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Datasheet下载- 型号： IRFS23N15DTRLP
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRFS23N15DTRLP产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS23N15DTRLP由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS23N15DTRLP价格参考。International RectifierIRFS23N15DTRLP封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 150V 23A（Tc） 3.8W（Ta），136W（Tc） D2PAK。您可以下载IRFS23N15DTRLP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS23N15DTRLP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 1.2 nF |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 23A D2PAKMOSFET MOSFT 150V 23A 90mOhm 37nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 23 A |
| Id-连续漏极电流 | 23 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS23N15DTRLPHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS23N15DTRLP |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.8 W |
| Pd-功率耗散 | 38 W |
| Qg-栅极电荷 | 37 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 90 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5.5 V |
| 上升时间 | 32 ns |
| 下降时间 | 8.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 14A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRFS23N15DTRLPCT |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 23A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
