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IRFS3206PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS3206PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS3206PBF价格参考。International RectifierIRFS3206PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK。您可以下载IRFS3206PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFS3206PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFS3206PBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),主要应用于中低电压、高效率的功率转换和开关应用。以下是其具体应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):IRFS3206PBF常用于开关电源中的功率级,作为主开关管或同步整流管。它能够高效地控制电流的通断,降低功耗并提高电源的整体效率。 - DC-DC转换器:在降压、升压或反相转换器中,IRFS3206PBF可以作为开关元件,帮助实现高效的电压转换。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机 (BLDC):在电机驱动电路中,IRFS3206PBF可用于驱动电机的相位线圈,提供精确的电流控制,确保电机平稳运行。 - 步进电机:该MOSFET也可以用于步进电机驱动器,特别是在需要高精度控制的应用中,如3D打印机、CNC机床等。 3. 消费电子 - 笔记本电脑适配器:在便携式设备的充电器和适配器中,IRFS3206PBF可以用于功率转换部分,确保高效的能量传输。 - 智能手机和平板电脑:在这些设备的内部电源管理系统中,MOSFET用于电池充电、负载切换等功能,确保设备的稳定性和能效。 4. 工业自动化 - 可编程逻辑控制器 (PLC):在工业控制系统中,IRFS3206PBF可以用于控制各种传感器、执行器和其他外围设备,提供可靠的开关功能。 - 伺服驱动器:在精密的运动控制系统中,该MOSFET用于驱动伺服电机,确保快速响应和高精度的位置控制。 5. 汽车电子 - 车载充电系统:在电动汽车或混合动力汽车中,IRFS3206PBF可以用于车载充电器的功率级,确保高效的能量转换。 - 车身控制模块 (BCM):在汽车的车身控制系统中,MOSFET用于控制车窗、座椅、灯光等设备的电源通断。 总结 IRFS3206PBF凭借其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、消费电子、工业自动化和汽车电子等领域。它特别适合需要高效功率转换和低损耗的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 120nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 210 A |
Id-连续漏极电流 | 210 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS3206PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFS3206PBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 300 W |
Pd-功率耗散 | 300 W |
Qg-GateCharge | 120 nC |
Qg-栅极电荷 | 120 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.4 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.4 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 150µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6540pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 毫欧 @ 75A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 300W |
功率耗散 | 300 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 2.4 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 120 nC |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 210 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfbsl3206pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfbsl3206pbf.spi |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 20 V |