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Datasheet下载- 型号： IRFR5305PBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR5305PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR5305PBF价格参考。International RectifierIRFR5305PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 55V 31A（Tc） 110W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR5305PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR5305PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFR5305PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：该MOSFET适用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器和电池充电器等应用。它能够高效地进行电流切换，降低功耗并提高电源效率。 2. 电机驱动：在电机控制电路中，IRFR5305PBF可以用于驱动小型直流电机、步进电机或伺服电机。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少发热，提高系统的可靠性和性能。 3. 负载开关：作为负载开关，它可以快速响应负载变化，保护电路免受过流、短路等异常情况的影响。此外，它还具有较低的导通损耗，适合用于便携式电子设备中的电源路径管理。 4. 逆变器与变频器：在逆变器和变频器中，IRFR5305PBF可用于实现高效的交流-直流转换或频率调节。其快速开关特性和良好的热稳定性使其成为这些应用的理想选择。 5. 汽车电子：该器件也适用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、车载充电器和LED照明等。它能够在宽温度范围内稳定工作，并且具备较高的抗干扰能力。 6. 工业自动化：在工业控制系统中，如PLC、传感器接口和执行器驱动等领域，IRFR5305PBF可以提供可靠的开关功能，确保系统的正常运行。 总之，IRFR5305PBF凭借其优异的电气特性、紧凑的封装形式以及广泛的适用性，在众多领域得到了广泛应用。无论是消费类电子产品还是工业级应用，都能找到它的身影。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 55V 31A DPAKMOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 28 A |
| Id-连续漏极电流 | - 28 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR5305PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR5305PBF |
| Pd-PowerDissipation | 89 W |
| Pd-功率耗散 | 89 W |
| Qg-GateCharge | 42 nC |
| Qg-栅极电荷 | 42 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 66 ns |
| 下降时间 | 63 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 功率耗散 | 89 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 65 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 42 nC |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 55 V |
| 漏极连续电流 | - 28 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr5305.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr5305.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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