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  • 型号: IRFS3206PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFS3206PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS3206PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS3206PBF价格参考。International RectifierIRFS3206PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK。您可以下载IRFS3206PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFS3206PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRFS3206PBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),主要应用于中低电压、高效率的功率转换和开关应用。以下是其具体应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):IRFS3206PBF常用于开关电源中的功率级,作为主开关管或同步整流管。它能够高效地控制电流的通断,降低功耗并提高电源的整体效率。
   - DC-DC转换器:在降压、升压或反相转换器中,IRFS3206PBF可以作为开关元件,帮助实现高效的电压转换。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗。

 2. 电机驱动
   - 无刷直流电机 (BLDC):在电机驱动电路中,IRFS3206PBF可用于驱动电机的相位线圈,提供精确的电流控制,确保电机平稳运行。
   - 步进电机:该MOSFET也可以用于步进电机驱动器,特别是在需要高精度控制的应用中,如3D打印机、CNC机床等。

 3. 消费电子
   - 笔记本电脑适配器:在便携式设备的充电器和适配器中,IRFS3206PBF可以用于功率转换部分,确保高效的能量传输。
   - 智能手机和平板电脑:在这些设备的内部电源管理系统中,MOSFET用于电池充电、负载切换等功能,确保设备的稳定性和能效。

 4. 工业自动化
   - 可编程逻辑控制器 (PLC):在工业控制系统中,IRFS3206PBF可以用于控制各种传感器、执行器和其他外围设备,提供可靠的开关功能。
   - 伺服驱动器:在精密的运动控制系统中,该MOSFET用于驱动伺服电机,确保快速响应和高精度的位置控制。

 5. 汽车电子
   - 车载充电系统:在电动汽车或混合动力汽车中,IRFS3206PBF可以用于车载充电器的功率级,确保高效的能量转换。
   - 车身控制模块 (BCM):在汽车的车身控制系统中,MOSFET用于控制车窗、座椅、灯光等设备的电源通断。

 总结
IRFS3206PBF凭借其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、消费电子、工业自动化和汽车电子等领域。它特别适合需要高效功率转换和低损耗的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 120nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

210 A

Id-连续漏极电流

210 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS3206PBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFS3206PBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

300 W

Pd-功率耗散

300 W

Qg-GateCharge

120 nC

Qg-栅极电荷

120 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.4 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.4 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 150µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6540pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

170nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3 毫欧 @ 75A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

功率-最大值

300W

功率耗散

300 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

2.4 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

120 nC

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

210 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfbsl3206pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfbsl3206pbf.spi

配置

Single

闸/源击穿电压

20 V

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