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  • 型号: IRFS4115PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFS4115PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS4115PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS4115PBF价格参考。International RectifierIRFS4115PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 195A(Tc) 375W(Tc) D2PAK。您可以下载IRFS4115PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFS4115PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFS4115PBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单一类别。该型号的应用场景广泛,适用于多种电力电子设备和系统中。以下是其主要应用场景:

1. 开关电源(SMPS)  
   IRFS4115PBF常用于开关电源的设计中,作为功率开关器件,实现高效的直流-直流转换或交流-直流转换。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于降低功耗,提高整体效率。

2. 电机驱动  
   该MOSFET可用于驱动小型直流电机、步进电机或无刷直流电机(BLDC)。在电机控制电路中,它能够快速切换以调节电机速度和方向,同时保持较低的热损耗。

3. 逆变器  
   在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,IRFS4115PBF可作为功率级的一部分,将直流电转换为交流电。其高频率开关能力和良好的热性能使其成为理想选择。

4. 负载切换与保护  
   该型号适合用作负载切换开关,例如在汽车电子、消费电子或工业控制中,通过快速开启或关闭负载来保护电路免受过流或短路的影响。

5. 电池管理系统(BMS)  
   在锂电池或其他类型电池的管理中,IRFS4115PBF可以用于充放电控制、过流保护以及均衡电路中,确保电池的安全性和使用寿命。

6. 脉宽调制(PWM)控制器  
   该MOSFET适用于各种PWM应用,如LED驱动、音频放大器等。其快速开关特性和低损耗特性使其非常适合高频PWM信号处理。

7. 工业自动化与机器人  
   在工业自动化领域,IRFS4115PBF可用于伺服控制系统、传感器接口和执行器驱动,提供可靠的功率传输和精确的控制能力。

8. 通信设备  
   在基站、路由器或其他通信设备中,该MOSFET可用于电源管理模块,确保设备在高效、稳定的条件下运行。

总之,IRFS4115PBF凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业设备、汽车电子以及绿色能源等领域,满足不同场景下的功率转换和控制需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 150V 195A D2-PAKMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 12.1mOhms 77nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

99 A

Id-连续漏极电流

99 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS4115PBFHEXFET®

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产品型号

IRFS4115PBF

PCN其它

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PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

375 W

Pd-功率耗散

375 W

Qg-GateCharge

77 nC

Qg-栅极电荷

77 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

10.3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

10.3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5270pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

120nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

12.1 毫欧 @ 62A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

功率-最大值

375W

功率耗散

375 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

10.3 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

77 nC

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

150 V

漏极连续电流

99 A

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

195A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfs_sl4115pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfs_sl4115pbf.spi

闸/源击穿电压

20 V

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