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IRFR9024NPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR9024NPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR9024NPBF价格参考。International RectifierIRFR9024NPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR9024NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR9024NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFR9024NPBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于FET(场效应晶体管)类别。该型号的主要应用场景包括: 1. 开关电源:IRFR9024NPBF广泛应用于各种开关电源中,如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻和快速开关特性使得它在这些应用中能够高效地进行电流切换,减少能量损耗。 2. 电机控制:在小型电机控制系统中,IRFR9024NPBF可以用于驱动电机的启停和调速。例如,在风扇、水泵、电动工具等设备中,该MOSFET能够精确控制电机的工作状态,提高系统的响应速度和效率。 3. 电池管理系统:在便携式电子设备的电池管理系统中,IRFR9024NPBF可以作为充放电路径的开关元件。它能够有效保护电池免受过充、过放和短路等问题的影响,确保电池的安全性和寿命。 4. 负载开关:在消费电子产品中,IRFR9024NPBF常被用作负载开关,用于控制电路中的电源分配。它可以迅速切断或接通电源,从而实现节能和安全保护功能。 5. 信号调理电路:在一些模拟电路设计中,IRFR9024NPBF可以用作信号调理元件,例如在传感器接口电路中,它可以帮助放大或衰减信号,确保信号传输的稳定性和准确性。 6. 保护电路:该MOSFET还可以用于构建过流保护、短路保护等电路,以防止系统因异常情况而损坏。它能够在检测到异常电流时迅速切断电路,起到保护作用。 总之,IRFR9024NPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,适用于多种电力电子应用领域,特别是在需要高效、快速响应和低功耗的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET P-CH 55V 11A DPAKMOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
Id-连续漏极电流 | 11 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR9024NPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFR9024NPBF |
Pd-PowerDissipation | 38 W |
Pd-功率耗散 | 38 W |
Qg-GateCharge | 12.7 nC |
Qg-栅极电荷 | 12.7 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 175 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 175 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 175 毫欧 @ 6.6A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 38W |
功率耗散 | 38 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 175 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | P-Channel |
栅极电荷Qg | 12.7 nC |
标准包装 | 75 |
汲极/源极击穿电压 | - 55 V |
漏极连续电流 | 11 A |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfr9024n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfr9024n.spi |
闸/源击穿电压 | 20 V |