PD - 96141B IRFR540ZPbF Features IRFU540ZPbF (cid:1) Advanced Process Technology (cid:1) Ultra Low On-Resistance HEXFET® Power MOSFET (cid:1) 175°C Operating Temperature (cid:1) Fast Switching D V = 100V (cid:1) Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax DSS (cid:1) Lead-Free (cid:1) Halogen-Free R = 28.5mΩ DS(on) G Description This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest ID = 35A S processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. D-Pak I-Pak IRFR540ZPbF IRFU540ZPbF Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 35 ID @ TC = 100°CContinuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 25 A IDM Pulsed Drain Current (cid:0) 140 PD @TC = 25°C Power Dissipation 91 W Linear Derating Factor 0.61 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V E Single Pulse Avalanche Energy(cid:1) 39 mJ AS (Thermally limited) E (Tested ) Single Pulse Avalanche Energy Tested Value (cid:2) 75 AS I Avalanche Current(cid:3)(cid:0) See Fig.12a, 12b, 15, 16 A AR E Repetitive Avalanche Energy (cid:4) mJ AR TJ Operating Junction and -55 to + 175 TSTG Storage Temperature Range °C Reflow Soldering Temperature, for 10 seconds 300 Mounting Torque, 6-32 or M3 screw 10 lbf(cid:7)in (1.1N(cid:7)m) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case (cid:5) ––– 1.64 RθJA Junction-to-Ambient (PCB mount) (cid:6)(cid:5) ––– 40 °C/W RθJA Junction-to-Ambient (cid:5) ––– 110 (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:2)(cid:5)(cid:1)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:7)(cid:8)(cid:13)(cid:11)(cid:10)(cid:11)(cid:14)(cid:6)(cid:13)(cid:10)(cid:9)(cid:14)(cid:11)(cid:15)(cid:9)(cid:10)(cid:16)(cid:6)(cid:17)(cid:18)(cid:6)(cid:19)(cid:20)(cid:13)(cid:11)(cid:10)(cid:20)(cid:9)(cid:13)(cid:7)(cid:17)(cid:20)(cid:9)(cid:21)(cid:6)(cid:22)(cid:11)(cid:23)(cid:13)(cid:7)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:10)(cid:24) www.irf.com 1 (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:1)(cid:3)(cid:5)(cid:1)

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V Drain-to-Source Breakdown Voltage 100 ––– ––– V V = 0V, I = 250µA (BR)DSS GS D ∆V /∆T Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.092 ––– V/°C Reference to 25°C, I = 1mA (BR)DSS J D R Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 22.5 28.5 mΩ V = 10V, I = 21A (cid:2) DS(on) GS D V Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V V = V , I = 50µA GS(th) DS GS D gfs Forward Transconductance 28 ––– ––– S V = 25V, I = 21A DS D I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 20 µA V = 100V, V = 0V DSS DS GS ––– ––– 250 V = 100V, V = 0V, T = 125°C DS GS J I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 200 nA V = 20V GSS GS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -200 V = -20V GS Q Total Gate Charge ––– 39 59 I = 21A g D Q Gate-to-Source Charge ––– 11 ––– nC V = 50V gs DS Q Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 12 ––– V = 10V (cid:2) gd GS t Turn-On Delay Time ––– 14 ––– V = 50V d(on) DD t Rise Time ––– 42 ––– I = 21A r D t Turn-Off Delay Time ––– 43 ––– ns R = 13 Ω d(off) G t Fall Time ––– 34 ––– V = 10V (cid:2) f GS L Internal Drain Inductance ––– 4.5 ––– Between lead, D D nH 6mm (0.25in.) L Internal Source Inductance ––– 7.5 ––– from package G S and center of die contact S C Input Capacitance ––– 1690 ––– V = 0V iss GS C Output Capacitance ––– 180 ––– V = 25V oss DS C Reverse Transfer Capacitance ––– 100 ––– pF ƒ = 1.0MHz rss C Output Capacitance ––– 720 ––– V = 0V, V = 1.0V, ƒ = 1.0MHz oss GS DS C Output Capacitance ––– 110 ––– V = 0V, V = 80V, ƒ = 1.0MHz oss GS DS C eff. Effective Output Capacitance ––– 190 ––– V = 0V, V = 0V to 80V (cid:3) oss GS DS Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– 35 MOSFET symbol (Body Diode) A showing the ISM Pulsed Source Current ––– ––– 140 integral reverse (Body Diode)(cid:0)(cid:1) p-n junction diode. VSD Diode Forward Voltage ––– ––– 1.3 V TJ = 25°C, IS = 21A, VGS = 0V (cid:2) trr Reverse Recovery Time ––– 32 48 ns TJ = 25°C, IF = 21A, VDD = 50V Qrr Reverse Recovery Charge ––– 40 60 nC di/dt = 100A/µs (cid:2) ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) 1000 1000 VGS ≤60µs PULSE WIDTH VGS TOP 15V Tj = 25°C TOP 15V 10V 10V A) 8.0V A) 8.0V n( t 76..00VV n( t 76..00VV e 5.5V e 5.5V Curr 100 BOTTOM 54..05VV Curr 100 BOTTOM 54..05VV e e c c ur ur o o S S o- o- na-ti 10 na-ti 10 4.5V Dr Dr , D , D I I ≤60µs PULSE WIDTH 4.5V Tj = 175°C 1 1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 70 TJ = 25°C S) 60 Α) e( (unerrt 100 uancct 50 C d ec TJ = 175°C onc 40 Snoou--rt 10 Tadansrr 30 TJ = 175°C ai w Dr 1 TJ = 25°C or 20 I, D VDS = 25V GF ,sf 10 VDS = 10V ≤60µs PULSE WIDTH 380µs PULSE WIDTH 0.1 0 2 3 4 5 6 7 8 0 10 20 30 40 50 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) ID,Drain-to-Source Current (A) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Typical Forward Transconductance vs. Drain Current www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) 3000 20 VGS = 0V, f = 1 MHZ I = 21A D Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED 2500 CCrossss == CCdgsd + Cgd Vge() 16 VVDDSS== 5800VV a VDS= 20V Fp)2000 Votl e( Ciss e 12 c c ancti1500 Sour CCapa, 1000 Gaeo--tt 8 , GS 4 500 Coss V Crss 0 0 0 10 20 30 40 50 60 1 10 100 QG Total Gate Charge (nC) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 5. Typical Capacitance vs. Fig 6. Typical Gate Charge vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 1000.0 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R (on) DS An()t 100.0 Aen()t 100 CDnuearrr i 10.0 TJ = 175°C Coueucrrr 10 1m10s0eµcsec es So- eevr TJ = 25°C an-ti R ,DS 1.0 Dr , D 1 Tc = 25°C 10msec I I Tj = 175°C DC VGS = 0V Single Pulse 0.1 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 0 1 10 100 1000 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) VDS , Drain-toSource Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) 40 2.5 e I = 21A c D n ast VGS = 10V si 30 Re 2.0 Auenrr()t Onuecr edz) CDnar i 20 Snoo--t mNoarli 1.5 , ID 10 Dar, iRDSon() ( 1.0 0 0.5 25 50 75 100 125 150 175 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 TC , CaseTemperature (°C) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 9. Maximum Drain Current vs. Fig 10. Normalized On-Resistance Case Temperature vs. Temperature 10 ) C 1 J D = 0.50 h Znes( t 00..2100 R1R R2R R3R Ri (°C/W) τi (sec) Rpoaes l 0.1 000...000251 τJτJτ1τ1 1 τ2τ2 2 τ3τ33 τCτ 20..662661 1 00..000001025927 m Ci= τi/Ri 0.7154 0.01832 her 0.01 Ci i/Ri T SINGLE PULSE Notes: ( THERMAL RESPONSE ) 1. Duty Factor D = t1/t2 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) 160 15V mJ) I D y( TOP 6.5A g VDS L DRIVER Ener 120 B O T T O M 92.14AA e h c RG D.U.T + an - VDD al IAS A Av 80 2V0GVS tp 0.01Ω ues l P e Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit gl 40 n V(BR)DSS Si tp AS , E 0 25 50 75 100 125 150 175 Starting TJ, Junction Temperature (°C) IAS Fig 12c. Maximum Avalanche Energy Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms