) (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:5)(cid:8)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:12)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:4) (cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:4)(cid:31)(cid:28)(cid:6) (cid:6)!(cid:28)(cid:28)(cid:30)(cid:6)(cid:23)(cid:21)(cid:24)(cid:25)(cid:17)(cid:26)(cid:4)(cid:18)(cid:20)(cid:25)(cid:21) TRR 1.60 (.063) 1.50 (.059) 1.60 (.063) 4.10 (.161) 3.90 (.153) 1.50 (.059) 0.368 (.0145) 0.342 (.0135) FEED DIRECTION 1.85 (.073) 11.60 (.457) 1.65 (.065) 11.40 (.449) 24.30 (.957) 15.42 (.609) 23.90 (.941) 15.22 (.601) TRL 1.75 (.069) 10.90 (.429) 1.25 (.049) 10.70 (.421) 4.72 (.136) 16.10 (.634) 4.52 (.178) 15.90 (.626) FEED DIRECTION 13.50 (.532) 27.40 (1.079) 12.80 (.504) 23.90 (.941) 4 330.00 60.00 (2.362) (14.173) MIN. MAX. 30.40 (1.197) NOTES : MAX. 1. COMFORMS TO EIA-418. 26.40 (1.039) 4 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 24.40 (.961) 3. DIMENSION MEASURED @ HUB. 3 4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE. (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:3)(cid:9)(cid:7)(cid:4)(cid:10)(cid:5)(cid:7)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:4)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:9)(cid:9)(cid:5)(cid:15)(cid:4)(cid:7)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:15)(cid:20)(cid:7)(cid:21)(cid:22)(cid:5)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:9)(cid:5)(cid:23)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:4)(cid:3)(cid:7)(cid:24)(cid:25)(cid:7)(cid:18)(cid:5)(cid:26)(cid:12)(cid:19)(cid:4)(cid:5)(cid:7)(cid:17)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:10)(cid:4)(cid:4)(cid:21)(cid:6)(cid:27)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:18)(cid:28)(cid:19)(cid:9)(cid:23)(cid:28)(cid:13)(cid:3)(cid:11)(cid:27)(cid:21)(cid:17)(cid:13)(cid:29)(cid:17)(cid:20)(cid:5)(cid:27) (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:5)(cid:8)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:12)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:4) Qualification information† Industrial†† Qualification level (per JEDEC JESD47F††† guidelines) D2Pak MSL1 Moisture Sensitivity Level (per JEDEC J-STD-020D†††) TO-262 RoHS compliant Yes /(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)0(cid:23)(cid:19)(cid:20)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:2)(cid:26)(cid:17)(cid:19)(cid:16)(cid:29)(cid:19)(cid:7)(cid:29)(cid:26)(cid:2)(cid:9)(cid:19)(cid:16)(cid:2)(cid:24)(cid:18)(cid:2)(cid:8)(cid:10)(cid:23)(cid:16)(cid:29)(cid:2)(cid:19)(cid:17)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)1(cid:26)(cid:2)(cid:4)(cid:18)(cid:24)(cid:2)(cid:26)(cid:6)(cid:17)(cid:18)2(cid:2)(cid:2)(cid:27)(cid:17)(cid:17)&2))(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11))&(cid:7)(cid:10)(cid:29)(cid:23)(cid:9)(cid:17)#(cid:6)(cid:16)(cid:8)(cid:10))(cid:7)(cid:18)(cid:20)(cid:6)(cid:19)(cid:24)(cid:6)(cid:20)(cid:6)(cid:17)%) //(cid:2)(cid:2)(cid:2)3(cid:6)*(cid:27)(cid:18)(cid:7)(cid:2)4(cid:23)(cid:19)(cid:20)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:2)(cid:7)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:16)*(cid:26)(cid:2)(cid:11)(cid:19)%(cid:2)(cid:24)(cid:18)(cid:2)(cid:19)’(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:19)(cid:24)(cid:20)(cid:18)(cid:2)(cid:26)(cid:27)(cid:10)(cid:23)(cid:20)(cid:29)(cid:2)(cid:17)(cid:27)(cid:18)(cid:2)(cid:23)(cid:26)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:27)(cid:19)’(cid:18)(cid:2)(cid:26)(cid:23)(cid:9)(cid:27)(cid:2)(cid:7)(cid:18)4(cid:23)(cid:6)(cid:7)(cid:18)(cid:11)(cid:18)(cid:16)(cid:17)(cid:26)(cid:5)(cid:2),(cid:20)(cid:18)(cid:19)(cid:26)(cid:18)(cid:2)(cid:9)(cid:10)(cid:16)(cid:17)(cid:19)(cid:9)(cid:17)(cid:2)%(cid:10)(cid:23)(cid:7) (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:26)(cid:19)(cid:20)(cid:18)(cid:26)(cid:2)(cid:7)(cid:18)&(cid:7)(cid:18)(cid:26)(cid:18)(cid:16)(cid:17)(cid:19)(cid:17)(cid:6)’(cid:18)(cid:2)(cid:8)(cid:10)(cid:7)(cid:2)(cid:8)(cid:23)(cid:7)(cid:17)(cid:27)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:6)(cid:16)(cid:8)(cid:10)(cid:7)(cid:11)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)2(cid:2)(cid:27)(cid:17)(cid:17)&2(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11))(cid:4)(cid:27)(cid:10)(cid:17)(cid:10)#(cid:9)(cid:19)(cid:20)(cid:20))(cid:26)(cid:19)(cid:20)(cid:18)(cid:26)(cid:7)(cid:18)&) ///(cid:2)(cid:2)5&&(cid:20)(cid:6)(cid:9)(cid:19)(cid:24)(cid:20)(cid:18)(cid:2)’(cid:18)(cid:7)(cid:26)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:2)(cid:10)(cid:8)(cid:2)67(cid:25)7((cid:2)(cid:26)(cid:17)(cid:19)(cid:16)(cid:29)(cid:19)(cid:7)(cid:29)(cid:2)(cid:19)(cid:17)(cid:2)(cid:17)(cid:27)(cid:18)(cid:2)(cid:17)(cid:6)(cid:11)(cid:18)(cid:2)(cid:10)(cid:8)(cid:2)&(cid:7)(cid:10)(cid:29)(cid:23)(cid:9)(cid:17)(cid:2)(cid:7)(cid:18)(cid:20)(cid:18)(cid:19)(cid:26)(cid:18)(cid:5) Revision History Date Comment • Updated data sheet based on corporate template. 4/30/2014 • Updated typo on the fig.19 and fig.21, unit of y-axis from "A" to "nC" on page7. • Updated package outline and part marking on page 9 & 10. • Updated EAS (L =1mH) = 802mJ on page 2 1/6/2015 • Updated note 9 “Limited by TJmax, starting TJ = 25°C, L = 1mH, RG = 50Ω, IAS = 40A, VGS =10V”. on page 2 IR WORLD HEADQUARTERS: 101 N. Sepulveda Blvd., El Segundo, California 90245, USA To contact International Rectifier, please visit http://www.irf.com/whoto-call/ (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:5)(cid:8)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)