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  • 型号: IRFS31N20DTRLP
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRFS31N20DTRLP产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS31N20DTRLP由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS31N20DTRLP价格参考。International RectifierIRFS31N20DTRLP封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 200V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载IRFS31N20DTRLP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFS31N20DTRLP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 31A D2PAKMOSFET MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

31 A

Id-连续漏极电流

31 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS31N20DTRLPHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFS31N20DTRLP

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

200 W

Pd-功率耗散

200 W

Qg-GateCharge

70 nC

Qg-栅极电荷

70 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

82 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

82 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

38 ns

下降时间

21 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2370pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

82 毫欧 @ 18A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

IRFS31N20DTRLPDKR

典型关闭延迟时间

23 ns

功率-最大值

3.1W

包装

Digi-Reel®

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

82 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

200 V

漏极连续电流

31 A

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

31A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfbsl31n20d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfbsl31n20d.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

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