图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: IRFS4620TRLPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRFS4620TRLPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS4620TRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS4620TRLPBF价格参考¥6.50-¥8.13。International RectifierIRFS4620TRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 24A(Tc) 144W(Tc) D2PAK。您可以下载IRFS4620TRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFS4620TRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 24A D2PAKMOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

24 A

Id-连续漏极电流

24 A

品牌

International Rectifier

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS4620TRLPBFHEXFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRFS4620TRLPBF

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

144 W

Pd-功率耗散

144 W

Qg-GateCharge

25 nC

Qg-栅极电荷

25 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

77.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

77.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

22.4 ns

下降时间

14.8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1710pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

38nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

77.5 毫欧 @ 15A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

IRFS4620TRLPBFTR

典型关闭延迟时间

25.4 ns

功率-最大值

144W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

77.5 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

800

正向跨导-最小值

37 S

汲极/源极击穿电压

200 V

漏极连续电流

24 A

漏源极电压(Vdss)

200V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/internationalrectifier/IRF46x.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

24A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

推荐商品

型号:IRFS7734TRL7PP

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:STD17NF03LT4

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:FDD068AN03L

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SISA04DN-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:NP90N06VLG-E1-AY

品牌:Renesas Electronics America

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:AOTF11N60L

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:NDB6060L

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:BUK664R4-55C,118

品牌:Nexperia USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
IRFS4620TRLPBF 相关产品

AOB42S60L

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

价格:¥24.50-¥24.50

IRF8010SPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:¥询价-¥询价

IRFH5300TR2PBF

品牌:Infineon Technologies

价格:¥询价-¥询价

IRFU3910PBF

品牌:Infineon Technologies

价格:¥1.68-¥2.10

IRFR9014NTRR

品牌:Vishay Siliconix

价格:

IXTT90P10P

品牌:IXYS

价格:¥92.67-¥92.67

DMN100-7-F

品牌:Diodes Incorporated

价格:¥2.24-¥2.66

HUF75939P3

品牌:ON Semiconductor

价格:

PDF Datasheet 数据手册内容提取

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)96203 IRFS4620PbF IRFSL4620PbF HEXFET(cid:1)(cid:1)Power MOSFET Applications D V 200V (cid:1)(cid:2)High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS DSS (cid:1)(cid:2)Uninterruptible Power Supply R typ. 63.7m(cid:0) DS(on) (cid:1)(cid:2)High Speed Power Switching G max. 77.5m(cid:0) (cid:1)(cid:2)Hard Switched and High Frequency Circuits I 24A S D Benefits (cid:1) Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt D D Ruggedness (cid:1) Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA S S (cid:1) Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability G GD (cid:1)(cid:2)Lead-Free D2Pak TO-262 IRFS4620PbF IRFSL4620PbF G D S Gate Drain Source Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Max. Units I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V 24 D C GS I @ T = 100°C Continuous Drain Current, V @ 10V 17 A D C GS I Pulsed Drain Current (cid:0) 100 DM P @T = 25°C Maximum Power Dissipation 144 W D C Linear Derating Factor 0.96 W/°C V Gate-to-Source Voltage ± 20 V GS dv/dt Peak Diode Recovery (cid:1) 54 V/ns T Operating Junction and -55 to + 175 J T Storage Temperature Range STG °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case) Avalanche Characteristics E Single Pulse Avalanche Energy (cid:2) 113 mJ AS (Thermally limited) I Avalanche Current (cid:0) See Fig. 14, 15, 22a, 22b, A AR E Repetitive Avalanche Energy (cid:0) mJ AR Thermal Resistance Symbol Parameter Typ. Max. Units R Junction-to-Case (cid:3) ––– 1.045 θJC °C/W R Junction-to-Ambient (PCB Mount) (cid:4) ––– 40 θJA www.irf.com 1 12/18/08

