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  • 型号: IRFS4321PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFS4321PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS4321PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS4321PBF价格参考。International RectifierIRFS4321PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 85A(Tc) 350W(Tc) D2PAK。您可以下载IRFS4321PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFS4321PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFS4321PBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源(SMPS):IRFS4321PBF适用于各种开关电源设计,如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功耗并提高效率。
   - 电池充电器:用于便携式设备、工业设备或电动汽车的电池充电电路中,提供高效的充电管理和保护功能。

 2. 电机驱动
   - 直流无刷电机(BLDC)驱动:在电动工具、家用电器(如风扇、洗衣机)和工业自动化设备中,IRFS4321PBF可用于控制电机的速度和方向。
   - 步进电机驱动:适用于打印机、扫描仪和其他精密运动控制应用。

 3. 负载切换
   - 负载开关:在汽车电子、消费电子产品和通信设备中,用于动态管理不同负载的供电状态。
   - 继电器替代:由于其快速开关速度和高可靠性,可以替代传统的机械继电器,用于高频切换场景。

 4. 逆变器和变频器
   - 太阳能逆变器:在光伏系统中,用于将直流电转换为交流电,支持高效的能量转换。
   - 变频器:在空调、冰箱等家电中,用于调节压缩机或其他组件的工作频率以实现节能效果。

 5. 汽车电子
   - 车载电子系统:如车窗升降器、座椅调节器、雨刮器控制系统等,IRFS4321PBF能够承受汽车环境中的高温和振动。
   - LED照明驱动:用于汽车前大灯、尾灯和内部照明的驱动电路,提供稳定电流输出。

 6. 通信设备
   - 基站功率放大器:在无线通信基础设施中,用于高效管理功率分配。
   - 信号调理电路:用于电信设备中的信号增强和处理。

 7. 工业自动化
   - 可编程逻辑控制器(PLC):用于工业控制系统的输入/输出模块,实现对传感器、执行器等设备的精确控制。
   - 机器人驱动:在机器人关节或移动机构中,用于控制伺服电机或其他动力源。

 总结
IRFS4321PBF凭借其出色的电气性能(如低Rds(on)、高耐压、快速开关能力)和可靠性,适合多种高功率密度和高效能需求的应用场景。无论是消费电子、工业设备还是汽车领域,它都能提供卓越的表现。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 150V 83A D2PAKMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 71nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

83 A

Id-连续漏极电流

83 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS4321PBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFS4321PBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

330 W

Pd-功率耗散

330 W

Qg-GateCharge

71 nC

Qg-栅极电荷

71 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

12 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

12 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4460pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

15 毫欧 @ 33A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

功率-最大值

330W

功率耗散

330 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

12 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

71 nC

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

150 V

漏极连续电流

83 A

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

85A (Tc)

配置

Single Dual Drain

闸/源击穿电压

30 V

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