vs. Drain Current Q G (cid:25)(cid:26)(cid:6)(cid:27) Q Q GS GD 4.5 I = 1.0mA D V) 4.0 ID = 250µA VG e( ID = 50µA g a otl 3.5 V Charge od l 3.0 h Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform s e hr e t 2.5 at G h) 2.0 S(t G L V 1.5 VCC DUT 0 1.0 1K -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 TJ , Temperature ( °C ) Fig 13b. Gate Charge Test Circuit Fig 14. Threshold Voltage vs. Temperature 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) 100 Duty Cycle = Single Pulse A) Allowed avalanche Current vs en(t 10 0.01 aavssaulamncinhge ∆pTuj l=se 2w5id°Cth , dutea vt o urr avalanche losses C 0.05 e hc 0.10 n a al 1 v A 0.1 1.0E-06 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 tav (sec) Fig 15. Typical Avalanche Current vs.Pulsewidth 40 Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 15, 16: TOP Single Pulse (For further info, see AN-1005 at www.irf.com) BOTTOM 1% Duty Cycle 1. Avalanche failures assumption: J) ID = 21A Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a my( 30 etevmerpye praatrut rtey pfaer. in excess of Tjmax. This is validated for g er 2. Safe operation in Avalanche is allowed as long asTjmax is En not exceeded. e 3. Equation below based on circuit and waveforms shown in h 20 c Figures 12a, 12b. n aal 4. PD (ave) = Average power dissipation per single v avalanche pulse. A , RA 10 5 . BvoVlt a=g Rea intecdre barseea kdduoriwnng vaovlatalagnec h(1e.)3. factor accounts for E 6. I = Allowable avalanche current. av 7. ∆T = Allowable rise in junction temperature, not to exceed T (assumed as 25°C in Figure 15, 16). jmax 0 t Average time in avalanche. av = 25 50 75 100 125 150 175 D = Duty cycle in avalanche = t ·f av Starting TJ , Junction Temperature (°C) ZthJC(D, tav) = Transient thermal resistance, see figure 11) P = 1/2 ( 1.3·BV·I ) =(cid:1)(cid:1)T/ Z D (ave) av thJC Fig 16. Maximum Avalanche Energy I =2(cid:1)T/ [1.3·BV·Z ] av th vs. Temperature E = P ·t AS (AR) D (ave) av www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) Driver Gate Drive (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5) P.W. Period D = + P.W. Period # (cid:1) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:2)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)(cid:15)(cid:3)(cid:9)(cid:6)(cid:2)(cid:11)(cid:12)(cid:13) VGS=10V • (cid:7)(cid:8)(cid:11)(cid:16)(cid:7)(cid:17)(cid:6)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:7)(cid:18)(cid:12)(cid:14)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:9)(cid:12)(cid:4)(cid:15) (cid:7)(cid:7) • (cid:19)(cid:3)(cid:11)(cid:5)(cid:12)(cid:14)(cid:7)(cid:20)(cid:21)(cid:9)(cid:12)(cid:15) - (cid:7)(cid:7) • (cid:8)(cid:11)(cid:16)(cid:7)(cid:8)(cid:15)(cid:9)(cid:22)(cid:9)(cid:23)(cid:15)(cid:7)(cid:18)(cid:12)(cid:14)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:9)(cid:12)(cid:4)(cid:15) (cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:1)(cid:5)(cid:3)(cid:3)(cid:15)(cid:12)(cid:6)(cid:7)(cid:24)(cid:3)(cid:9)(cid:12)(cid:13)(cid:25)(cid:11)(cid:3)(cid:26)(cid:15)(cid:3) D.U.T. ISDWaveform + (cid:3) Reverse (cid:2) Recovery Body Diode Forward - - + Current Currentdi/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:4) dv/dt VDD (cid:7) (cid:22)(cid:19) • (cid:14)(cid:28)(cid:29)(cid:14)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:3)(cid:11)(cid:21)(cid:21)(cid:15)(cid:14)(cid:7)(cid:30)(cid:10)(cid:7)(cid:31)(cid:1) (cid:27)(cid:27) Re-Applied • (cid:27)(cid:3)(cid:2)(cid:28)(cid:15)(cid:3)(cid:7)(cid:13)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:7)(cid:6)(cid:10) (cid:15)(cid:7)(cid:9)(cid:13)(cid:7)(cid:27)!"