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V Drain-to-Source Breakdown Voltage 200 ––– ––– V V = 0V, I = 250µA (BR)DSS GS D ∆V /∆T Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.23 ––– V/°C Reference to 25°C, I = 5mA(cid:3) (BR)DSS J D RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 63.7 77.5 mΩ VGS = 10V, ID = 15A (cid:4) V Gate Threshold Voltage 3.0 ––– 5.0 V V = V , I = 100µA GS(th) DS GS D I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 20 V = 200V, V = 0V DSS µA DS GS ––– ––– 250 V = 200V, V = 0V, T = 125°C DS GS J I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 V = 20V GSS nA GS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 V = -20V GS RG(int) Internal Gate Resistance ––– 2.6 ––– Ω Dynamic @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions gfs Forward Transconductance 37 ––– ––– S V = 50V, I = 15A DS D Q Total Gate Charge ––– 25 38 I = 15A g D Q Gate-to-Source Charge ––– 8.2 ––– V = 100V gs nC DS Q Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 7.9 ––– V = 10V (cid:4) gd GS Q Total Gate Charge Sync. (Q - Q ) ––– 17 ––– I = 15A, V =0V, V = 10V sync g gd D DS GS t Turn-On Delay Time ––– 13.4 ––– V = 130V d(on) DD t Rise Time ––– 22.4 ––– I = 15A r ns D td(off) Turn-Off Delay Time ––– 25.4 ––– RG = 7.3Ω t Fall Time ––– 14.8 ––– V = 10V (cid:4) f GS C Input Capacitance ––– 1710 ––– V = 0V iss GS C Output Capacitance ––– 125 ––– V = 50V oss DS C Reverse Transfer Capacitance ––– 30 ––– pF ƒ = 1.0MHz (See Fig.5) rss Coss eff. (ER) Effective Output Capacitance (Energy Related)(cid:0)(cid:1)––– 113 ––– VGS = 0V, VDS = 0V to 160V (cid:0)(See Fig.11) Coss eff. (TR) Effective Output Capacitance (Time Related)(cid:2) ––– 317 ––– VGS = 0V, VDS = 0V to 160V (cid:2) Diode Characteristics Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions I Continuous Source Current MOSFET symbol S ––– ––– 24 D (Body Diode) showing the A ISM Pulsed Source Current integral reverse G ––– ––– 100 (Body Diode)(cid:1)(cid:3) p-n junction diode. S V Diode Forward Voltage ––– ––– 1.3 V T = 25°C, I = 15A, V = 0V (cid:4) SD J S GS t Reverse Recovery Time ––– 78 ––– T = 25°C V = 100V, rr J R ns ––– 99 ––– T = 125°C I = 15A J F Q Reverse Recovery Charge ––– 294 ––– T = 25°C di/dt = 100A/µs (cid:4) rr J nC ––– 432 ––– T = 125°C J I Reverse Recovery Current ––– 7.6 ––– A T = 25°C RRM J t Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) on (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:1)(cid:1)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction (cid:5) Coss eff. (TR) is a fixed capacitance that gives the same charging time (cid:2) Lteimmipteedra btuy rTe.Jmax, starting TJ = 25°C, L = 1.0mH (cid:6) Caso sCs oesfsf. w (EhiRle) VisD aS ifsix reisdi ncga pfraocmita 0n ctoe 8th0a%t gVivDeSsS .the same energy as RG = 25Ω, IAS = 15A, VGS =10V. Part not recommended for use Coss while VDS is rising from 0 to 80% VDSS. above this value . (cid:7) When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material). For recom (cid:3)ISD ≤ 15A, di/dt ≤ 634A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ 175°C. mended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994. (cid:4) Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%. (cid:8)(cid:1)(cid:2)θ(cid:1)(cid:3)(cid:4)(cid:1)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:1)(cid:7)(cid:11)(cid:1)(cid:12)(cid:2)(cid:1)(cid:7)(cid:13)(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:15)(cid:3)(cid:5)(cid:7)(cid:11)(cid:6)(cid:16)(cid:17)(cid:1)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:21) 