图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: IRFR6215PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRFR6215PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR6215PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR6215PBF价格参考。International RectifierIRFR6215PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR6215PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR6215PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRFR6215PBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面:

 1. 电源管理
   IRFR6215PBF常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中,作为功率开关元件。它能够高效地控制电流的通断,帮助实现稳定的电压输出。该器件具有低导通电阻(Rds(on)),能够在高频开关状态下保持较低的功耗,适用于需要高效率的电源管理系统。

 2. 电机驱动
   在小型电机驱动电路中,IRFR6215PBF可以作为功率级的一部分,用于控制电机的启动、停止和调速。它能够承受较大的电流波动,并且在快速切换时保持稳定性能,适用于步进电机、无刷直流电机(BLDC)等驱动应用。

 3. 电池管理系统
   该MOSFET也常用于电池保护电路中,特别是在锂电池组的充放电保护电路中。它可以防止过流、短路等异常情况,确保电池的安全使用。由于其低导通电阻特性,IRFR6215PBF在电池充放电过程中产生的热量较少,有助于提高系统的整体效率。

 4. 工业自动化
   在工业控制系统中,IRFR6215PBF可用于驱动电磁阀、继电器等负载。它能够承受较高的工作电压和电流,同时具备快速响应能力,适合用于需要精确控制的场合,如工厂自动化生产线中的传感器接口、信号隔离等应用。

 5. 消费电子产品
   IRFR6215PBF还广泛应用于消费电子产品中,如笔记本电脑适配器、手机充电器、LED照明驱动等。它能够提供高效的电源转换和稳定的电流控制,确保设备在不同负载条件下正常运行。

 总结
IRFR6215PBF凭借其优异的电气性能和可靠性,在电源管理、电机驱动、电池保护、工业自动化以及消费电子产品等领域有着广泛的应用。其低导通电阻、快速开关特性和耐高压能力,使其成为众多设计工程师的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 150V 13A DPAKMOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

13 A

Id-连续漏极电流

13 A

品牌

International Rectifier

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR6215PBFHEXFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRFR6215PBF

Pd-PowerDissipation

110 W

Pd-功率耗散

110 W

Qg-GateCharge

44 nC

Qg-栅极电荷

44 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

580 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

580 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 150 V

Vds-漏源极击穿电压

- 150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

36 ns

下降时间

37 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

860pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

66nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

295 毫欧 @ 6.6A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

*IRFR6215PBF

典型关闭延迟时间

53 ns

功率-最大值

110W

功率耗散

110 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

580 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

75

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

44 nC

标准包装

75

汲极/源极击穿电压

- 150 V

漏极连续电流

13 A

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

20 V

推荐商品

型号:SPB80N06S08ATMA1

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:STD65N55F3

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:BTS282Z E3180A

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRFU120ZPBF

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:NTR4003NT3G

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRF840LCLPBF

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IXFP22N60P3

品牌:IXYS

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:CSD17505Q5A

品牌:Texas Instruments

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
IRFR6215PBF 相关产品

IRLR014PBF

品牌:Vishay Siliconix

价格:

AOWF240

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

价格:

IXFN100N50P

品牌:IXYS

价格:

IXTA6N50P

品牌:IXYS

价格:

ZVN4206ASTOB

品牌:Diodes Incorporated

价格:

IRF5802TRPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

TK12A60U(Q,M)

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

价格:

2N7000RLRAG

品牌:ON Semiconductor

价格: