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Datasheet下载- 型号： IRFR9210TRPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR9210TRPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR9210TRPBF价格参考。VishayIRFR9210TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 200V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR9210TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR9210TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRFR9210TRPBF 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有多种应用场景，尤其适用于需要高效开关和低功耗的电路设计。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 IRFR9210TRPBF 常用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电压调节模块（VRM）等。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得它在高电流应用中能够减少功率损耗，提高转换效率，降低发热。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于驱动小型直流电机或步进电机。由于其快速开关特性和低导通电阻，它可以有效地控制电机的启动、停止和速度调节，同时减少能耗并提高系统的响应速度。 3. 电池管理系统 在电池管理系统（BMS）中，IRFR9210TRPBF 可以用作充放电控制开关，确保电池在安全范围内工作。它的低导通电阻有助于减少充电和放电过程中的能量损失，延长电池寿命。 4. 负载开关 在消费电子设备、工业控制系统和其他需要频繁切换负载的应用中，IRFR9210TRPBF 可以作为高效的负载开关。它能够快速响应负载变化，提供稳定的电流输出，并且在关闭时几乎不消耗静态电流。 5. 逆变器和变频器 在逆变器和变频器中，IRFR9210TRPBF 可用于将直流电转换为交流电，或者调整交流电的频率和电压。其快速开关特性和良好的热稳定性使其能够在这些高频应用中表现出色。 6. 汽车电子 在汽车电子系统中，如电动助力转向（EPS）、车身控制系统（BCM）、LED 照明等，IRFR9210TRPBF 可以用作开关元件，确保系统的可靠性和高效性。其耐高温和抗干扰能力强，适合车载环境。 7. 通信设备 在通信基站、路由器等设备中，IRFR9210TRPBF 可用于电源管理和信号处理电路中，提供稳定的工作电压和电流，确保设备的正常运行。 总之，IRFR9210TRPBF 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种需要高效开关和低功耗的场景中，特别适合于对性能和能效有较高要求的系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAKMOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.9 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?91281 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFR9210TRPBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91281 |
| 产品型号 | IRFR9210TRPBFIRFR9210TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 170pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 1.1A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Single-Gate MOSFET Transistors |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRFR9210PBFTR |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 3 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 200 V |
| 漏极连续电流 | 1.9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.9A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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