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) 1000 1000 VGS VGS TOP 15V TOP 15V 12V 12V Aen()t 100 1876...0000VVVV Ane()t 100 1876...0000VVVV Curr 10 BOTTOM 55..50VV Curr BOTTOM 55..50VV e e oucr oucr 10 5.0V S S o- 1 o- n-t n-t ai 5.0V ai Dr Dr 1 ,D 0.1 , D I ≤60µs PULSE WIDTH I ≤60µs PULSE WIDTH Tj = 175°C Tj = 25°C 0.01 0.1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 3.5 ec ID = 15A n A()CSouueencrrr t 10100 TJ = 175°CTJ = 25°C ORSaeoouenssc-r t i medaz)li223...050 VGS = 10V Danor-- tI,iD 1 V≤6D0Sµ s= P5U0VLSE WIDTH Danr-t, iRDSon() No(r 11..05 0.1 0.5 2 4 6 8 10 12 14 16 -60-40-20 0 20 40 60 80100120140160180 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature Fig 3. Typical Transfer Characteristics 14.0 100000 VGS = 0V, f = 1 MHZ ID= 15A CCCirssss === CCCggsd ++ CCgd, Cds SHORTED Ve() 12.0 VVDDSS== 116000VV 10000 oss ds gd ag 10.0 VDS= 40V F) otl p V e( e 8.0 CCanapacct, i 1000 CoCsisss GSoaeouc--rtt 46..00 100 , S C G rss V 2.0 0.0 10 0 5 10 15 20 25 30 35 1 10 100 1000 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) QG, Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage Fig 6. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) 100 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) A) A) CDnuenarr(r t i 10 TJ = 175°C TJ = 25°C Couueenc(rrr t 11000 110mmsseecc100µsec es So- eevr an-ti DC R ,DS Dr, D 1 Tc = 25°C I I Tj = 175°C VGS = 0V Single Pulse 1.0 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1 10 100 1000 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage V) 30 e( 260 g Id = 5mA a otl 250 25 V n w o 240 Aen()t 20 Beadkr 230 Cnurr 15 ouecr 220 ai S Dr o- I,D 10 Dnar-ti 210 5 ,S 200 S D R) 0 B 190 25 50 75 100 125 150 175 V( -60-40-20 0 20 40 60 80100120140160180 TC , Case Temperature (°C) TJ , Temperature ( °C ) Fig 9. Maximum Drain Current vs. Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage Case Temperature 3.0 500 mJ) 450 ID 2.5 y( TOP 2.05A egr 400 2.94A 2.0 Een 350 BOTTOM 15A h negµyJr() 1.5 Aaneavc l 235000 E 1.0 Pusl 200 e 150 gl n 0.5 Si 100 , S A 50 E 0.0 0 -50 0 50 100 150 200 25 50 75 100 125 150 175 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Starting TJ , Junction Temperature (°C) Fig 11. Typical C Stored Energy OSS Fig 12. Maximum Avalanche Energy vs. DrainCurrent 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) 10 W C/ °) C 1 J D = 0.50 h Z t 0.20 es( 0.1 0.10 R1R R2R Ri (°C/W) τi (sec) Raepons l 000...000215 τJτJτ1τ1 1 τ2τ2 2 τCτ 00..455869 00..000003371519 m 0.01 Ci= τi/Ri Ther SINGLE PULSE Ci i/Ri N1.o Dteust:y Factor D = t1/t2 ( THERMAL RESPONSE ) 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 t , Rectangular Pulse Duration (sec) 1 Fig 13. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case 100 Duty Cycle = Single Pulse Allowed avalanche Current vs avalanche pulsewidth, tav, assuming ∆Tj = 150°C and A) Tstart =25°C (Single Pulse) n(t 10 0.01 e urr C 0.05 e h c 0.10 n a al 1 v A Allowed avalanche Current vs avalanche pulsewidth, tav, assuming ∆Τj = 25°C and Tstart = 150°C. 0.1 1.0E-06 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 tav (sec) Fig 14. Typical Avalanche Current vs.Pulsewidth 120 Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 14, 15: TOP Single Pulse (For further info, see AN-1005 at www.irf.com) BOTTOM 1.0% Duty Cycle 1.Avalanche failures assumption: J) 100 ID = 15A Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a temperature far in m excess of T . This is validated for every part type. gy( 80 2. Safe operatjimoanx in Avalanche is allowed as long asTjmax is not exceeded. er 3. Equation below based on circuit and waveforms shown in Figures 16a, 16b. En 4. PD (ave) = Average power dissipation per single avalanche pulse. e 5. BV = Rated breakdown voltage (1.3 factor accounts for voltage increase h 60 c during avalanche). n a 6. I = Allowable avalanche current. al av Av 40 7. ∆T = Allowable rise in junction temperature, not to exceed Tjmax (assumed as , R 25°C in Figure 14, 15). EA tav = Average time in avalanche. 20 D = Duty cycle in avalanche = t ·f av Z (D, t ) = Transient thermal resistance, see Figures 13) thJC av 0 P = 1/2 ( 1.3·BV·I ) =(cid:7)(cid:1)T/ Z D (ave) av thJC 25 50 75 100 125 150 175 I =2(cid:1)T/ [1.3·BV·Z ] av th Starting TJ , Junction Temperature (°C) EAS (AR) = PD (ave)·tav Fig 15. Maximum Avalanche Energy vs. Temperature www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) 6.0 90 Vage() 55..05 7800 IVTFJ R == = 12 015A0°0CV Votl 4.5 60 TJ = 125°C hod l 4.0 A) 50 es 3.5 ( M ehar tt 3.0 IIDD == 215000uµAA IRR 40 G 30 ,h) 2.5 IIDD == 11..00mAA S(t 2.0 20 G V 1.5 10 1.0 0 -75 -50 -25 0 25 50 75 100125150175 0 200 400 600 800 1000 TJ , Temperature ( °C ) diF /dt (A/µs) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:15)(cid:13)(cid:16)(cid:6)(cid:3)(cid:17)(cid:18)(cid:16)(cid:16)(cid:13)(cid:19)(cid:20)(cid:3)(cid:15)(cid:21)(cid:22)(cid:3)(cid:23)(cid:8)(cid:24)(cid:23)(cid:20) Fig 16. Threshold Voltage vs. Temperature (cid:1) 90 2000 IF = 15A IF = 10A 80 1800 VR = 100V VR = 100V 70 TJ = 25°C 1600 TJ = 25°C 60 TJ = 125°C 1400 TJ = 125°C A) 50 A)1200 ( M ( R R 40 R1000 R Q I 30 800 20 600 10 400 0 200 0 200 400 600 800 1000 0 200 400 600 800 1000 diF /dt (A/µs) diF /dt (A/µs) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:15)(cid:13)(cid:16)(cid:6)(cid:3)(cid:17)(cid:18)(cid:16)(cid:16)(cid:13)(cid:19)(cid:20)(cid:3)(cid:15)(cid:21)(cid:22)(cid:3)(cid:23)(cid:8)(cid:24)(cid:23)(cid:20) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:25)(cid:20)(cid:14)(cid:16)(cid:13)(cid:23)(cid:3)(cid:17)(cid:26)(cid:10)(cid:16)(cid:27)(cid:13)(cid:3)(cid:15)(cid:21)(cid:22)(cid:3)(cid:23)(cid:8)(cid:24)(cid:23)(cid:20) (cid:1) (cid:1) 2000 IF = 15A 1800 VR = 100V 1600 T = 25°C J T = 125°C 1400 J A)1200 ( R R1000 Q 800 600 400 200 0 200 400 600 800 1000 diF /dt (A/µs) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:25)(cid:20)(cid:14)(cid:16)(cid:13)(cid:23)(cid:3)(cid:17)(cid:26)(cid:10)(cid:16)(cid:27)(cid:13)(cid:3)(cid:15)(cid:21)(cid:22)(cid:3)(cid:23)(cid:8)(cid:24)(cid:23)(cid:20) (cid:1) 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) Driver Gate Drive (cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:9)(cid:11) P.W. Period D = + P.W. Period (cid:29) (cid:3) (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:1)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:16)(cid:5)(cid:10)(cid:8)(cid:4)(cid:12)(cid:13)(cid:14) VGS=10V • (cid:1)(cid:9)(cid:12)(cid:17)(cid:1)(cid:18)(cid:8)(cid:5)(cid:10)(cid:11)(cid:1)(cid:19)(cid:13)(cid:15)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:10)(cid:13)(cid:6)(cid:16) (cid:1)(cid:1) • (cid:20)(cid:5)(cid:12)(cid:7)(cid:13)(cid:15)(cid:1)(cid:21)(cid:22)(cid:10)(cid:13)(cid:16) - (cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1) (cid:1)•(cid:1)(cid:1) (cid:1) (cid:3)(cid:9)(cid:12)(cid:7)(cid:17)(cid:5)(cid:5)(cid:1)(cid:16)(cid:9)(cid:13)(cid:16)(cid:8)(cid:10)(cid:1)(cid:25)(cid:23)(cid:5)(cid:10)(cid:10)(cid:24)(cid:13)(cid:16)(cid:14)(cid:1)(cid:26)(cid:19)(cid:12)(cid:13)(cid:5)(cid:15)(cid:27)(cid:7)(cid:6)(cid:16)(cid:8)(cid:5)(cid:10)(cid:13)(cid:6)(cid:16) D.U.T. ISDWaveform + (cid:2) Reverse (cid:4) Recovery Body Diode Forward - - + Current Currentdi/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:1) dv/dt VDD (cid:22) (cid:2)(cid:20) • (cid:15)(cid:29)(cid:30)(cid:15)(cid:8)(cid:1)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:8)(cid:5)(cid:12)(cid:22)(cid:22)(cid:16)(cid:15)(cid:1)(cid:31)(cid:11)(cid:1) (cid:1) (cid:28)(cid:28) Re-Applied • (cid:28)(cid:5)(cid:4)(cid:29)(cid:16)(cid:5)(cid:1)(cid:14)(cid:10)(cid:27)(cid:16)(cid:1)(cid:8)(cid:11)!(cid:16)(cid:1)(cid:10)(cid:14)(cid:1)(cid:28)"#"(cid:25)" + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:19)(cid:2)(cid:3)(cid:1)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:8)(cid:5)(cid:12)(cid:22)(cid:22)(cid:16)(cid:15)(cid:1)(cid:31)(cid:11)(cid:1)(cid:28)(cid:7)(cid:8)(cid:11)(cid:1)$(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:12)(cid:5)(cid:1)%(cid:28)% - (cid:19)I(cid:13)n(cid:15)d(cid:7)u(cid:6)c(cid:8)t(cid:12)o(cid:5)r(cid:1) C(cid:3)u(cid:7)r(cid:5)e(cid:5)(cid:16)n(cid:13)t(cid:8) • (cid:28)"#"(cid:25)"(cid:1)&(cid:1)(cid:28)(cid:16)(cid:29)(cid:4)(cid:6)(cid:16)(cid:1)#(cid:13)(cid:15)(cid:16)(cid:5)(cid:1)(cid:25)(cid:16)(cid:14)(cid:8) Ripple ≤ 5% ISD (cid:29)(cid:1)(cid:22) (cid:1)(cid:23)(cid:1)(cid:24)(cid:22)(cid:1)(cid:25)(cid:14)(cid:9)(cid:1)(cid:26)(cid:14)(cid:27)(cid:3)(cid:28)(cid:1)(cid:26)(cid:6)(cid:29)(cid:6)(cid:16)(cid:1)(cid:30)(cid:6)(cid:29)(cid:3)(cid:28)(cid:6)(cid:4) (cid:20)(cid:18) Fig 21. (cid:1)(cid:13)(cid:10)(cid:28)(cid:3)(cid:2)(cid:8)(cid:14)(cid:23)(cid:13)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:15)(cid:13)(cid:16)(cid:6)(cid:3)(cid:23)(cid:15)(cid:24)(cid:23)(cid:20)(cid:3)(cid:5)(cid:13)(cid:21)(cid:20)(cid:3)(cid:17)(cid:8)(cid:16)(cid:9)(cid:18)(cid:8)(cid:20)(cid:3)for N-Channel HEXFET(cid:2)(cid:3)Power MOSFETs V(BR)DSS 15V tp VDS L DRIVER RG D.U.T + - VDD IAS A 2V0GVS tp 0.01Ω IAS Fig 22a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 22b. Unclamped Inductive Waveforms (cid:2) (cid:28) (cid:22)(cid:28)(cid:18) VDS 90% (cid:22) (cid:20)(cid:18) (cid:30)(cid:31) (cid:31)(cid:12)(cid:31) (cid:2) (cid:20) +(cid:22) - (cid:28)(cid:28) (cid:22)!(cid:20)(cid:19)(cid:18)(cid:22) 10% (cid:21)(cid:7)(cid:22)(cid:14)(cid:16)(cid:1)’(cid:4)(cid:15)(cid:8)((cid:1)≤ 1 )(cid:14) VGS (cid:28)(cid:7)(cid:8)(cid:11)(cid:1)$(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:12)(cid:5)(cid:1)≤ 0.1 % td(on) tr td(off) tf Fig 23a. Switching Time Test Circuit Fig 23b. Switching Time Waveforms CurrentRegulator Id SameTypeasD.U.T. Vds Vgs 50KΩ 12V .2µF .3µF + D.U.T. -VDS Vgs(th) VGS 3mA IG ID Qgs1 Qgs2 Qgd Qgodr CurrentSampling Resistors Fig 24a. Gate Charge Test Circuit Fig 24b. Gate Charge Waveform www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:5)(cid:2)(cid:3)(cid:26)(cid:4)(cid:3)(cid:21)(cid:27)(cid:5)(cid:8)(cid:28)(cid:17)(cid:29)(cid:19)(cid:20)(cid:27) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:4)(cid:3)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:15)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:16)(cid:3)(cid:6)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:18) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:5)(cid:2)(cid:3)(cid:16)(cid:17)(cid:5)(cid:18)(cid:3)(cid:16)(cid:4)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:5)(cid:22)(cid:20)(cid:23)(cid:24)(cid:16)(cid:25)(cid:3)(cid:17)(cid:19)(cid:24)(cid:20) (cid:2)(cid:29)(cid:18)(cid:14)(cid:4)(cid:18)(cid:14)(cid:4)(cid:1)(cid:20)(cid:4)(cid:18)(cid:8)(cid:19)(cid:27)(cid:28)(cid:9)(cid:14)(cid:4)(cid:12)(cid:18)(cid:2)(cid:29) (cid:21)(cid:1)(cid:8)(cid:2)(cid:4)(cid:20)(cid:22)(cid:15)(cid:16)(cid:3)(cid:8) (cid:17)(cid:6)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:0)(cid:3)(cid:4) (cid:9)(cid:11)! (cid:18)(cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:8)(cid:20)(cid:1)(cid:2)(cid:18)(cid:6)(cid:20)(cid:1)(cid:17) (cid:1)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:3)(cid:0)(cid:4)(cid:6)(cid:20)(cid:4)(cid:12)(cid:12)(cid:4)(cid:9)(cid:11)(cid:31)(cid:4)(cid:11)(cid:9)(cid:9)(cid:9) (cid:8)(cid:3)(cid:5)(cid:2)(cid:18)(cid:19)(cid:18)(cid:3)(cid:8) (cid:19)(cid:27)(cid:28)(cid:9)(cid:14) (cid:18)(cid:20)(cid:4)(cid:2)(cid:29)(cid:3)(cid:4)(cid:1)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:7)(cid:4)(cid:17)(cid:18)(cid:20)(cid:3)(cid:4)(cid:30)(cid:17)(cid:30) (cid:17)(cid:6)(cid:23)(cid:6) (cid:0)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:0)(cid:3) (cid:7)(cid:3)(cid:1)(cid:8)(cid:4)(cid:9)(cid:4)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:9)(cid:9)(cid:9) (cid:1)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:7) (cid:12)(cid:3)(cid:3)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:11) (cid:17)(cid:6)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:0)(cid:3) (cid:17)(cid:18)(cid:20)(cid:3)(cid:4)(cid:17) (cid:0)(cid:1) (cid:21)(cid:1)(cid:8)(cid:2)(cid:4)(cid:20)(cid:22)(cid:15)(cid:16)(cid:3)(cid:8) (cid:18)(cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:8)(cid:20)(cid:1)(cid:2)(cid:18)(cid:6)(cid:20)(cid:1)(cid:17) (cid:8)(cid:3)(cid:5)(cid:2)(cid:18)(cid:19)(cid:18)(cid:3)(cid:8) (cid:19)(cid:27)(cid:28)(cid:9)(cid:14) (cid:17)(cid:6)(cid:23)(cid:6) (cid:0)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:0)(cid:3) (cid:21)(cid:4)(cid:10)(cid:4)(cid:0)(cid:3)(cid:14)(cid:18)(cid:23)(cid:20)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:14)(cid:4)(cid:17)(cid:3)(cid:1)(cid:0)(cid:4)(cid:24)(cid:4)(cid:19)(cid:8)(cid:3)(cid:3) (cid:21)(cid:8)(cid:6)(cid:0)(cid:22)(cid:5)(cid:2)(cid:4)(cid:25)(cid:6)(cid:21)(cid:2)(cid:18)(cid:6)(cid:20)(cid:1)(cid:17)(cid:26) (cid:1)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:7) (cid:7)(cid:3)(cid:1)(cid:8)(cid:4)(cid:9)(cid:4)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:9)(cid:9)(cid:9) (cid:17)(cid:6)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:0)(cid:3) (cid:12)(cid:3)(cid:3)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:11) (cid:1)(cid:4)(cid:10)(cid:4)(cid:1)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:7)(cid:4)(cid:14)(cid:18)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:0)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:2)(cid:8)(cid:6)(cid:3)(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:3)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:8)(cid:8)(cid:4)(cid:14)(cid:3)(cid:6)(cid:15)(cid:8)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:8)(cid:4)(cid:22)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:3)(cid:2)(cid:6)(cid:23)(cid:24)(cid:6)(cid:17)(cid:4)(cid:25)(cid:11)(cid:18)(cid:3)(cid:4)(cid:6)(cid:16)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:3)(cid:20)(cid:5)(cid:26)(cid:26)(cid:17)(cid:17)(cid:17)(cid:27)(cid:18)(cid:8)(cid:22)(cid:27)(cid:12)(cid:2)(cid:10)(cid:26)(cid:20)(cid:16)(cid:12)(cid:28)(cid:16)(cid:19)(cid:4)(cid:26) 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) TO-262 Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) TO-262 Part Marking Information (cid:4)(cid:28)(cid:10)(cid:14)(cid:23)(cid:0)(cid:4)(cid:29) (cid:6)(cid:30)(cid:7)(cid:13)(cid:11)(cid:7)(cid:13)(cid:11)(cid:10)(cid:9)(cid:11)(cid:7)(cid:3)(cid:0)(cid:31)(cid:19) (cid:31)(cid:0) (cid:0)(cid:1)(cid:6)(cid:11)(cid:5)(cid:1)(cid:12)(cid:4)(cid:11)(cid:19)(cid:21)!