ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFR9120NTRLPBF
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Datasheet下载- 型号： IRFR9120NTRLPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR9120NTRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR9120NTRLPBF价格参考￥1.44-￥1.57。International RectifierIRFR9120NTRLPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 40W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR9120NTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR9120NTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFR9120NTRLPBF是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 开关电源 IRFR9120NTRLPBF常用于开关电源的设计，尤其是在需要高效、低损耗的DC-DC转换器和AC-DC适配器中。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性有助于提高电源效率，减少发热，延长设备使用寿命。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，如无人机、机器人、电动工具等，IRFR9120NTRLPBF可以作为功率级元件，用于控制电机的速度和方向。其低功耗和高可靠性使得它在这些应用中表现出色，能够承受较大的电流波动和温度变化。 3. 电池管理系统（BMS） 该MOSFET适用于电池管理系统的充放电控制电路中。通过精确控制充电和放电路径，确保电池的安全性和稳定性。它的低导通电阻有助于减少能量损失，提升电池的整体性能。 4. 负载开关 在消费电子和工业设备中，IRFR9120NTRLPBF可以用作负载开关，实现对不同负载的快速切换和保护。例如，在智能手机和平板电脑中，它可以用来管理USB端口的供电，防止过流和短路。 5. 逆变器 在光伏逆变器和其他类型的逆变器中，IRFR9120NTRLPBF可以用于将直流电转换为交流电。其高效的开关特性和良好的热稳定性使其成为逆变器设计中的理想选择。 6. LED驱动 在LED照明系统中，IRFR9120NTRLPBF可以用于恒流源或调光控制电路中，确保LED灯的亮度稳定，并且可以根据需求调节亮度，从而实现节能和延长LED寿命的效果。 总结 IRFR9120NTRLPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种电力电子应用场景，特别是在需要高效、低损耗和高可靠性的场合下表现尤为突出。无论是开关电源、电机驱动还是电池管理，这款MOSFET都能提供稳定可靠的性能支持。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAKMOSFET MOSFT PCh -6.5A 480mOhm 18nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 6.5 A |
| Id-连续漏极电流 | - 6.5 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR9120NTRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR9120NTRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 39 W |
| Pd-功率耗散 | 39 W |
| Qg-GateCharge | 18 nC |
| Qg-栅极电荷 | 18 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 480 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 480 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 480 毫欧 @ 3.9A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.6A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfr9120n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfr9120n.spi |
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