图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRFS31N20DPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS31N20DPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS31N20DPBF价格参考￥6.98-￥8.69。International RectifierIRFS31N20DPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFS31N20DPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS31N20DPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAKMOSFET 200V SINGLE N-CH 82mOhms 70nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 31 A |
| Id-连续漏极电流 | 31 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS31N20DPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS31N20DPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 200 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Qg-GateCharge | 70 nC |
| Qg-栅极电荷 | 70 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 82 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 82 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 38 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2370pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 107nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 82 毫欧 @ 18A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRFS31N20DPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfbsl31n20d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfbsl31n20d.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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