(cid:20) (cid:23)(cid:10)(cid:3)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:24)(cid:14)(cid:15)(cid:4)(cid:3) (cid:7)(cid:9)(cid:6)(cid:4)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:9)(cid:10)(cid:0) (cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:0)(cid:4)(cid:12)(cid:11)(cid:1)(cid:9)(cid:11)(cid:17)(cid:17)(cid:11)(cid:19)(cid:20)"(cid:11)(cid:19)(cid:20)(cid:20)(cid:21) (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:4)(cid:3) (cid:7)(cid:9)(cid:11)(cid:6)(cid:30)(cid:4)(cid:11)(cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:0)(cid:16)(cid:11)(cid:0)(cid:7)(cid:9)(cid:4)(cid:11)#(cid:5)# (cid:0)(cid:1)(cid:2)(cid:1) (cid:12)(cid:10)(cid:6)(cid:4)(cid:11)(cid:5)(cid:1)(cid:12)(cid:4) (cid:16)(cid:4)(cid:10)(cid:3)(cid:11)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:11)(cid:19)(cid:20)(cid:20)(cid:21) (cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:0)(cid:16) (cid:0)(cid:1)(cid:6)(cid:11)(cid:5)(cid:1)(cid:12)(cid:4) (cid:17)(cid:4)(cid:4)(cid:18)(cid:11)(cid:19)(cid:20) (cid:0)(cid:7)(cid:9)(cid:4)(cid:11)(cid:5) (cid:0)(cid:1) (cid:23)(cid:10)(cid:3)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:24)(cid:14)(cid:15)(cid:4)(cid:3) (cid:7)(cid:9)(cid:6)(cid:4)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:9)(cid:10)(cid:0) (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:4)(cid:3) (cid:0)(cid:1)(cid:2)(cid:1) (cid:12)(cid:10)(cid:6)(cid:4)(cid:11)(cid:5)(cid:1)(cid:12)(cid:4) (cid:23)(cid:11)(cid:22)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:13)(cid:7)(cid:2)(cid:9)(cid:10)(cid:6)(cid:4)(cid:13)(cid:11)(cid:0)(cid:4)(cid:10)(cid:12)(cid:27)(cid:8)(cid:3)(cid:4)(cid:4) (cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:0)(cid:16) (cid:0)(cid:1)(cid:6)(cid:11)(cid:5)(cid:1)(cid:12)(cid:4) (cid:23)(cid:3)(cid:1)(cid:12)(cid:24)(cid:5)(cid:6)(cid:11)(cid:25)(cid:1)(cid:23)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:9)(cid:10)(cid:0)(cid:26) (cid:16)(cid:4)(cid:10)(cid:3)(cid:11)(cid:21)(cid:11)(cid:22)(cid:11)(cid:19)(cid:20)(cid:20)(cid:21) (cid:17)(cid:4)(cid:4)(cid:18)(cid:11)(cid:19)(cid:20) (cid:10)(cid:11)(cid:22)(cid:11)(cid:10)(cid:13)(cid:13)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:0)(cid:16)(cid:11)(cid:13)(cid:7)(cid:6)(cid:4)(cid:11)(cid:5)(cid:1)(cid:12)(cid:4) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:2)(cid:8)(cid:6)(cid:3)(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:3)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:8)(cid:8)(cid:4)(cid:14)(cid:3)(cid:6)(cid:15)(cid:8)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:8)(cid:4)(cid:22)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:3)(cid:2)(cid:6)(cid:23)(cid:24)(cid:6)(cid:17)(cid:4)(cid:25)(cid:11)(cid:18)(cid:3)(cid:4)(cid:6)(cid:16)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:3)(cid:20)(cid:5)(cid:26)(cid:26)(cid:17)(cid:17)(cid:17)(cid:27)(cid:18)(cid:8)(cid:22)(cid:27)(cid:12)(cid:2)(cid:10)(cid:26)(cid:20)(cid:16)(cid:12)(cid:28)(cid:16)(cid:19)(cid:4)(cid:26) www.irf.com 9

