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  • 型号: IRFR9N20DTRLPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR9N20DTRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR9N20DTRLPBF价格参考。International RectifierIRFR9N20DTRLPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR9N20DTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR9N20DTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAKMOSFET MOSFT 200V 9.4A 380mOhm 18nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

9.4 A

Id-连续漏极电流

9.4 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR9N20DTRLPBFHEXFET®

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产品型号

IRFR9N20DTRLPBF

Pd-PowerDissipation

86 W

Pd-功率耗散

86 W

Qg-GateCharge

18 nC

Qg-栅极电荷

18 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

380 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

380 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

16 ns

下降时间

9.3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

560pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

27nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

380 毫欧 @ 5.6A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

典型关闭延迟时间

13 ns

功率-最大值

86W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

4.3 S

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.4A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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