!(cid:24)! + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:18)(cid:2)(cid:3)(cid:7)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:3)(cid:11)(cid:21)(cid:21)(cid:15)(cid:14)(cid:7)(cid:30)(cid:10)(cid:7)(cid:27)(cid:5)(cid:6)(cid:10)(cid:7)#(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:11)(cid:3)(cid:7)$(cid:27)$ - Inductor Curent • (cid:27)!"!(cid:24)!(cid:7)%(cid:7)(cid:27)(cid:15)(cid:28)(cid:2)(cid:4)(cid:15)(cid:7)"(cid:12)(cid:14)(cid:15)(cid:3)(cid:7)(cid:24)(cid:15)(cid:13)(cid:6) Ripple ≤ 5% ISD #(cid:6)(cid:7) (cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:7)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:13)(cid:11)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:6)(cid:13)(cid:17)(cid:18)(cid:17)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:17)(cid:18)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:21) (cid:19)(cid:17) Fig 17. (cid:28)(cid:11)(cid:9)(cid:16)(cid:6)(cid:29)(cid:7)(cid:17)(cid:14)(cid:11)(cid:6)(cid:22)(cid:11)(cid:23)(cid:17)(cid:30)(cid:11)(cid:10)(cid:31)(cid:6)(cid:14)(cid:30) (cid:14)(cid:13)(cid:6)(cid:5)(cid:11)(cid:8)(cid:13)(cid:6)!(cid:7)(cid:10)(cid:23)"(cid:7)(cid:13)(cid:6)for N-Channel HEXFET(cid:1)(cid:6)Power MOSFETs (cid:22) (cid:27) (cid:7) (cid:27)(cid:17) (cid:7) (cid:19)(cid:17) (cid:20)(cid:23)(cid:24)(cid:23)(cid:25)(cid:23) (cid:22) (cid:19) +(cid:7) - (cid:27)(cid:27) (cid:5)(cid:1)(cid:7) (cid:20)(cid:5)(cid:21)(cid:13)(cid:15)(cid:7)&(cid:2)(cid:14)(cid:6)’(cid:7)≤ 1 ((cid:13) (cid:27)(cid:5)(cid:6)(cid:10)(cid:7)#(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:11)(cid:3)(cid:7)≤ 0.1 % Fig 18a. Switching Time Test Circuit VDS 90% 10% VGS td(on) tr td(off) tf Fig 18b. Switching Time Waveforms 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:24)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:27)(cid:17)(cid:18)(cid:25) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:5)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:17) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:14)(cid:5)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) EXAMPLE: THIS IS AN IRFR120 PART NUMBER WITH ASSEMBLY INTERNATIONAL LOT CODE 1234 RECTIFIER IRFR120 DATE CODE ASSEMBLED ON WW 16, 2001 LOGO 116A YEAR 1 = 2001 IN THE ASSEMBLY LINE "A" 12 34 WEEK 16 LINE A Note: "P" in assembly line position ASSEMBLY indicates "Lead-Free" LOT CODE "P" in assembly line position indicates "Lead-Free" qualification to the consumer-level PART NUMBER OR INTERNATIONAL DATE CODE RECTIFIER IRFR120 P = DESIGNATES LEAD-FREE LOGO PRODUCT (OPTIONAL) 12 34 P = DESIGNATES LEAD-FREE ASSEMBLY PRODUCT QUALIFIED TO THE CONSUMER LEVEL (OPTIONAL) LOT CODE YEAR 1 = 2001 WEEK 16 A = ASSEMBLY SITE CODE Notes: 1.For an Automotive Qualified version of this part please seehttp://www.irf.com/product-info/auto/ 2.For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ www.irf.com 9

