ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRFR5410PBF
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRFR5410PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR5410PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR5410PBF价格参考。International RectifierIRFR5410PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 100V 13A(Tc) 66W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR5410PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR5410PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFR5410PBF是由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - IRFR5410PBF适用于各种开关电源的设计,如AC-DC或DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高效率。 - 常用于笔记本适配器、手机充电器、LED驱动电源等。 2. 电机控制 - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中,该MOSFET可用作开关元件,实现对电机速度和方向的精确控制。 - 应用于家用电器(如风扇、吸尘器)和工业自动化设备中的电机控制系统。 3. 逆变器 - 用于太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,作为功率开关器件,将直流电转换为交流电。 - 其快速开关特性和良好的热性能适合高频逆变应用。 4. 负载切换 - 在需要频繁开启或关闭负载的应用中,IRFR5410PBF可以作为高效的电子开关。 - 例如:汽车电子系统中的负载切换、电池管理系统中的电流控制。 5. 保护电路 - 可用于过流保护、短路保护或限流电路设计。通过检测电流并调节栅极电压,实现对电路的保护功能。 - 常见于USB接口保护、电池保护模块等。 6. 音频放大器 - 在某些D类音频放大器中,IRFR5410PBF可以用作输出级开关器件,提供高效率和低失真性能。 特性优势: - 低导通电阻:典型值为25mΩ(Vgs=10V),有助于降低功耗。 - 高击穿电压:额定电压为55V,适合中低压应用。 - 大电流能力:持续漏极电流可达82A(脉冲模式下更高),满足高功率需求。 - 快速开关速度:优化了动态性能,适合高频应用。 综上所述,IRFR5410PBF是一款适用于多种功率电子场景的高性能MOSFET,特别适合需要高效能、低损耗和可靠性的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 100V 13A DPAKMOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
Id-连续漏极电流 | 13 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR5410PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFR5410PBF |
Pd-PowerDissipation | 66 W |
Pd-功率耗散 | 66 W |
Qg-GateCharge | 38.7 nC |
Qg-栅极电荷 | 38.7 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 205 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 205 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 58 ns |
下降时间 | 46 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 760pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 58nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 205 毫欧 @ 7.8A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
典型关闭延迟时间 | 45 ns |
功率-最大值 | 66W |
功率耗散 | 66 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 205 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 38.7 nC |
标准包装 | 75 |
汲极/源极击穿电压 | - 100 V |
漏极连续电流 | 13 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr5410.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr5410.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 20 V |