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3) (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:5)(cid:7)(cid:3)(cid:30)(cid:27)(cid:5)(cid:31)(cid:5) (cid:27)(cid:27)(cid:29)(cid:5)(cid:22)(cid:20)(cid:23)(cid:24)(cid:16)(cid:25)(cid:3)(cid:17)(cid:19)(cid:24)(cid:20) Dimensions are shown in millimeters (inches) TRR 1.60 (.063) 1.50 (.059) 1.60 (.063) 4.10 (.161) 1.50 (.059) 3.90 (.153) 0.368 (.0145) 0.342 (.0135) FEED DIRECTION 1.85 (.073) 11.60 (.457) 1.65 (.065) 11.40 (.449) 24.30 (.957) 15.42 (.609) 23.90 (.941) 15.22 (.601) TRL 1.75 (.069) 10.90 (.429) 1.25 (.049) 10.70 (.421) 4.72 (.136) 16.10 (.634) 4.52 (.178) 15.90 (.626) FEED DIRECTION 13.50 (.532) 27.40 (1.079) 12.80 (.504) 23.90 (.941) 4 330.00 60.00 (2.362) (14.173) MIN. MAX. 30.40 (1.197) NOTES : MAX. 1. COMFORMS TO EIA-418. 26.40 (1.039) 4 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 24.40 (.961) 3. DIMENSION MEASURED @ HUB. 3 4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE. (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:2)(cid:8)(cid:6)(cid:3)(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:3)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:8)(cid:8)(cid:4)(cid:14)(cid:3)(cid:6)(cid:15)(cid:8)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:8)(cid:4)(cid:22)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:3)(cid:2)(cid:6)(cid:23)(cid:24)(cid:6)(cid:17)(cid:4)(cid:25)(cid:11)(cid:18)(cid:3)(cid:4)(cid:6)(cid:16)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:3)(cid:20)(cid:5)(cid:26)(cid:26)(cid:17)(cid:17)(cid:17)(cid:27)(cid:18)(cid:8)(cid:22)(cid:27)(cid:12)(cid:2)(cid:10)(cid:26)(cid:20)(cid:16)(cid:12)(cid:28)(cid:16)(cid:19)(cid:4)(cid:26) Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Industrial market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information. 12/2008 10 www.irf.com

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRFS4620TRLPBF IRFS4620PBF