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Datasheet下载- 型号： IRFR9210
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR9210由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR9210价格参考。VishayIRFR9210封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 200V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR9210参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR9210 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFR9210是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS） IRFR9210具有低导通电阻（Rds(on)），这使得它在开关电源中表现出色。它可以用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等场合，作为主开关管或同步整流管，能够有效降低功耗，提高效率。 2. 电机驱动 该器件适用于小型电机驱动电路，如步进电机、直流无刷电机（BLDC）等。由于其快速开关特性和较低的导通损耗，IRFR9210可以在高频条件下稳定工作，确保电机运行时的高效和可靠性。 3. 电池管理系统（BMS） 在电池管理系统中，IRFR9210可以用于电池充放电控制、过流保护以及短路保护等环节。通过精确控制电流路径，它可以有效地防止电池过充、过放等问题，延长电池寿命。 4. 负载开关 IRFR9210可以用作负载开关，控制电源与负载之间的连接。例如，在便携式电子设备中，它可以用于实现快速上电/断电功能，同时提供过流和短路保护，确保系统的安全性和稳定性。 5. 逆变器 在光伏逆变器和其他类型的逆变器中，IRFR9210可以作为功率级的关键元件，用于将直流电转换为交流电。其高耐压和低损耗特性使其能够在恶劣的工作环境下保持高效运行。 6. 工业自动化 IRFR9210也适用于工业自动化领域中的各种控制电路，如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口等。它能够承受较大的电流波动，并且具备良好的热稳定性，适合长期连续工作。 总之，IRFR9210凭借其优异的电气性能和可靠性，成为众多电力电子应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAKMOSFET P-Chan 200V 1.9 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.9 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFR9210- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91281 |
| 产品型号 | IRFR9210IRFR9210 |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 170pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 1.1A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRFR9210 |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 3 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 200 V |
| 漏极连续电流 | 1.9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.9A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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