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IRFR825TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR825TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR825TRPBF价格参考。International RectifierIRFR825TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 500V 6A(Tc) 119W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR825TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR825TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 6A DPAKMOSFET 500V 3.5A 2.2Ohm MotIRFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
Id-连续漏极电流 | 6 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR825TRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFR825TRPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 119 W |
Pd-功率耗散 | 119 W |
Qg-GateCharge | 34 nC |
Qg-栅极电荷 | 34 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.05 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.05 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V to 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V to 5 V |
上升时间 | 25 ns |
下降时间 | 20 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1346pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.3 欧姆 @ 3.7A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | IRFR825TRPBFCT |
典型关闭延迟时间 | 30 ns |
功率-最大值 | 119W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 7.5 S |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfr825trpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfr825trpbf.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |