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IRFS4115PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS4115PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS4115PBF价格参考。International RectifierIRFS4115PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 195A(Tc) 375W(Tc) D2PAK。您可以下载IRFS4115PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFS4115PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFS4115PBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单一类别。该型号的应用场景广泛,适用于多种电力电子设备和系统中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) IRFS4115PBF常用于开关电源的设计中,作为功率开关器件,实现高效的直流-直流转换或交流-直流转换。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于降低功耗,提高整体效率。 2. 电机驱动 该MOSFET可用于驱动小型直流电机、步进电机或无刷直流电机(BLDC)。在电机控制电路中,它能够快速切换以调节电机速度和方向,同时保持较低的热损耗。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,IRFS4115PBF可作为功率级的一部分,将直流电转换为交流电。其高频率开关能力和良好的热性能使其成为理想选择。 4. 负载切换与保护 该型号适合用作负载切换开关,例如在汽车电子、消费电子或工业控制中,通过快速开启或关闭负载来保护电路免受过流或短路的影响。 5. 电池管理系统(BMS) 在锂电池或其他类型电池的管理中,IRFS4115PBF可以用于充放电控制、过流保护以及均衡电路中,确保电池的安全性和使用寿命。 6. 脉宽调制(PWM)控制器 该MOSFET适用于各种PWM应用,如LED驱动、音频放大器等。其快速开关特性和低损耗特性使其非常适合高频PWM信号处理。 7. 工业自动化与机器人 在工业自动化领域,IRFS4115PBF可用于伺服控制系统、传感器接口和执行器驱动,提供可靠的功率传输和精确的控制能力。 8. 通信设备 在基站、路由器或其他通信设备中,该MOSFET可用于电源管理模块,确保设备在高效、稳定的条件下运行。 总之,IRFS4115PBF凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业设备、汽车电子以及绿色能源等领域,满足不同场景下的功率转换和控制需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 150V 195A D2-PAKMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 12.1mOhms 77nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 99 A |
Id-连续漏极电流 | 99 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS4115PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFS4115PBF |
PCN其它 | |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 375 W |
Pd-功率耗散 | 375 W |
Qg-GateCharge | 77 nC |
Qg-栅极电荷 | 77 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.3 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 10.3 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5270pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12.1 毫欧 @ 62A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 375W |
功率耗散 | 375 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 10.3 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 77 nC |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 150 V |
漏极连续电流 | 99 A |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 195A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfs_sl4115pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfs_sl4115pbf.spi |
闸/源击穿电压 | 20 V |