ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFR540ZTRPBF
Datasheet下载- 型号： IRFR540ZTRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR540ZTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR540ZTRPBF价格参考。International RectifierIRFR540ZTRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 91W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR540ZTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR540ZTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFR540ZTRPBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于多种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS）：IRFR540ZTRPBF常用于开关电源中的功率转换电路，如反激式、正激式和推挽式变换器。它能够高效地进行高频开关操作，确保电源系统的稳定性和效率。 2. 电机驱动：在电机控制系统中，该MOSFET可用于驱动直流电机或步进电机。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少发热，提高驱动效率，特别适用于需要频繁启停或调速的应用场景。 3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，IRFR540ZTRPBF可以作为功率级器件，将直流电转换为交流电。其快速开关特性和低损耗特性使其成为逆变器的理想选择。 4. 不间断电源（UPS）：在UPS系统中，该MOSFET用于电池充电电路和逆变电路，确保在市电中断时能够迅速切换到备用电源，保障负载的持续供电。 5. 工业自动化：在工业控制领域，如PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器等设备中，IRFR540ZTRPBF用于实现信号隔离和功率放大，确保系统的可靠性和响应速度。 6. 消费电子产品：在一些消费类电子产品中，如笔记本电脑适配器、手机充电器等，该MOSFET也得到了广泛应用，提供高效、紧凑的电源解决方案。 7. 汽车电子：尽管IRFR540ZTRPBF并非专门针对汽车应用设计，但在某些非关键的车载电子设备中，如车灯控制、风扇驱动等，也可以使用该MOSFET。 总的来说，IRFR540ZTRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于各种需要高效功率转换和控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 35A DPAKMOSFET MOSFT 100V 35A 28.5mOhm 39nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 35 A |
| Id-连续漏极电流 | 35 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR540ZTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR540ZTRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 91 W |
| Pd-功率耗散 | 91 W |
| Qg-GateCharge | 59 nC |
| Qg-栅极电荷 | 59 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 28.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 28.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 42 ns |
| 下降时间 | 34 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1690pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 59nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 28.5 毫欧 @ 21A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 91W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 28.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 标准包装 | 6,000 |
| 正向跨导-最小值 | 28 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 35 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
| 配置 | Single |
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