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Datasheet下载- 型号： IRFR9014TRPBF
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR9014TRPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR9014TRPBF价格参考。VishayIRFR9014TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR9014TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR9014TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFR9014TRPBF是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET适用于开关电源中的高频开关应用，如DC-DC转换器、反激式变换器等。它能够高效地控制电流的通断，减少能量损耗，提高电源效率。 2. 电机驱动：在小型电机驱动电路中，IRFR9014TRPBF可以用于驱动直流电机或步进电机。它的低导通电阻（Rds(on)）有助于减少发热，延长器件寿命，并提供稳定的电流输出。 3. 负载开关：作为负载开关，它可以快速响应负载的变化，确保电路的安全性和稳定性。例如，在电池管理系统中，MOSFET可以用作保护开关，防止过流、短路等异常情况。 4. LED驱动：在LED照明系统中，该MOSFET可以用于调光和恒流控制。通过PWM（脉宽调制）信号控制MOSFET的导通时间，实现对LED亮度的精确调节。 5. 通信设备：在无线通信基站、路由器等设备中，IRFR9014TRPBF可用于电源管理模块，确保设备在不同工作模式下的稳定供电。 6. 消费电子产品：如智能手机、平板电脑等便携式设备中，该MOSFET可以用于充电管理、电源切换等功能，保证设备的高效运行和长续航。 7. 汽车电子：在汽车电子控制系统中，如车载音响、导航系统等，MOSFET可以用于电源管理和信号处理，确保系统的可靠性和安全性。 总之，IRFR9014TRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种电力电子应用场合，尤其适合需要高效、快速响应和低功耗的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAKMOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.1 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFR9014TRPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR9014TRPBFIRFR9014TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 500 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 500 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 63 ns |
| 下降时间 | 31 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 270pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 500 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRFR9014PBFTR |
| 典型关闭延迟时间 | 9.6 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 500 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
| 漏极连续电流 | 5.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.1A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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