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  • 型号: IRFR5410PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRFR5410PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR5410PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR5410PBF价格参考。International RectifierIRFR5410PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 100V 13A(Tc) 66W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR5410PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR5410PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFR5410PBF是由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源(SMPS)
   - IRFR5410PBF适用于各种开关电源的设计,如AC-DC或DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高效率。
   - 常用于笔记本适配器、手机充电器、LED驱动电源等。

 2. 电机控制
   - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中,该MOSFET可用作开关元件,实现对电机速度和方向的精确控制。
   - 应用于家用电器(如风扇、吸尘器)和工业自动化设备中的电机控制系统。

 3. 逆变器
   - 用于太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,作为功率开关器件,将直流电转换为交流电。
   - 其快速开关特性和良好的热性能适合高频逆变应用。

 4. 负载切换
   - 在需要频繁开启或关闭负载的应用中,IRFR5410PBF可以作为高效的电子开关。
   - 例如:汽车电子系统中的负载切换、电池管理系统中的电流控制。

 5. 保护电路
   - 可用于过流保护、短路保护或限流电路设计。通过检测电流并调节栅极电压,实现对电路的保护功能。
   - 常见于USB接口保护、电池保护模块等。

 6. 音频放大器
   - 在某些D类音频放大器中,IRFR5410PBF可以用作输出级开关器件,提供高效率和低失真性能。

 特性优势:
- 低导通电阻:典型值为25mΩ(Vgs=10V),有助于降低功耗。
- 高击穿电压:额定电压为55V,适合中低压应用。
- 大电流能力:持续漏极电流可达82A(脉冲模式下更高),满足高功率需求。
- 快速开关速度:优化了动态性能,适合高频应用。

综上所述,IRFR5410PBF是一款适用于多种功率电子场景的高性能MOSFET,特别适合需要高效能、低损耗和可靠性的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 100V 13A DPAKMOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

13 A

Id-连续漏极电流

13 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR5410PBFHEXFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRFR5410PBF

Pd-PowerDissipation

66 W

Pd-功率耗散

66 W

Qg-GateCharge

38.7 nC

Qg-栅极电荷

38.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

205 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

205 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 100 V

Vds-漏源极击穿电压

- 100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

58 ns

下降时间

46 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

760pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

58nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

205 毫欧 @ 7.8A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

典型关闭延迟时间

45 ns

功率-最大值

66W

功率耗散

66 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

205 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

75

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

38.7 nC

标准包装

75

汲极/源极击穿电压

- 100 V

漏极连续电流

13 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr5410.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr5410.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

20 V

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