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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR9020PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR9020PBF价格参考。VishayIRFR9020PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR9020PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR9020PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFR9020PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS):IRFR9020PBF因其低导通电阻和高开关速度,适合用于开关电源中的高频开关应用。它能够高效地控制电流流动,减少能量损耗。 2. 直流电机驱动:在小型直流电机控制中,该MOSFET可以用作开关元件,实现对电机的速度和方向的精确控制。 3. 负载切换:在需要频繁开启或关闭负载的电路中,如汽车电子系统或消费电子产品,IRFR9020PBF可以作为高效的负载切换器件。 4. 电池管理:用于便携式设备的电池管理系统中,帮助实现电池充放电控制、保护电路等功能,确保电池的安全和稳定运行。 5. 逆变器和转换器:在光伏逆变器或其他类型的电力转换设备中,该MOSFET可用于功率级电路,以提高效率并降低热损耗。 6. 音频放大器:在某些高性能音频放大器设计中,IRFR9020PBF可用作输出级晶体管,提供高保真度的声音输出。 7. LED驱动:在大功率LED照明应用中,该MOSFET可用来调节电流,确保LED亮度的一致性和稳定性。 总之,IRFR9020PBF凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率控制和转换的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAKMOSFET P-Chan 50V 9.9 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 9.9 A |
Id-连续漏极电流 | 9.9 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFR9020PBF- |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?90350 |
产品型号 | IRFR9020PBFIRFR9020PBF |
Pd-PowerDissipation | 42 W |
Pd-功率耗散 | 42 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 280 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 280 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 50 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 50 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 67 ns |
下降时间 | 25 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 490pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 280 毫欧 @ 5.7A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
典型关闭延迟时间 | 12 ns |
功率-最大值 | 42W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 50V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.9A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |