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Datasheet下载- 型号： IRFR9210PBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR9210PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR9210PBF价格参考。VishayIRFR9210PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 200V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR9210PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR9210PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFR9210PBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 IRFR9210PBF常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中。由于其低导通电阻（Rds(on)），可以有效减少传导损耗，提高电源效率。它适用于降压、升压和反相转换器等拓扑结构，特别适合需要高频率开关的应用。 2. 电机驱动 在电机控制应用中，IRFR9210PBF可以用作驱动电路中的开关元件。它能够快速响应并精确控制电机的启动、停止和速度调节。由于其低损耗特性，能够有效降低发热，延长系统的使用寿命。 3. 负载开关 在消费电子设备中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，IRFR9210PBF可以用作负载开关，用于控制不同模块的供电状态。它的快速开关特性和低导通电阻使得它能够在不影响系统性能的情况下，实现高效的电源管理。 4. 电池管理系统 在电池管理系统（BMS）中，IRFR9210PBF可以用于保护电路，防止过充、过放和短路等问题。它能够快速切断电流路径，确保电池的安全运行。此外，其低功耗特性也有助于延长电池寿命。 5. 逆变器和变频器 在工业应用中，IRFR9210PBF可用于逆变器和变频器中，作为功率级的关键元件。它可以处理较大的电流和电压波动，确保系统的稳定性和可靠性。其快速开关特性有助于减少谐波失真，提高输出波形的质量。 6. LED驱动 在LED照明应用中，IRFR9210PBF可以用作恒流源或调光控制器。通过精确控制电流，它可以确保LED灯的亮度和色温保持一致，同时减少能耗和热量产生。 总结 IRFR9210PBF凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关、电池管理、逆变器和LED驱动等领域。它不仅能够提高系统的效率和稳定性，还能有效降低功耗和发热量，满足现代电子设备对高性能和低功耗的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAKMOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.9 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?91281 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFR9210PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR9210PBFIRFR9210PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 170pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 1.1A，10V |
| 产品种类 | Single-Gate MOSFET Transistors |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.9A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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