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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS4321TRL7PP由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS4321TRL7PP价格参考。International RectifierIRFS4321TRL7PP封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 86A(Tc) 350W(Tc) D2PAK-7。您可以下载IRFS4321TRL7PP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFS4321TRL7PP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFS4321TRL7PP是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:该型号适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM)。其低导通电阻(Rds(on))特性可降低功耗,提高效率。 2. 电机驱动:用于小型直流电机或无刷直流电机(BLDC)的驱动电路中,提供高效的开关性能和良好的热稳定性。 3. 负载切换:在消费电子、工业设备和汽车电子中,作为负载切换开关,实现快速、可靠的电路控制。 4. 电池管理系统(BMS):用于保护电池组免受过流、短路等异常情况的影响,确保电池安全运行。 5. 逆变器和UPS系统:支持高效能量转换,适用于太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中的功率开关应用。 6. 汽车电子:符合汽车级标准,可用于车载电子设备中的功率管理模块,如电动车窗、座椅加热器等。 7. 工业自动化:在工业控制系统中,用作信号放大或功率输出开关,满足各种自动化需求。 IRFS4321TRL7PP凭借其优异的电气特性和可靠性,成为上述领域的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 150V 86A D2PAKMOSFET MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 86 A |
Id-连续漏极电流 | 86 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS4321TRL7PPHEXFET® |
mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文档才能发货到中国。 |
数据手册 | |
产品型号 | IRFS4321TRL7PP |
Pd-PowerDissipation | 350 W |
Pd-功率耗散 | 350 W |
Qg-GateCharge | 71 nC |
Qg-栅极电荷 | 71 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 11.7 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 11.7 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 60 ns |
下降时间 | 35 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4460pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14.7 毫欧 @ 34A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK-7 |
典型关闭延迟时间 | 25 ns |
功率-最大值 | 350W |
功率耗散 | 350 W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 11.7 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片) |
封装/箱体 | D2PAK-7 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 71 nC |
标准包装 | 800 |
正向跨导-最小值 | 130 S |
汲极/源极击穿电压 | 150 V |
漏极连续电流 | 86 A |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 86A (Tc) |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 30 V |