ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRFS4010PBF
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRFS4010PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS4010PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS4010PBF价格参考。International RectifierIRFS4010PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 180A(Tc) 375W(Tc) D2PAK。您可以下载IRFS4010PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFS4010PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFS4010PBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具体为N沟道增强型功率MOSFET。其应用场景广泛,适用于多种电力电子设备和系统中。 主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS): IRFS4010PBF常用于开关电源中的主开关管或同步整流管。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性使得它在高频开关应用中表现出色,能够提高电源转换效率并减少发热。 2. 电机驱动: 在电机控制电路中,IRFS4010PBF可以作为功率级驱动器,用于控制直流电机、步进电机或无刷直流电机(BLDC)。它能够承受较高的电流和电压,确保电机启动、运行和制动时的稳定性和可靠性。 3. 逆变器: 该器件适用于太阳能逆变器和其他类型的逆变器电路。它可以在逆变器的功率输出级中充当开关元件,实现高效的交流-直流转换,同时保持较低的功耗和热量产生。 4. 电池管理系统(BMS): 在电池管理系统中,IRFS4010PBF可用于保护电路,例如过流保护、短路保护和电池均衡等。其低导通电阻有助于减少电池充放电过程中的能量损失,延长电池寿命。 5. 工业自动化: 在工业控制系统中,IRFS4010PBF可以用于各种负载的开关控制,如电磁阀、继电器和加热元件等。其高可靠性和耐用性使其适合在恶劣环境下长期使用。 6. 消费电子产品: 在消费电子产品中,如笔记本电脑适配器、LED照明驱动器和家用电器控制器中,IRFS4010PBF同样发挥着重要作用。它的紧凑封装和高效性能使其成为这些产品中的理想选择。 总之,IRFS4010PBF凭借其优异的电气特性和可靠性,在多个领域都有广泛的应用,特别是在需要高效、低损耗和高可靠性的电力转换和控制场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 4.7mOhms 143nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 180 A |
Id-连续漏极电流 | 180 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS4010PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFS4010PBF |
PCN其它 | |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 375 W |
Pd-功率耗散 | 375 W |
Qg-GateCharge | 143 nC |
Qg-栅极电荷 | 143 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.9 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.9 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9575pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 215nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.7 毫欧 @ 106A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 375W |
功率耗散 | 375 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 3.9 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 143 nC |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 180 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 180A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfs4010pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfs4010pbf.spi |
闸/源击穿电压 | 20 V |