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) (cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:28)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:24)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:27)(cid:17)(cid:18)(cid:25) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:5)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:17) (cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:28)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:14)(cid:5)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) EXAMPLE: THIS IS AN IRFU120 PART NUMBER INTERNATIONAL WLOITTH C AOSDSEE M56B7L8Y RECTIFIER IRFU120 DATE CODE LOGO 119A YEAR 1 = 2001 ASSEMBLED ON WW 19, 2001 56 78 WEEK 19 IN THE ASSEMBLY LINE "A" LINE A ASSEMBLY LOT CODE Note: "P" in assembly line position indicates Lead-Free" OR PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER IRFU120 DATE CODE LOGO P = DESIGNATES LEAD-FREE 56 78 PRODUCT (OPTIONAL) YEAR 1 = 2001 ASSEMBLY LOT CODE WEEK 19 A = ASSEMBLY SITE CODE Notes: 1.For an Automotive Qualified version of this part please seehttp://www.irf.com/product-info/auto/ 2.For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/ 10 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:8)(cid:4)(cid:29)(cid:25)(cid:6)(cid:30)(cid:6)(cid:31)(cid:25)(cid:25)(cid:27)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:5)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:17) TR TRR TRL 16.3 ( .641 ) 16.3 ( .641 ) 15.7 ( .619 ) 15.7 ( .619 ) 1121..19 (( ..447669 )) FEED DIRECTION 87..19 (( ..331182 )) FEED DIRECTION NOTES : 1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER. 2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS ( INCHES ). 3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541. 13 INCH 16 mm NOTES : 1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481. (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:2)(cid:8)(cid:6)(cid:3)(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:3)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:8)(cid:8)(cid:4)(cid:14)(cid:3)(cid:6)(cid:15)(cid:8)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:8)(cid:4)(cid:22)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:3)(cid:2)(cid:6)(cid:23)(cid:24)(cid:6)(cid:17)(cid:4)(cid:25)(cid:11)(cid:18)(cid:3)(cid:4)(cid:6)(cid:16)(cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:3)(cid:20)(cid:5)(cid:26)(cid:26)(cid:17)(cid:17)(cid:17)(cid:27)(cid:18)(cid:8)(cid:22)(cid:27)(cid:12)(cid:2)(cid:10)(cid:26)(cid:20)(cid:16)(cid:12)(cid:28)(cid:16)(cid:19)(cid:4)(cid:26) (cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11) (cid:4)(cid:6)Repetitive rating; pulse width limited by (cid:2) Coss eff. is a fixed capacitance that gives the same charging time max. junction temperature. (See fig. 11). as Coss while VDS is rising from 0 to 80% VDSS . (cid:3) (cid:6)Limited by T , starting T = 25°C, L = 0.17mH (cid:1)(cid:2)Limited by T , see Fig.12a, 12b, 15, 16 for typical repetitive Jmax J Jmax RG = 25Ω, IAS = 21A, VGS =10V. Part not avalanche performance. recommended for use above this value. (cid:3)(cid:2)This value determined from sample failure population. 100% (cid:1)Pulse width ≤ 1.0ms; duty cycle ≤ 2%. tested to this value in production. (cid:4)(cid:6)(cid:6) When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) . (cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:6)(cid:22) (cid:15)(cid:21)(cid:6)(cid:26)(cid:17)(cid:27)(cid:21)(cid:28)(cid:12)(cid:17)(cid:29)(cid:6)(cid:27)(cid:30)(cid:6)(cid:25)(cid:6)(cid:27)(cid:31)(cid:31)(cid:12)(cid:11) (cid:15)(cid:26)(cid:27)(cid:30)(cid:17)(cid:19)!(cid:6)(cid:2)(cid:1)"# θ(cid:7) ) Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed for the Industrial market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information.09/2010 www.irf.com 11

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRFR540ZTRPBF IRFR540ZPBF IRFR540ZTRLPBF